公开(公告)号：CN110838447B

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN201910757368.5

申请日：2019-08-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳齐民 ,  权相德 ,  益冈有里

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 提供了具有各种线宽的半导体器件以及制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括：衬底，包括第一区域和第二区域；多条第一栅极线，在第一区域中在第一方向上延伸，并且每条第一栅极线在第二方向上具有第二宽度；多条第二栅极线，在第二区域中在第一方向上延伸，并且每条第二栅极线在第二方向上具有与第一宽度不同的第二宽度，该多条第二栅极线在第二方向上具有与多条第一栅极线在第二方向上的节距相同的节距；间隔物层，覆盖所述多条第一栅极线中的每条和所述多条第二栅极线中的每条的相反侧壁；以及第一基层，布置在第一区域中的衬底和间隔物层之间。

公开(公告)号：CN108336025B

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN201810043583.4

申请日：2018-01-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 闵宣基 ,  金松伊 ,  柳庚玟 ,  柳齐民

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

公开(公告)号：CN110838447A

公开(公告)日：2020-02-25

申请号：CN201910757368.5

申请日：2019-08-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳齐民 ,  权相德 ,  益冈有里

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 提供了具有各种线宽的半导体器件以及制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括：衬底，包括第一区域和第二区域；多条第一栅极线，在第一区域中在第一方向上延伸，并且每条第一栅极线在第二方向上具有第二宽度；多条第二栅极线，在第二区域中在第一方向上延伸，并且每条第二栅极线在第二方向上具有与第一宽度不同的第二宽度，该多条第二栅极线在第二方向上具有与多条第一栅极线在第二方向上的节距相同的节距；间隔物层，覆盖所述多条第一栅极线中的每条和所述多条第二栅极线中的每条的相反侧壁；以及第一基层，布置在第一区域中的衬底和间隔物层之间。

公开(公告)号：CN106024715A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610177408.5

申请日：2016-03-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑在烨 ,  尹钟植 ,  李化成 ,  郑熙暾 ,  柳齐民 ,  车圭晚 ,  尹钟密 ,  金炫助

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L27/11 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/8244

Abstract: 本发明提供了一种集成电路器件，其包括形成在衬底中的鳍式有源区、鳍式有源区的至少一个侧壁上的台阶绝缘层和鳍式有源区的所述至少一个侧壁上的第一高水平隔离层。鳍式有源区从衬底突出并且沿着平行于衬底的主表面的第一方向延伸，所述鳍式有源区包括具有第一导电类型的沟道区，并且包括台阶部分。台阶绝缘层接触鳍式有源区的台阶部分。台阶绝缘层位于第一高水平隔离层与鳍式有源区的所述至少一个侧壁之间。第一高水平隔离层沿着与第一方向不同的第二方向延伸。

公开(公告)号：CN106024715B

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN201610177408.5

申请日：2016-03-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑在烨 ,  尹钟植 ,  李化成 ,  郑熙暾 ,  柳齐民 ,  车圭晚 ,  尹钟密 ,  金炫助

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L27/11 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/8244

Abstract: 本发明提供了一种集成电路器件，其包括形成在衬底中的鳍式有源区、鳍式有源区的至少一个侧壁上的台阶绝缘层和鳍式有源区的所述至少一个侧壁上的第一高水平隔离层。鳍式有源区从衬底突出并且沿着平行于衬底的主表面的第一方向延伸，所述鳍式有源区包括具有第一导电类型的沟道区，并且包括台阶部分。台阶绝缘层接触鳍式有源区的台阶部分。台阶绝缘层位于第一高水平隔离层与鳍式有源区的所述至少一个侧壁之间。第一高水平隔离层沿着与第一方向不同的第二方向延伸。

公开(公告)号：CN108336025A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201810043583.4

申请日：2018-01-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 闵宣基 ,  金松伊 ,  柳庚玟 ,  柳齐民

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/78696

Abstract: 本申请提供一种半导体装置。该半导体装置包括：衬底，其具有第一有源图案和第二有源图案，第一有源图案包括将其上部分为第一部分和第二部分的第一凹陷区，第二有源图案包括将其上部分为第一部分和第二部分的第二凹陷区；第一绝缘图案，其覆盖第一凹陷区的内侧壁；以及第二绝缘图案，其覆盖第二凹陷区的内侧壁。第一绝缘图案和第二绝缘图案包括相同的绝缘材料，并且第一绝缘图案相对于第一凹陷区的容积的体积分数小于第二绝缘图案相对于第二凹陷区的容积的体积分数。