公开(公告)号：CN114898790A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202210609658.7

申请日：2017-01-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白尚叶 ,  金兑衡 ,  文大英 ,  徐东旭 ,  李仁学 ,  崔贤洙 ,  宋泰中 ,  崔在承 ,  姜贞明 ,  金训 ,  柳志秀 ,  张善泳

IPC: G11C11/418 ,  G11C11/413 ,  G11C7/08 ,  G11C11/419 ,  H01L23/528 ,  H01L27/02 ,  H01L27/092 ,  H01L27/11

Abstract: 一种半导体设备，包括：基底，其包括沿第一方向延伸的第一有源区域和第二有源区域，第一有源区域和第二有源区域沿垂直于第一方向的第二方向布置；第一栅电极，其在第一有源区域和第二有源区域上沿第二方向延伸；第二栅电极，其在第一有源区域上沿第二方向延伸；第三栅电极，其在第二有源区域上沿第二方向延伸；第一源极区域和第一漏极区域，其位于第一有源区域上，并且位于第一栅电极的两侧；第二源极区域和第二漏极区域，其位于第一有源区域上，并且位于第二栅电极的两侧；第三源极区域和第三漏极区域，其位于第二有源区域上，并且位于第一栅电极的两侧；第四源极区域和第四漏极区域，其位于第二有源区域上，并且位于第三栅电极的两侧；第一导线，其电性连接到第一栅电极；第二导线，其电性连接到第二栅电极、第一源极区域和第二源极区域；第三导线，其电性连接到第三栅电极、第三源极区域和第四源极区域；和第四导线，其电性连接到第一漏极区域、第二漏极区域、第三漏极区域和第四漏极区域，其中，第一电压被提供给第二导线，以及其中，第二电压被提供给第三导线。

公开(公告)号：CN107039070A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201710061158.3

申请日：2017-01-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白尚叶 ,  金兑衡 ,  文大英 ,  徐东旭 ,  李仁学 ,  崔贤洙 ,  宋泰中 ,  崔在承 ,  姜贞明 ,  金训 ,  柳志秀 ,  张善泳

IPC: G11C11/418 ,  G11C11/419 ,  H01L27/02

CPC classification number: G11C11/419 ,  G11C7/08 ,  H01L23/5286 ,  H01L27/092 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/1116 ,  H01L28/00 ,  G11C11/418 ,  H01L27/0207

Abstract: 一种半导体器件包括有源区域，所述有源区域在第一方向上延伸；第一晶体管，所述第一晶体管包括布置在所述有源区域上的第一栅电极和第一源极和漏极区域，所述第一源极和漏极区域布置在所述第一栅电极的相对侧处；第二晶体管，所述第二晶体管包括布置在所述有源区域上的第二栅电极和第二源极和漏极区域，所述第二源极和漏极区域布置在所述第二栅电极的相对侧处；以及第三晶体管，所述第三晶体管包括布置在所述有源区域上的第三栅电极和第三源极和漏极区域，所述第三源极和漏极区域布置在所述第三栅电极的相对侧处，并且所述第一栅电极、所述第二栅电极和所述第三栅电极在不同于所述第一方向的第二方向上延伸。所述第二晶体管被配置成基于所述半导体器件的操作模式而接通和断开。