公开(公告)号：CN104109846B

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：CN201410110733.0

申请日：2014-03-24

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 尾崎贵志 ,  堀田英树

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02211 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45527 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/32105 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法及衬底处理装置。本发明的课题在于形成膜厚均匀性优异的薄膜。通过如下手段解决本发明的课题：在对处于小于大气压的压力下的处理室内的加热后的衬底供给含氧气体和含氢气体而对衬底的表面进行前处理后，通过进行规定次数包含以下工序的循环而在进行了前处理的衬底上形成薄膜，所述循环包含对处理室内的衬底供给原料气体的工序、和对处理室内的衬底供给反应气体的工序。

公开(公告)号：CN107660307A

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201680028403.4

申请日：2016-06-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： P·曼纳 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/02 ,  C23C16/04

CPC classification number: H01L21/02164 ,  C23C16/02 ,  C23C16/045 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/033 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/76281 ,  H01L21/76283

Abstract: 本说明书所述的实施例一般提供一种用于填充形成在基板上的特征的方法。在一个实施例中，提供了一种用于在基板上选择性地形成氧化硅层的方法。该方法包括将氧化硅层选择性地沉积于在基板表面上形成的图案化特征中，其中该图案化特征可包括沉积表面以及一或多个侧壁，该一或多个侧壁可包含氧化硅或氮化硅材料。沉积表面可本质上由硅构成，且选择性沉积的氧化硅层可通过使四乙氧基硅烷(TEOS)和臭氧在该图案化特征上流动而形成，其中该氧化硅层选择性地沉积在基板的沉积表面上。

公开(公告)号：CN104620391B

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201380047299.X

申请日：2013-09-27

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 小野泽勇一

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L21/02351 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/263 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/167 ,  H01L29/32 ,  H01L29/36 ,  H01L29/365 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/868

Abstract: 通过多次质子注入，在n型漂移层(2)的内部，形成从基板背面起算的深度不同的多个n型缓冲层(5、6、7)。将从基板背面起算最深的n型缓冲层(5)的从基板背面起算的深度设为比15μm深。将质子注入后进行的用于施主化和恢复结晶缺陷的热处理的温度设为400℃以上。在n型缓冲层(5)的载流子浓度分布中，从载流子浓度的峰位置(5a)向阳极侧的宽度比向阴极侧的宽度宽。夹在于n型缓冲层(5、6、7)之间的区域(15、16)的载流子浓度是平坦的，为n型硅基板(1)的载流子浓度的1倍以上5倍以下。由此，能够实现耐压确保和发生损耗的降低，抑制开关动作时的电压、电流的振荡。另外，能够恢复结晶缺陷而减小漏电流，能够降低热击穿的风险。

公开(公告)号：CN107039267A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201611191831.7

申请日：2016-12-21

Applicant: SPTS科技有限公司

Inventor： 凯瑟琳·克鲁克 ,  斯蒂芬·R·伯吉斯 ,  安德鲁·普赖斯

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/02304 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/345 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02381 ,  H01L29/0649

Abstract: 根据本发明，提供了一种改善半导体衬底与介电层之间的粘附性的方法，包括以下步骤：通过第一等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺在所述半导体衬底上沉积二氧化硅粘附层；和通过第二PECVD工艺将所述介电层沉积到所述粘附层上；其中，在没有O2或者以250sccm或更低的流速将O2引入所述工艺的情况下，在包含原硅酸四乙酯(TEOS)的气体气氛中进行所述第一PECVD工艺。

公开(公告)号：CN106935682A

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201710103282.1

申请日：2017-02-24

Applicant: 东方日升(洛阳)新能源有限公司

Inventor： 梁光鸿 ,  林海峰

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L21/318

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/1804 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02315 ,  H01L31/02168

Abstract: 一种清除单晶硅电池片烧结后脏片的工艺，进舟、抽真空、升温、检漏、预沉积、沉积减反射膜、抽真空、充氮气、出舟；预沉积工序为：通入氨气和氮气，在氮气环境的保护作用下，使氨气在射频电源作用下被电离形成等离子体，通过调节射频电源的功率控制等离子体的数量，等离子体中高速运动的电子不断撞击硅片表面，使硅片表面生长上的臭氧层被等离子体轰击脱落；解决了常规产线上由于硅片表面的臭氧层过厚或者厚度不均匀导致烧结后出现批量性脏片的技术问题，在常规的PECVD工艺中增加预沉积工序，大大提高了产品的合格率，保证了公司利益不受到损失。

公开(公告)号：CN103548117B

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201280024572.2

申请日：2012-05-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 尤里·梅尔尼克 ,  陈璐 ,  湖尻英彦

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02304 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明公开以先进多重缓冲层技术生长高结晶质量III族氮化物外延层的方法。在实施例中，本发明的方法包括在氢化物气相外延处理系统的处理腔室中的合适衬底上形成含铝III族氮化物缓冲层。在缓冲层沉积期间，将卤化氢或卤素气体流入生长区内，以抑制均质颗粒形成。含铝低温缓冲物(如，AlN、AlGaN)及含铝高温缓冲物(如，AlN、AlGaN)的某些组合可用来改善后续生长的III族氮化物外延层的结晶质量及型态。可将缓冲物沉积于衬底上，或可将缓冲物沉积于另一个缓冲物的表面上。额外的缓冲层可被加入作为III族氮化物层(如，GaN、AlGaN、AlN)中的夹层。

公开(公告)号：CN102787356B

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201210150587.5

申请日：2012-05-15

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 渡边敏昭 ,  樱井英章 ,  曽山信幸 ,  土井利浩

IPC: H01L41/08 ,  H01L41/187 ,  H01L41/318 ,  H01L41/319 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L41/1876 ,  C30B1/023 ,  C30B29/16 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/28291 ,  H01L28/55 ,  H01L28/56 ,  H01L28/65 ,  H01L28/75 ,  H01L29/516 ,  H01L35/22 ,  H01L35/34 ,  H01L41/0815 ,  H01L41/318 ,  H01L41/319 ,  Y10T428/249921 ,  Y10T428/25 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/265

Abstract: 本发明提供一种不设置晶种层、缓冲层，就能够简便地得到晶体取向被择优控制为（110）面的铁电薄膜的铁电薄膜的制造方法。通过在具有晶面为（111）轴向取向的下部电极的基板的下部电极上涂布铁电薄膜形成用组合物，进行加热使其结晶，从而在下部电极上制造铁电薄膜，在该制造方法中，铁电薄膜包含晶体取向被择优控制为（110）面的取向控制层，将取向控制层的结晶后的层厚设在5nm～30nm的范围内来形成。

公开(公告)号：CN103474344B

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201310406951.4

申请日：2010-06-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 冈田充弘 ,  东条行雄

IPC: H01L21/314 ,  C23C16/44 ,  C23C16/26

CPC classification number: H01L21/3146 ,  C23C16/0209 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/26 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02312

Abstract: 本发明提供一种用于形成含有非晶碳膜的构造的分批处理方法，包括下述工序，即、一边对反应室内进行排气一边进行预备，该预备处理是指将上述反应室内的温度加热到800℃～950℃的预备处理温度，并且向上述反应室内供给从由氮气和氨气组成的气体组中选出的预备处理气体，从而去除基底层表面的水；然后，一边对上述反应室内进行排气一边进行主CVD处理，该主CVD处理是指将上述反应室内的温度加热到主处理温度，并且向上述反应室内供给碳化氢气体，从而在基底层上成膜非晶碳膜。

公开(公告)号：CN102347266B

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN201110216875.1

申请日：2011-07-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 渡边将久 ,  长谷部一秀

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/67167 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/32105 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/76227

Abstract: 本发明提供一种沟槽的填充方法和成膜系统。该填充方法和成膜系统用于对形成有沟槽、且至少在上述沟槽的侧壁上形成有氧化膜的半导体基板进行加热，并将氨基硅烷类气体供给到上述半导体基板的表面上而在上述半导体基板上形成晶种层，对形成有上述晶种层的半导体基板进行加热，并将单硅烷气体供给到上述晶种层的表面上而在上述晶种层上形成硅膜，使用经烧制会收缩的填充材料对形成有上述硅膜的半导体基板的上述沟槽进行填充，在含有水及/或羟基的气氛中对涂覆有用于填充上述沟槽的上述填充材料的上述半导体基板进行烧制，并使上述填充材料变化成硅氧化物、使上述硅膜以及上述晶种层分别变化成硅氧化物。

公开(公告)号：CN102113120B

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN200980130189.3

申请日：2009-07-30

Applicant: 普林斯顿大学理事会

Inventor： 韩琳 ,  P·曼德利克 ,  S·瓦格纳

IPC: H01L29/49 ,  H01L21/336 ,  H01L21/316 ,  C23C16/40

CPC classification number: H01L29/4908 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/31633 ,  H01L29/66765

Abstract: 薄膜晶体管是使用一种有机硅酸盐玻璃(OSG)作为一种绝缘材料来制造的。这些有机硅硅酸盐玻璃可以是通过等离子体增强化学气相沉积法从硅氧烷和氧气沉积的SiO2-有机硅杂化材料。这些杂化材料可以用作栅极电介质，作为一种底层，和/或作为一种反向通道钝化层。这些晶体管可以按任何TFT几何构型来制造。