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公开(公告)号：CN116613189A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310599220.X
申请日：2023-05-23
Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/205 , H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 公开了一种高电子迁移率晶体管及其制造方法，所述晶体管包括：衬底；沟道层，位于所述衬底上方；势垒层，位于所述沟道层上；漏极电极和源极电极，至少与所述势垒层接触；栅极导体，位于所述势垒层上方，以及限流结构，被配置为至少与所述源极电极靠近所述栅极导体一侧的侧表面接触，且位于所述势垒层上，用于减小饱和电流。
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公开(公告)号：CN116545313A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310333300.0
申请日：2023-03-30
Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
Abstract: 本发明提供一种超前角检测方法、检测电路、永磁电机控制方法及电路，包括：获取电机角频率、相反电势、相电流、相电感的感量及相电阻的阻值；基于所述电机角频率、所述相反电势、所述相电流、所述相电感的感量及所述相电阻的阻值计算超前角的角度；并基于所述超前角进行超前触发，使得相反电势与相电流的相位一致。本发明的超前角检测方法、检测电路、永磁电机控制方法及电路用矢量分析方法通过相反电势、相电压、相电流和电机转速计算得到该工况下的超前角，可以在电流很小且畸变严重的情况下仍然实现永磁电机高效稳定控制，且利用近似函数算法极大地降低了算法复杂度。
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公开(公告)号：CN116526838A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310333207.X
申请日：2023-03-28
Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
Abstract: 本发明公开了多相电压转换器包括控制芯片和功率变换模块，所述控制芯片根据所述多相电压转换器的输出，产生用于控制N个一级变换模块的N个脉冲分配信号，所述功率变换模块包括N个相互并联的一级变换模块，各个一级变换模块包括至少一个相互并联的二级变换模块。本发明的电压转换器中的一级变换模块，二级变换模块和三级变换模块的数量均可以扩展；控制芯片的封装引脚数量少，将传输脉冲分配信号的信号线进行复用，以检测各个一级变换模块产生的故障信号，管脚数更少；本发明的平均电流信息为归一化的信息，相较于传统的多相电压转换器架构，更加容易控制且周边电路更加精简。
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公开(公告)号：CN113612397B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202110987382.1
申请日：2021-08-26
Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
Inventor： 陈超军
Abstract: 本发明公开了一种控制电路及应用其的开关电源，旨在提高控制芯片引脚资源的利用率的同时还能丰富控制芯片的功能，本发明提出的控制电路，能够将电感电流过零检测以实现谷底开通，电流采样以进行电流控制以及过流保护，第二级的输出过压保护灵活设置的功能集成复用在同一引脚资源上，将大大提高控制芯片引脚资源的利用率，同时电路结构也较为简单可靠。
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公开(公告)号：CN113141118B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202110405862.2
申请日：2019-11-08
Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
IPC: H02M3/335
Abstract: 本申请公开了一种控制电路以及应用其的开关变换器。本发明实施例的技术方案通过在主功率管关断后控制续流开关管导通第一时间段，并在第一时间段结束后在预设时间内控制续流开关管导通第二时间段，使得主功率管在导通之前通过一放电电流将自身的寄生电容放电，以实现零电压开通，有效降低开通损耗，同时续流开关管在其漏源电压的谐振谷底开始导通第二时间段，也降低了续流开关管的开通损耗，从而提高了系统效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115940944A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211458550.9
申请日：2022-11-17
Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
Abstract: 本发明实施例公开了一种电流信号采样方法、采样电路和开关电源，在本发明实施例中，采样电路的控制单元通过在对应开关管的关断延迟时间内对充电电容进行充电，以获取补偿信号，从而根据补偿信号对第一采样信号进行补偿。由此，本实施例通过集成电路内部的电流在关断延迟时间内对充电电容进行充电来精确获取补偿信号，降低了电路成本，便于电路集成，减小了电路体积。
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公开(公告)号：CN115865082A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211540078.3
申请日：2022-11-30
Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
Abstract: 本申请公开了模拟信号处理电路及直流失调电压消除方法。在模拟信号处理电路中，前级处理模块对模拟信号进行处理以产生第一差分信号，至少一个开关电容电路，对第一差分信号进行积分或采样保持以产生第二差分信号。前级处理模块和至少一个开关电容电路接收同步的控制信号，前级处理模块根据控制信号对模拟信号进行斩波，至少一个开关电容电路在控制信号的第一相位和第二相位处于不同的工作状态，以消除前级处理模块和至少一个开关电容电路中的直流失调电压。由此，该模拟信号处理电路可以提高模拟信号处理的精度。
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公开(公告)号：CN115732567A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211638965.4
申请日：2022-12-20
Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
Inventor： 王欢
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/36 , H01L29/417 , H01L29/08
Abstract: 公开了一种半导体器件及其制造方法，其在漏电极设置第一导电柱和第二导电柱，第一导电柱连接至金属硅化物，通过金属硅化物连接漂移区，第二导电柱直接连接至漂移区。本发明提供的半导体器件及其制造方法设置两种导电柱引出漏电极，可在漂移区无漏掺杂区的情况下实现漏电极的引出，降低了漏掺杂区对半导体器件的横向尺寸的占用，为半导体器件的横向尺寸的降低提供了便利。
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公开(公告)号：CN115395789A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202211055249.3
申请日：2022-08-31
Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
Abstract: 本发明实施例公开了一种隔离型功率变换器。在本发明实施例中，隔离型功率变换器包括原边电路、变压器和副边电路，其中，副边电路包括变流电路和反馈控制电路，该变流电路经由副边开关网络中的副边开关组件对副边绕组的副边漏感进行激磁以实现变流，反馈控制电路被配置为根据表征输出信号的输出反馈信号控制副边开关网络中的副边开关组件的开关状态。由此，本实施例可以通过直接调节副边开关网络中的副边开关组件，以使得副边漏感可以作为功率储能元件，实现了变压器的磁集成，进而可以无需原副边的反馈信号通路，降低了控制复杂度和制造成本。
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公开(公告)号：CN115223854A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210789376.X
申请日：2022-07-05
Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
IPC: H01L21/266 , H01L21/8234 , H01L29/423 , H01L27/088
Abstract: 本发明提供一种半导体器件结构及其制备方法，制备方法包括：在半导体衬底的第一区域和第二区域上形成第一栅介质层和第二栅介质层；形成导电层；形成阻挡层；图形化阻挡层以形成阻挡图形；刻蚀导电层，以同时形成第一栅极和第二栅极；形成光刻图形，具有注入窗口，注入窗口显露第一区域的阱注入区域及第一栅极上的部分阻挡图形；以光刻图形和显露的阻挡图形作为掩膜，通过离子注入在阱注入区域形成阱区。在器件设计时，本发明的多晶硅栅极的厚度可以依据高密度器件部分进行设计，第一栅极和第二栅极同步形成，并同时可以实现功率器件阱区的自对准注入，从而使得功率器件可以集成纳米级别的高密度器件。本发明的制备方法可以有效简化工艺，降低工艺成本，提升制造良率。
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