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公开(公告)号：CN114898791B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202210610664.4
申请日：2017-01-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/418 , G11C11/413 , G11C7/08 , G11C11/419 , H01L23/528 , H01L27/02 , H01L27/092 , H10B10/00
Abstract: 一种半导体设备，包括：第一有源区域和第二有源区域，其沿第一方向延伸，所述第一有源区域和第二有源区域被设置在基底中；第一栅电极，其沿垂直于第一方向的第二方向延伸，其中，所述第一栅电极在第一有源区域和第二有源区域上连续延伸；第二栅电极，其在第一有源区域上沿第二方向延伸；第三栅电极，其在第一有源区域和第二有源区域上沿第二方向延伸；第一触点，其被设置在第一栅电极的第一侧处的第一有源区域上；第二触点，其被设置在第二栅电极的第二侧处的第一有源区域上；第三触点，其被设置在第一栅电极上；第四触点，其被设置在第二栅电极上；第一导线，其经由第三触点连接到第一栅电极；和第二导线，其与第一触点的部分、第二触点的部分和第四触点的部分重叠，其中，第一电压被提供给第二导线，其中，第二导线的至少一部分沿第一方向延伸，以及第二导线的至少一部分在平面图上与第二栅电极相交。
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公开(公告)号：CN119832952A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411424738.0
申请日：2024-10-12
Applicant: 三星电子株式会社 , 延世大学校产学协力团
Abstract: 公开了一种存储器单元阵列的单位单元电路，该单位单元电路具有子单元阵列和辅助电路，子单元阵列包括多个存储器单元，每个存储器单元连接到电源线，辅助电路通过电源线连接到子单元阵列，辅助电路基于控制信号在待机模式期间用电源电压对电源线预充电，并且在启动写入操作时阻塞电源线。
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公开(公告)号：CN116417042A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202211449532.4
申请日：2022-11-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/419 , G11C11/408 , G11C11/4094 , G11C11/4097
Abstract: 一种存储器件包括：位单元阵列，所述位单元阵列包括与被供应单元电源电压的第一辅助线路连接的多个位单元；写入驱动器，所述写入驱动器被配置为在写入操作期间向在所述位单元阵列的列方向上延伸的位线施加与写入数据相对应的位线电压；以及写入辅助电路，所述写入辅助电路与所述第一辅助线路和与所述第一辅助线路平行地延伸的第二辅助线路连接，并且被配置为在写入操作期间降低与所述写入驱动器间隔开的第一位单元的单元电源电压，其中，通过所述第二辅助线路向所述第一辅助线路供应所述单元电源电压，并且通过所述第一辅助线路向所述第一位单元和与所述写入驱动器相邻的第二位单元顺序地感应所述单元电源电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107039070B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN201710061158.3
申请日：2017-01-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/418 , G11C11/419 , H01L27/02
Abstract: 一种半导体器件包括有源区域，所述有源区域在第一方向上延伸；第一晶体管，所述第一晶体管包括布置在所述有源区域上的第一栅电极和第一源极和漏极区域，所述第一源极和漏极区域布置在所述第一栅电极的相对侧处；第二晶体管，所述第二晶体管包括布置在所述有源区域上的第二栅电极和第二源极和漏极区域，所述第二源极和漏极区域布置在所述第二栅电极的相对侧处；以及第三晶体管，所述第三晶体管包括布置在所述有源区域上的第三栅电极和第三源极和漏极区域，所述第三源极和漏极区域布置在所述第三栅电极的相对侧处，并且所述第一栅电极、所述第二栅电极和所述第三栅电极在不同于所述第一方向的第二方向上延伸。所述第二晶体管被配置成基于所述半导体器件的操作模式而接通和断开。
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公开(公告)号：CN119107998A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202410181040.4
申请日：2024-02-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了嵌入式存储器装置和具有嵌入式存储器装置的集成电路。所述嵌入式存储器装置包括：保持电压供应电路，响应于保持激活信号而输出保持电压；以及多个阵列电压供应电路，将相应的阵列电压输出到相应的位单元。所述多个阵列电压供应电路各自包括：阵列开关，响应于保持激活信号而提供保持电压作为相应的阵列电压；电源开关，响应于电源栅极激活信号而提供电源电压作为所述相应的阵列电压；以及辅助电路，在写入操作或读取操作期间补偿所述相应的阵列电压。
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公开(公告)号：CN114898791A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210610664.4
申请日：2017-01-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/418 , G11C11/413 , G11C7/08 , G11C11/419 , H01L23/528 , H01L27/02 , H01L27/092 , H01L27/11
Abstract: 一种半导体设备，包括：第一有源区域和第二有源区域，其沿第一方向延伸，所述第一有源区域和第二有源区域被设置在基底中；第一栅电极，其沿垂直于第一方向的第二方向延伸，其中，所述第一栅电极在第一有源区域和第二有源区域上连续延伸；第二栅电极，其在第一有源区域上沿第二方向延伸；第三栅电极，其在第一有源区域和第二有源区域上沿第二方向延伸；第一触点，其被设置在第一栅电极的第一侧处的第一有源区域上；第二触点，其被设置在第二栅电极的第二侧处的第一有源区域上；第三触点，其被设置在第一栅电极上；第四触点，其被设置在第二栅电极上；第一导线，其经由第三触点连接到第一栅电极；和第二导线，其与第一触点的部分、第二触点的部分和第四触点的部分重叠，其中，第一电压被提供给第二导线，其中，第二导线的至少一部分沿第一方向延伸，以及第二导线的至少一部分在平面图上与第二栅电极相交。
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公开(公告)号：CN114898790A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210609658.7
申请日：2017-01-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/418 , G11C11/413 , G11C7/08 , G11C11/419 , H01L23/528 , H01L27/02 , H01L27/092 , H01L27/11
Abstract: 一种半导体设备，包括：基底，其包括沿第一方向延伸的第一有源区域和第二有源区域，第一有源区域和第二有源区域沿垂直于第一方向的第二方向布置；第一栅电极，其在第一有源区域和第二有源区域上沿第二方向延伸；第二栅电极，其在第一有源区域上沿第二方向延伸；第三栅电极，其在第二有源区域上沿第二方向延伸；第一源极区域和第一漏极区域，其位于第一有源区域上，并且位于第一栅电极的两侧；第二源极区域和第二漏极区域，其位于第一有源区域上，并且位于第二栅电极的两侧；第三源极区域和第三漏极区域，其位于第二有源区域上，并且位于第一栅电极的两侧；第四源极区域和第四漏极区域，其位于第二有源区域上，并且位于第三栅电极的两侧；第一导线，其电性连接到第一栅电极；第二导线，其电性连接到第二栅电极、第一源极区域和第二源极区域；第三导线，其电性连接到第三栅电极、第三源极区域和第四源极区域；和第四导线，其电性连接到第一漏极区域、第二漏极区域、第三漏极区域和第四漏极区域，其中，第一电压被提供给第二导线，以及其中，第二电压被提供给第三导线。
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公开(公告)号：CN107039070A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710061158.3
申请日：2017-01-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/418 , G11C11/419 , H01L27/02
CPC classification number: G11C11/419 , G11C7/08 , H01L23/5286 , H01L27/092 , H01L27/1104 , H01L27/1116 , H01L28/00 , G11C11/418 , H01L27/0207
Abstract: 一种半导体器件包括有源区域，所述有源区域在第一方向上延伸；第一晶体管，所述第一晶体管包括布置在所述有源区域上的第一栅电极和第一源极和漏极区域，所述第一源极和漏极区域布置在所述第一栅电极的相对侧处；第二晶体管，所述第二晶体管包括布置在所述有源区域上的第二栅电极和第二源极和漏极区域，所述第二源极和漏极区域布置在所述第二栅电极的相对侧处；以及第三晶体管，所述第三晶体管包括布置在所述有源区域上的第三栅电极和第三源极和漏极区域，所述第三源极和漏极区域布置在所述第三栅电极的相对侧处，并且所述第一栅电极、所述第二栅电极和所述第三栅电极在不同于所述第一方向的第二方向上延伸。所述第二晶体管被配置成基于所述半导体器件的操作模式而接通和断开。
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