公开(公告)号：CN110364562A

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201910125807.0

申请日：2019-02-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑在烨 ,  金一龙 ,  金柱然 ,  金辰昱 ,  吕京奂 ,  郑镛琦

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L27/088

Abstract: 一种集成电路器件包括：多个鳍型有源区从其突出的基板，所述多个鳍型有源区在第一方向上彼此平行地延伸；以及多个栅极结构和多个鳍隔离绝缘部分，在交叉第一方向的第二方向上在基板上延伸并且在第一方向具有恒定的节距，其中所述多个鳍隔离绝缘部分当中的一对鳍隔离绝缘部分在所述多个栅极结构当中的一对栅极结构之间，所述多个鳍型有源区包括多个第一鳍型区和多个第二鳍型区。

公开(公告)号：CN105938832B

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN201610122110.4

申请日：2016-03-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑在烨

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/11

Abstract: 本发明提供了一种集成电路器件。所述集成电路器件包括衬底，其具有从衬底突出的第一鳍形场效应晶体管体和第二鳍形场效应晶体管体。第一鳍形场效应晶体管体和第二鳍形场效应晶体管体分别在集成电路器件的第一区和第二区中具有各自不同的第一形状和第二形状。

公开(公告)号：CN110364528A

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201910022405.8

申请日：2019-01-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李敏成 ,  金柱然 ,  尹智勋 ,  金一龙 ,  吕京奂 ,  郑在烨

IPC: H01L27/092

Abstract: 本公开提供了集成电路器件。一种集成电路器件包括：第一鳍分离绝缘部分，在基板的第一器件区域之上；一对第一鳍型有源区，彼此间隔开而使第一鳍分离绝缘部分在其间，并在第一水平方向上共线地延伸；第一虚设栅极结构，与第一鳍分离绝缘部分垂直地重叠；第二鳍分离绝缘部分，与第一鳍分离绝缘部分间隔开并布置在基板的第二器件区域之上；以及多个第二鳍型有源区，在第二器件区域中彼此间隔开而使第二鳍分离绝缘部分在其间，并在第一水平方向上共线地延伸，其中第二鳍分离绝缘部分的最下表面的垂直高度等于或低于第一鳍分离绝缘部分的最下表面的垂直高度。

公开(公告)号：CN110364527A

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201910103246.4

申请日：2019-02-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李敏成 ,  金一龙 ,  吕京奂 ,  郑在烨

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种集成电路器件包括：衬底，包括第一器件区和第二器件区；在第一器件区上的第一鳍状物分隔绝缘部分；成对的第一鳍型有源区，在第一器件区中彼此隔开且其间具有第一鳍状物分隔绝缘部分，并沿第一水平方向共线地延伸；第二鳍状物分隔绝缘部分，在第一器件区和第二器件区上沿第二水平方向延伸；以及成对的第二鳍型有源区，彼此隔开且其间具有第二鳍状物分隔绝缘部分，并沿第一水平方向共线地延伸，其中第一鳍状物分隔绝缘部分和第二鳍状物分隔绝缘部分彼此竖直地重叠。

公开(公告)号：CN105914206B

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201610098348.8

申请日：2016-02-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑在烨 ,  李润锡 ,  金炫助 ,  李化成 ,  郑熙暾 ,  朴世玩 ,  郑宝哲

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823481 ,  H01L21/8232 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/10879 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0843 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/785

Abstract: 本公开提供了集成电路器件及其制造方法。集成电路器件包括：具有不同导电类型的沟道区的第一和第二鳍型有源区；第一器件隔离层，覆盖第一鳍型有源区的两个侧壁；第二器件隔离层，覆盖第二鳍型有源区的两个侧壁。第一器件隔离层和第二器件隔离层具有不同的堆叠结构。为了制造该集成电路器件，覆盖第一鳍型有源区的两个侧壁的第一器件隔离层和覆盖第二鳍型有源区的两个侧壁的第二器件隔离层在形成第一鳍型有源区和第二鳍型有源区之后形成。第一器件隔离层和第二器件隔离层形成为具有不同的堆叠结构。

公开(公告)号：CN107134469A

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201710126385.X

申请日：2017-02-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑在烨 ,  林完泰 ,  朴永洙 ,  金定燮 ,  李振燮 ,  H·柳 ,  卢慧锡

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/60 ,  H01L33/48

CPC classification number: H01L25/0753 ,  H01L33/50 ,  H01L33/504 ,  H01L33/60 ,  H01L27/156 ,  H01L33/48

Abstract: 本发明公开了一种发光二极管装置和发光设备。所述发光二极管装置构造为提供多颜色显示，该发光二极管装置包括至少部分地被划分层限定的多个发光单元。该发光二极管装置可构造为减小发光单元之间的光学干扰。该发光二极管装置包括：彼此间隔开的多个发光结构；位于发光结构各自的第一表面上的多个电极层；构造为将发光结构彼此电绝缘的分隔层；位于发光结构各自的第二表面上并且与不同颜色相关联的荧光体层；以及位于荧光体层之间以将荧光体层彼此分离的划分层。每个发光单元可包括单独的发光结构、单独一组一个或多个电极以及单独的荧光体层。

公开(公告)号：CN106024715A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610177408.5

申请日：2016-03-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑在烨 ,  尹钟植 ,  李化成 ,  郑熙暾 ,  柳齐民 ,  车圭晚 ,  尹钟密 ,  金炫助

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L27/11 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/8244

Abstract: 本发明提供了一种集成电路器件，其包括形成在衬底中的鳍式有源区、鳍式有源区的至少一个侧壁上的台阶绝缘层和鳍式有源区的所述至少一个侧壁上的第一高水平隔离层。鳍式有源区从衬底突出并且沿着平行于衬底的主表面的第一方向延伸，所述鳍式有源区包括具有第一导电类型的沟道区，并且包括台阶部分。台阶绝缘层接触鳍式有源区的台阶部分。台阶绝缘层位于第一高水平隔离层与鳍式有源区的所述至少一个侧壁之间。第一高水平隔离层沿着与第一方向不同的第二方向延伸。

公开(公告)号：CN105938833A

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201610121354.0

申请日：2016-03-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑在烨

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7854 ,  H01L27/0924

Abstract: 一种集成电路器件可以包括具有第一区和第二区的衬底以及彼此相邻并在直线方向上延伸的一对第一鳍形有源区，每个第一鳍形有源区具有在第一方向上从第一区突出的第一形状。鳍分隔绝缘膜可在第一区中位于所述一对第一鳍形有源区之间，并且第二鳍形有源区可以在第一方向上从第二区突出并具有与第一形状不同的第二形状，其中，所述一对第一鳍形有源区中的每一个的各个宽度小于第二鳍形有源区的相应宽度。