-
公开(公告)号：CN107039070B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN201710061158.3
申请日：2017-01-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/418 , G11C11/419 , H01L27/02
Abstract: 一种半导体器件包括有源区域，所述有源区域在第一方向上延伸；第一晶体管，所述第一晶体管包括布置在所述有源区域上的第一栅电极和第一源极和漏极区域，所述第一源极和漏极区域布置在所述第一栅电极的相对侧处；第二晶体管，所述第二晶体管包括布置在所述有源区域上的第二栅电极和第二源极和漏极区域，所述第二源极和漏极区域布置在所述第二栅电极的相对侧处；以及第三晶体管，所述第三晶体管包括布置在所述有源区域上的第三栅电极和第三源极和漏极区域，所述第三源极和漏极区域布置在所述第三栅电极的相对侧处，并且所述第一栅电极、所述第二栅电极和所述第三栅电极在不同于所述第一方向的第二方向上延伸。所述第二晶体管被配置成基于所述半导体器件的操作模式而接通和断开。
-
公开(公告)号：CN114898791B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202210610664.4
申请日：2017-01-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/418 , G11C11/413 , G11C7/08 , G11C11/419 , H01L23/528 , H01L27/02 , H01L27/092 , H10B10/00
Abstract: 一种半导体设备，包括：第一有源区域和第二有源区域，其沿第一方向延伸，所述第一有源区域和第二有源区域被设置在基底中；第一栅电极，其沿垂直于第一方向的第二方向延伸，其中，所述第一栅电极在第一有源区域和第二有源区域上连续延伸；第二栅电极，其在第一有源区域上沿第二方向延伸；第三栅电极，其在第一有源区域和第二有源区域上沿第二方向延伸；第一触点，其被设置在第一栅电极的第一侧处的第一有源区域上；第二触点，其被设置在第二栅电极的第二侧处的第一有源区域上；第三触点，其被设置在第一栅电极上；第四触点，其被设置在第二栅电极上；第一导线，其经由第三触点连接到第一栅电极；和第二导线，其与第一触点的部分、第二触点的部分和第四触点的部分重叠，其中，第一电压被提供给第二导线，其中，第二导线的至少一部分沿第一方向延伸，以及第二导线的至少一部分在平面图上与第二栅电极相交。
-
公开(公告)号：CN117423698A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311388943.1
申请日：2018-04-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L23/528 , H01L27/02
Abstract: 本发明提供一种集成电路，其包含：多个导电线，其在与栅极线分离的平面上在第一水平方向上延伸，且包含第一导电线和第二导电线；源极/漏极接触件，其具有连接到源极/漏极区域的底部表面，且包含在竖直方向上彼此连接的下部源极/漏极接触件和上部源极/漏极接触件；以及栅极接触件，其具有连接到栅极线的底部表面且在竖直方向上延伸，其中上部源极/漏极接触件放置在第一导电线下方，且栅极接触件放置在第二导电线下方。下部源极/漏极接触件的顶部表面可以大于上部源极/漏极接触件的底部表面。
-
公开(公告)号：CN105977252B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201610112520.0
申请日：2016-02-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02
Abstract: 提供了半导体装置，所述半导体装置包括：基底；第一晶体管，由第一输入信号的反向的电压电平门控以上拉第一节点；第二晶体管，由第二输入信号的电压电平门控以下拉第一节点；第三晶体管，由第二输入信号的反向的电压电平门控以上拉第一节点；第四晶体管，由第一输入信号的电压电平门控以下拉第一节点；第五晶体管，由第二输入信号的电压电平门控以下拉第二节点；第六晶体管，由第一输入信号的反向的电压电平门控以上拉第二节点；第七晶体管，由第一输入信号的电压电平门控以下拉第二节点；以及第八晶体管，由第二输入信号的反向的电压电平门控以上拉第二节点。
-
公开(公告)号：CN117135900A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310609486.8
申请日：2023-05-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B10/00
Abstract: 公开了一种集成电路。所述集成电路包括静态随机存取存储器(SRAM)装置。SRAM装置包括SRAM单位单元，SRAM单位单元包括第一输出节点和第二输出节点，第一上拉晶体管、第一下拉晶体管和第二下拉晶体管共同连接到第一输出节点，第二上拉晶体管、第三下拉晶体管和第四下拉晶体管共同连接到第二输出节点。第一输出节点连接到第一栅电极、第二栅电极、第一连接布线、第一节点形成图案和第一有源接触件，并且第一输出节点、第一栅电极、第二栅电极、第一连接布线、第一节点形成图案和第一有源接触件的布局形成第一分叉形状。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109493896B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN201810929992.4
申请日：2018-08-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C8/08 , G11C8/14 , G11C11/418
Abstract: 本发明提供了包括辅助电路的电压控制电路和包括所述电压控制电路的存储器装置。所述存储器装置包括：易失性存储器单元阵列，其连接到多个字线并且包括存储器单元，所述存储器单元包括至少一个晶体管；以及辅助电路，其连接到所述多个字线中的至少一个并调整所述多个字线中的每个的驱动电压电平，其中，所述辅助电路包括二极管NMOS晶体管，所述NMOS晶体管具有彼此连接的栅极和漏极。
-
公开(公告)号：CN108695319A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810315561.9
申请日：2018-04-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L23/528 , H01L27/02
CPC classification number: H01L23/528 , H01L21/823475 , H01L21/823871 , H01L23/5226 , H01L27/0207 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L27/11807 , H01L29/41775 , H01L29/45 , H01L29/78 , H01L2027/11875 , H01L23/5283
Abstract: 本发明提供一种集成电路，其包含：多个导电线，其在与栅极线分离的平面上在第一水平方向上延伸，且包含第一导电线和第二导电线；源极/漏极接触件，其具有连接到源极/漏极区域的底部表面，且包含在竖直方向上彼此连接的下部源极/漏极接触件和上部源极/漏极接触件；以及栅极接触件，其具有连接到栅极线的底部表面且在竖直方向上延伸，其中上部源极/漏极接触件放置在第一导电线下方，且栅极接触件放置在第二导电线下方。下部源极/漏极接触件的顶部表面可以大于上部源极/漏极接触件的底部表面。
-
公开(公告)号：CN108695319B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN201810315561.9
申请日：2018-04-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L23/528 , H01L27/02
Abstract: 本发明提供一种集成电路，其包含：多个导电线，其在与栅极线分离的平面上在第一水平方向上延伸，且包含第一导电线和第二导电线；源极/漏极接触件，其具有连接到源极/漏极区域的底部表面，且包含在竖直方向上彼此连接的下部源极/漏极接触件和上部源极/漏极接触件；以及栅极接触件，其具有连接到栅极线的底部表面且在竖直方向上延伸，其中上部源极/漏极接触件放置在第一导电线下方，且栅极接触件放置在第二导电线下方。下部源极/漏极接触件的顶部表面可以大于上部源极/漏极接触件的底部表面。
-
公开(公告)号：CN114898791A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210610664.4
申请日：2017-01-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/418 , G11C11/413 , G11C7/08 , G11C11/419 , H01L23/528 , H01L27/02 , H01L27/092 , H01L27/11
Abstract: 一种半导体设备，包括：第一有源区域和第二有源区域，其沿第一方向延伸，所述第一有源区域和第二有源区域被设置在基底中；第一栅电极，其沿垂直于第一方向的第二方向延伸，其中，所述第一栅电极在第一有源区域和第二有源区域上连续延伸；第二栅电极，其在第一有源区域上沿第二方向延伸；第三栅电极，其在第一有源区域和第二有源区域上沿第二方向延伸；第一触点，其被设置在第一栅电极的第一侧处的第一有源区域上；第二触点，其被设置在第二栅电极的第二侧处的第一有源区域上；第三触点，其被设置在第一栅电极上；第四触点，其被设置在第二栅电极上；第一导线，其经由第三触点连接到第一栅电极；和第二导线，其与第一触点的部分、第二触点的部分和第四触点的部分重叠，其中，第一电压被提供给第二导线，其中，第二导线的至少一部分沿第一方向延伸，以及第二导线的至少一部分在平面图上与第二栅电极相交。
-
公开(公告)号：CN114898790A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210609658.7
申请日：2017-01-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/418 , G11C11/413 , G11C7/08 , G11C11/419 , H01L23/528 , H01L27/02 , H01L27/092 , H01L27/11
Abstract: 一种半导体设备，包括：基底，其包括沿第一方向延伸的第一有源区域和第二有源区域，第一有源区域和第二有源区域沿垂直于第一方向的第二方向布置；第一栅电极，其在第一有源区域和第二有源区域上沿第二方向延伸；第二栅电极，其在第一有源区域上沿第二方向延伸；第三栅电极，其在第二有源区域上沿第二方向延伸；第一源极区域和第一漏极区域，其位于第一有源区域上，并且位于第一栅电极的两侧；第二源极区域和第二漏极区域，其位于第一有源区域上，并且位于第二栅电极的两侧；第三源极区域和第三漏极区域，其位于第二有源区域上，并且位于第一栅电极的两侧；第四源极区域和第四漏极区域，其位于第二有源区域上，并且位于第三栅电极的两侧；第一导线，其电性连接到第一栅电极；第二导线，其电性连接到第二栅电极、第一源极区域和第二源极区域；第三导线，其电性连接到第三栅电极、第三源极区域和第四源极区域；和第四导线，其电性连接到第一漏极区域、第二漏极区域、第三漏极区域和第四漏极区域，其中，第一电压被提供给第二导线，以及其中，第二电压被提供给第三导线。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
15
records
(took 0.023 seconds)
