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公开(公告)号：CN107381496A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710242800.8
申请日：2017-04-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0005 , B81B3/001 , B81B2207/012 , B81C2201/112 , B81C2201/115 , B81B7/02 , B81B7/0032 , B81B7/0077 , B81C1/00912
Abstract: 本发明提供了一种用于高质量抗粘滞的具有粗糙度的微机电系统（MEMS）封装件。在支撑器件上方布置器件衬底。器件衬底包括具有粗糙的下表面的可移动元件并且可移动元件布置在腔体内。在支撑器件和器件衬底之间布置介电层。介电层横向围绕腔体。抗粘滞层衬里可移动元件的下表面。本发明也提供了一种用于制造微机电系统(MEMS)封装件的方法。
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公开(公告)号：CN101578231B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200880001427.6
申请日：2008-01-10
Applicant: 硅绝缘体技术有限公司
Inventor： 伯纳德·阿斯帕 , 克里斯特勒·拉加赫·布兰查德 , 尼古拉斯·苏萨贝
CPC classification number: B81C1/00952 , B81B3/001 , B81C2201/115
Abstract: 本发明涉及一种在半导体基片(2)中形成粗糙界面(12)的方法，所述方法包括：在所述基片的表面(4)上形成氧化物或能够被氧化的材料(6)的无规性区域(8)或者在氧化物或能够被氧化的材料(6)之上的无规性区域(8)，通过所述材料或所述氧化物(6)和部分所述半导体基片的热氧化、或者通过穿过所述材料或所述氧化物(6)进行的部分所述半导体基片的热氧化而在所述半导体基片(2)之中或之上形成粗糙度。
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公开(公告)号：CN105492373A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201480037949.7
申请日：2014-07-15
Applicant: 歌尔声学股份有限公司
CPC classification number: H04R7/14 , B81B3/0021 , B81B2201/0257 , B81B2203/0127 , B81B2203/019 , B81C1/0023 , B81C2201/115 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/15192 , H04R1/04 , H04R19/016 , H04R19/04 , H04R2201/003 , H04R2307/027 , H01L2924/00014
Abstract: 一种具有高深厚比的褶皱振膜(200)的硅麦克风(10)。所述麦克风(10)包括柔性振膜(200)，在所述柔性振膜(200)上，至少一个环形褶皱(210)形成在固定在所述基底(100)上的所述振膜(200)的边缘的附近，其中，所述褶皱(210)的深度与所述振膜(200)的厚度的比大于5：1，优选地20：1，并且所述褶皱(210)的壁以80°至100°的角度范围相对于所述振膜(200)的表面倾斜。具有高深厚比的褶皱振膜(200)的麦克风(10)可以实现一致且最佳的灵敏度并且在跌落试验中减小了施加在其上的冲击，使得可以提高性能、可再现性、可靠性和产率。
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公开(公告)号：CN101578230B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200880001417.2
申请日：2008-01-10
Applicant: 硅绝缘体技术有限公司
Inventor： 伯纳德·阿斯帕 , 克里斯特勒·拉加赫·布兰查德 , 尼古拉斯·苏萨贝
CPC classification number: B81B3/001 , B81C1/00952 , B81C2201/115
Abstract: 本发明涉及一种形成具有隐埋粗糙界面的半导体元件的方法，所述方法包括：a)在第一半导体基片(16)中形成具有预定粗糙度R2的粗糙界面(22)，其中包括选择半导体基片(16)，所述基片的表面(14)的粗糙度R1＞R2；对所述基片进行热氧化步骤，直到获得粗糙度为R2的氧化物-半导体界面(22)，b)制备所述第一半导体基片的氧化表面，以便于与第二基片组装，c)组装所述氧化物的所述表面和所述第二基片的表面。
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公开(公告)号：CN102449447B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201080023427.3
申请日：2010-05-28
Applicant: VTT技术研究中心
Inventor： 马尔蒂·布卢姆伯格
CPC classification number: G02B26/001 , B81B3/0013 , B81B2201/042 , B81C2201/115 , G01J3/26
Abstract: 本发明涉及用微机械(MEMS)技术制造的可控法布里珀罗干涉仪。制造现有技术的干涉仪包括在蚀刻牺牲层(123)期间镜劣化的风险。根据本发明的方案，镜的至少一个层(103，105，114，116)由富硅氮化硅制成。在发明的法布里珀罗干涉仪中，可以避免或减少在镜层中使用氧化硅，从而降低了镜劣化的风险。还可以使用具有较高粗糙度的镜表面，从而降低了镜彼此粘着的风险。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101033057B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN200710086232.3
申请日：2007-03-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1266 , B81B3/001 , B81C2201/115 , H01L27/1214
Abstract: 本发明提供一种微结构、半导体器件、以及微结构的制造方法。所述微结构包括：第一结构层；以及夹着空隙与所述第一结构层相对，且其一部分固定于第一结构层上的第二结构层。第一结构层及第二结构层中的至少一个可以改变位置。另外，第一结构层及第二结构层的相对的表面都以互不相同的粗糙度表面粗糙化。
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公开(公告)号：CN101578230A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200880001417.2
申请日：2008-01-10
Applicant: 硅绝缘体技术有限公司
Inventor： 伯纳德·阿斯帕 , 克里斯特勒·拉加赫·布兰查德 , 尼古拉斯·苏萨贝
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81B3/001 , B81C1/00952 , B81C2201/115
Abstract: 本发明涉及一种形成具有隐埋粗糙界面的半导体元件的方法，所述方法包括：a)在第一半导体基片(16)中形成具有预定粗糙度R2的粗糙界面(22)，其中包括选择半导体基片(16)，所述基片的表面(14)的粗糙度R1＞R2；对所述基片进行热氧化步骤，直到获得粗糙度为R2的氧化物－半导体界面(22)，b)制备所述第一半导体基片的氧化表面，以便于与第二基片组装，c)组装所述氧化物的所述表面和所述第二基片的表面。
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公开(公告)号：CN105431374A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201480032151.3
申请日：2014-05-23
Applicant: 应美盛股份有限公司
IPC: B81B7/02
CPC classification number: B81C1/00984 , B81B3/0008 , B81B2207/015 , B81C1/00976 , B81C2201/115 , H01L21/76838 , H01L23/48 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的方法包含通过为在形成于衬底上的缓冲块上收集的电荷提供导电路径来减少MEMS装置的黏滞力。所述缓冲块通过在所述衬底上沉积且图案化介电材料形成，且所述导电路径由沉积在所述缓冲块上的导电层提供。所述导电层还可以经粗糙化以减少黏滞力。
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公开(公告)号：CN103864005A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201310690749.9
申请日：2013-12-17
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: B81B3/001 , B81B3/0005 , B81B2201/0221 , B81B2201/0235 , B81B2203/0181 , B81B2203/06 , B81C1/0096 , B81C2201/115 , G01P15/0802 , G01P2015/0871 , G01P2015/0874
Abstract: 本发明涉及通过沉积纳米团簇减小MEMS静摩擦力。本发明提供了一种机制，用于通过减少可以紧密接触的两个表面之间的表面积来降低一个MEMS装置中的静摩擦力。通过增加一个或两个表面的表面粗糙度来实现接触表面积的降低。在形成MEMS装置中，通过在使用的牺牲层上形成微掩模层，并且然后蚀刻所述牺牲层的表面提供了增加的粗糙度。可以使用纳米团簇（520）来形成微掩模层。当在牺牲层（810）之上形成MEMS装置的下一个部分时，该部分将呈现通过蚀刻工艺所施加到牺牲层上的粗糙度特性。在MEMS装置中，更粗糙的表面（910）降低了可用于接触的表面积，并且，反过来，降低了通过表面可以被施加静摩擦力的面积。
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公开(公告)号：CN102449447A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201080023427.3
申请日：2010-05-28
Applicant: VTT技术研究中心
Inventor： 马尔蒂·布卢姆伯格
CPC classification number: G02B26/001 , B81B3/0013 , B81B2201/042 , B81C2201/115 , G01J3/26
Abstract: 本发明涉及用微机械(MEMS)技术制造的可控法布里珀罗干涉仪。制造现有技术的干涉仪包括在蚀刻牺牲层(123)期间镜劣化的风险。根据本发明的方案，镜的至少一个层(103，105，114，116)由富硅氮化硅制成。在发明的法布里珀罗干涉仪中，可以避免或减少在镜层中使用氧化硅，从而降低了镜劣化的风险。还可以使用具有较高粗糙度的镜表面，从而降低了镜彼此粘着的风险。
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