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公开(公告)号:CN1186893C
公开(公告)日:2005-01-26
申请号:CN00806189.0
申请日:2000-04-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04W52/58 , H04B1/707 , H04W28/06 , H04W52/42 , H04W52/44 , H04W52/60 , H04W72/1273
Abstract: 在此公开了一种用于在CDMA通信系统中选通传输专用控制信道的方法和装置。在该方法和装置中,如果基站(移动台)判定是否在预定时间长度内没有数据要传输给移动台(基站),该基站(移动台)按照专用控制信道上的预定模式选通控制信息的传输,此专用控制信道用于向移动台(基站)传输控制信息。从基站向移动台传输的控制信息包括传输格式组合指示符(TFCI)、传输功率控制(TPC)和导频符号。从移动台向基站传输的控制信息包括TFCI、TPC、导频符号和有关发送分集天线系统的信息的反馈信息(FBI)。在下行链路DPCCH中,所有的帧时隙中的预定的n个时隙的TFCI、TPC和导频符号的传输可以在选通传输过程中不连续进行。或者,预定的第n时隙的导频符号和第n+1时隙的TFCI和TPC的传输可以不连续进行。在上行链路DPCCH中,特定时隙的所有TFCI、TPC、FBI和导频符号的传输在选通传输过程中不连续地进行。另外,当业务数据用于传输时,用于功率控制的TPC的传输可以连续被传输用于全比率功率控制。
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公开(公告)号:CN1525454A
公开(公告)日:2004-09-01
申请号:CN200310124933.3
申请日:2003-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B7/09
CPC classification number: G11B7/0945 , G11B7/0903 , G11B7/0906 , G11B2007/0006
Abstract: 公开了一种在光存储驱动器中,即使对具有大约λ/4的凹坑深度或窄轨迹间距的光盘(CD)也稳定地产生跟踪误差信号的方法和装置、一种使用该方法和装置的光存储驱动器、和光存储驱动器的导入控制方法。所述产生跟踪误差信号的方法包括用光电探测器检测反射的激光束;和用差分相位检测(DPD)方法根据由光电探测器接收的光信号产生第一跟踪误差信号,并输出第一跟踪误差信号作为跟踪误差信号。
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公开(公告)号:CN1156983C
公开(公告)日:2004-07-07
申请号:CN99801298.X
申请日:1999-08-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H03M13/00
CPC classification number: H03M13/2993 , H03M13/299 , H03M13/356 , H03M13/3994
Abstract: 一种用于接收机的信道解码装置,该接收机接收通过在一帧数据中的预定位置插入至少一个特定比特而编码的码元。在此信道解码装置中,码元插入器接收码元,在预定的特定比特插入位置插入具有特定值的码元,并输出接收到的其他位置的码元。解码器对从码元插入器输出的码元进行解码。
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公开(公告)号:CN1496022A
公开(公告)日:2004-05-12
申请号:CN03155536.5
申请日:1999-06-05
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H03M13/2957 , H03M13/3994 , H03M13/6356 , H03M13/6362 , H04L1/0066 , H04L1/0069
Abstract: 公开了一种在移动通信中的发送机,包括:比特插入器,用于在预定位置上将已知比特插入输入数据比特流;信道编码器,用于编码插入有比特的数据比特流,以产生编码符号;速率匹配器,用于将编码后的符号率匹配到给定的信道符号率;以及信道交织器,用于交织速率匹配后的信道符号。该发送机在速率匹配设备重发符号、穿孔和符号重发后穿孔期间,使整个系统的性能劣化最小,并在为输入信道编码符号进行速率匹配时通过选择穿孔位置,使在穿孔期间引起的性能劣化最小。
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公开(公告)号:CN1144375C
公开(公告)日:2004-03-31
申请号:CN99801406.0
申请日:1999-08-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H03M13/00
CPC classification number: H03M13/2993 , H03M13/299 , H03M13/356 , H03M13/6356
Abstract: 一种快速编码装置,包括:比特插入器,用于在输入到第一结构编码器中的数据比特流的最后位置插入至少一个特殊数据比特,以及在输入到第二结构编码器的交织数据比特流的最后位置插入至少一个特殊比特;第一结构编码器,用于编码比特-插入数据比特流以产生第一校验符号;一交织器,用于交织比特-插入数据比特流;第二结构编码器,用于编码交织数据比特流以产生第二校验符号;以及多路复用器,用于多路复用比特插入器,第一结构编码器,和第二结构编码器的输出。
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公开(公告)号:CN1423862A
公开(公告)日:2003-06-11
申请号:CN00818399.6
申请日:2000-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04B1/69
CPC classification number: H04W72/0406 , H04B1/7075 , H04B7/264 , H04J13/0044 , H04W72/087 , H04W74/002 , H04W74/0833
Abstract: 在CDMA通信系统中,广播基站的信道信息、可用信道和数据速率的方法。基站在访问前置码信道上接收移动台含有要发送的数据的信息。基站在状态指示符信道上发送物理信道的使用状态信息和最大可用数据速率信息。移动台通过状态指示符信道从基站接收物理信道的使用状态信息和最大可用数据速率信息。移动台向基站发送请求分配根据使用状态信息和最大可用数据速率信息确定的给定物理信道的前置码。
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公开(公告)号:CN1347604A
公开(公告)日:2002-05-01
申请号:CN00806189.0
申请日:2000-04-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04W52/58 , H04B1/707 , H04W28/06 , H04W52/42 , H04W52/44 , H04W52/60 , H04W72/1273
Abstract: 在此公开了一种用于在CDMA通信系统中选通传输专用控制信道的方法和装置。在该方法和装置中,如果基站(移动台)判定是否在预定时间长度内没有数据要传输给移动台(基站),该基站(移动台)按照专用控制信道上的预定模式选通控制信息的传输,此专用控制信道用于向移动台(基站)传输控制信息。从基站向移动台传输的控制信息包括传输格式组合指示符(TFCI)、传输功率控制(TPC)和导频符号。从移动台向基站传输的控制信息包括TFCI、TPC、导频符号和有关发送分集天线系统的信息的反馈信息(FBI)。在下行链路DPCCH中,所有的帧时隙中的预定的n个时隙的TFCI、TPC和导频符号的传输可以在选通传输过程中不连续进行。或者,预定的第n时隙的导频符号和第n+1时隙的TFCI和TPC的传输可以不连续进行。在上行链路DPCCH中,特定时隙的所有TFCI、TPC、FBI和导频符号的传输在选通传输过程中不连续地进行。另外,当业务数据用于传输时,用于功率控制的TPC的传输可以连续被传输用于全比率功率控制。
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公开(公告)号:CN1303549A
公开(公告)日:2001-07-11
申请号:CN99806799.7
申请日:1999-05-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04J13/02
CPC classification number: H04L1/0041 , H03M13/23 , H03M13/635 , H04J13/10 , H04J13/16 , H04L1/0059 , H04L1/0068 , H04L1/0071
Abstract: 一种在CDMA通信系统中用于生成和分配卷积码、以使信道解码过程中由于较差链路环境引起的性能下降可以被减到最小的设备和方法。卷积编码器对传输数据以R=1/6的编码率进行编码,并可以被用作信道编码器。这种信道编码器既可用于DS-CDMA通信系统又可用于多载波CDMA通信系统。当这种信道编码器用于多载波CDMA通信系统时,依据预定的规则,从信道编码器的多个分支编码器输出的码元被分配给多个载波信道,并且即使在传输信道上某一特定分支编码器的输出完全中断,信道编码器的各分支编码器也可以使整个信道编码器的性能下降减到最小。
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公开(公告)号:CN1244598A
公开(公告)日:2000-02-16
申请号:CN98122757.0
申请日:1998-12-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C26/00
CPC classification number: H05B33/04 , C23C16/44 , C23C16/45527 , C23C16/45561 , H01L21/02381 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L21/31604 , H01L21/31691
Abstract: 本发明提供了一种薄膜制备方法。该方法通过在基片上致密化学吸附第一种反应剂和第二种反应剂,从而利用化学交换形成固态薄膜。根据本发明,由于该第一种反应剂和该第二种反应剂是致密化学吸附的并且通过清洗或抽气完全去除了杂质,故有可能制备膜密度高的精确化学计量薄膜。
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公开(公告)号:CN1222765A
公开(公告)日:1999-07-14
申请号:CN98115946.X
申请日:1998-07-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L28/40 , H01L21/02178 , H01L21/0228 , H01L21/02304 , H01L21/02337 , H01L21/3162
Abstract: 本发明提供一种使用含硅导电层作为存储节点的高电容的电容器及其形成方法。电容器包括存储节点、非晶Al2O3介质层和平板节点。此时,通过将反应汽相材料提供到存储节点上的方法,例如原子层淀积法形成非晶Al2O3层。此外,在形成非晶Al2O3层之前,对存储节点进行快速热氮化处理。形成平板节点后在约850℃下通过退火致密非晶Al2O3层,由此实现接近理论值30埃的氧化层的等效厚度。
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