公开(公告)号：CN101578231A

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200880001427.6

申请日：2008-01-10

Applicant: 硅绝缘体技术有限公司

Inventor： 伯纳德·阿斯帕 ,  克里斯特勒·拉加赫·布兰查德 ,  尼古拉斯·苏萨贝

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00952 ,  B81B3/001 ,  B81C2201/115

Abstract: 本发明涉及一种在半导体基片(2)中形成粗糙界面(12)的方法，所述方法包括：在所述基片的表面(4)上形成氧化物或能够被氧化的材料(6)的无规性区域(8)或者在氧化物或能够被氧化的材料(6)之上的无规性区域(8)，通过所述材料或所述氧化物(6)和部分所述半导体基片的热氧化、或者通过穿过所述材料或所述氧化物(6)进行的部分所述半导体基片的热氧化而在所述半导体基片(2)之中或之上形成粗糙度。

公开(公告)号：CN105431374B

公开(公告)日：2017-11-14

申请号：CN201480032151.3

申请日：2014-05-23

Applicant: 应美盛股份有限公司

Inventor： 席琳娜·张 ,  宁·提

IPC: B81B7/02

CPC classification number: B81C1/00984 ,  B81B3/0008 ,  B81B2207/015 ,  B81C1/00976 ,  B81C2201/115 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/48 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的方法包含通过为在形成于衬底上的缓冲块上收集的电荷提供导电路径来减少MEMS装置的黏滞力。所述缓冲块通过在所述衬底上沉积且图案化介电材料形成，且所述导电路径由沉积在所述缓冲块上的导电层提供。所述导电层还可以经粗糙化以减少黏滞力。

公开(公告)号：CN107021448A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201710028445.4

申请日：2017-01-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢元智 ,  曾李全 ,  林宏桦

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/00 ,  B81B7/02

CPC classification number: B81B3/0005 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/09 ,  B81C1/00238 ,  B81C1/00984 ,  B81C2201/115 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/0792 ,  B81B7/02 ,  B81B3/0016 ,  B81B7/007

Abstract: 本发明提供了一种制造CMOS‑MEMS结构的方法。该方法包括：在盖衬底的第一表面上蚀刻空腔；将盖衬底的第一表面与感测衬底接合；减薄感测衬底的第二表面，第二表面与感测衬底的接合至盖衬底的第三表面相对；蚀刻感测衬底的第二表面；图案化感测衬底的第二表面的一部分以形成多个接合区域；在多个接合区域上沉积共晶金属层；蚀刻感测衬底的空腔下方的一部分以形成可移动元件；以及通过共晶金属层将感测衬底接合至CMOS衬底。本发明的实施例还涉及CMOS‑MEMS结构。

公开(公告)号：CN106458574A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201480075314.6

申请日：2014-12-22

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： J·贡斯卡 ,  J·赖因穆特 ,  M·阿梅托沃布拉

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00119 ,  B81B1/004 ,  B81B7/02 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00293 ,  B81C2201/112 ,  B81C2201/115 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/0145 ,  B81C2203/019

Abstract: 一种用于制造微机械结构元件(100)的方法，该方法具有以下步骤：-在结构元件(100)的MEMS元件(5)中或盖元件(6)中构造进入开口MEMS元件(5)和盖元件(6)之间构造至少一个空腔(8a、8b)；-以及，借助于激光(9)在一个限定的气氛下封闭通到所述至少一个空腔(8a、8b)中的进入开口(7)。(7)；-连接MEMS元件(5)与盖元件(6)，其中，在

公开(公告)号：CN102046516A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200980120517.1

申请日：2009-06-03

Applicant: 高通MEMS科技公司

Inventor： 詹姆斯·兰道夫·韦伯斯特 ,  坦·义·涂 ,  颜小明 ,  张万宿

IPC: B81B3/00

CPC classification number: B81B3/0008 ,  B81B2201/042 ,  B81C2201/0107 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/115 ,  G02B26/001 ,  Y10T428/24917

Abstract: 本发明提供制造机电系统装置的方法，其减轻所述装置的可移动组件的永久粘合或静摩擦。所述方法提供具有改进的且可再生的表面粗糙度的非晶硅牺牲层。所述非晶硅牺牲层进一步展现对机电系统装置中使用的常见材料的极好粘合。

公开(公告)号：CN101033057A

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200710086232.3

申请日：2007-03-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山口真弓 ,  泉小波

IPC: B81B5/00 ,  H01L29/94 ,  H01L27/00 ,  H01L49/00 ,  B81C1/00 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L27/1266 ,  B81B3/001 ,  B81C2201/115 ,  H01L27/1214

Abstract: 本发明提供一种微结构、半导体器件、以及微结构的制造方法。所述微结构包括：第一结构层；以及夹着空隙与所述第一结构层相对，且其一部分固定于第一结构层上的第二结构层。第一结构层及第二结构层中的至少一个可以改变位置。另外，第一结构层及第二结构层的相对的表面都以互不相同的粗糙度表面粗糙化。