集成电路器件
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110391286B

    公开(公告)日:2024-01-23

    申请号:CN201910007087.8

    申请日:2019-01-04

    Abstract: 本发明提供一种集成电路器件,该集成电路器件包括:基板,具有第一区域和第二区域;第一鳍隔离绝缘部分,在第一区域和第二区域的每个中,并在第一方向上具有第一宽度;在第一区域和第二区域的每个中的一对鳍型有源区,在第一鳍隔离绝缘部分在其间的情况下彼此间隔开,并在第一方向上以直线延伸;在第一区域和第二区域的每个中的一对第二鳍隔离绝缘部分,分别接触第一鳍隔离绝缘部分的两个侧壁,所述两个侧壁面对第一方向上的相反侧;以及多个栅极结构,在第二方向上延伸并包括多个虚设栅极结构。

    集成电路器件
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110364527B

    公开(公告)日:2023-10-03

    申请号:CN201910103246.4

    申请日:2019-02-01

    Abstract: 一种集成电路器件包括:衬底,包括第一器件区和第二器件区;在第一器件区上的第一鳍状物分隔绝缘部分;成对的第一鳍型有源区,在第一器件区中彼此隔开且其间具有第一鳍状物分隔绝缘部分,并沿第一水平方向共线地延伸;第二鳍状物分隔绝缘部分,在第一器件区和第二器件区上沿第二水平方向延伸;以及成对的第二鳍型有源区,彼此隔开且其间具有第二鳍状物分隔绝缘部分,并沿第一水平方向共线地延伸,其中第一鳍状物分隔绝缘部分和第二鳍状物分隔绝缘部分彼此竖直地重叠。

    集成电路器件
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110364528B

    公开(公告)日:2023-07-04

    申请号:CN201910022405.8

    申请日:2019-01-10

    Abstract: 本公开提供了集成电路器件。一种集成电路器件包括:第一鳍分离绝缘部分,在基板的第一器件区域之上;一对第一鳍型有源区,彼此间隔开而使第一鳍分离绝缘部分在其间,并在第一水平方向上共线地延伸;第一虚设栅极结构,与第一鳍分离绝缘部分垂直地重叠;第二鳍分离绝缘部分,与第一鳍分离绝缘部分间隔开并布置在基板的第二器件区域之上;以及多个第二鳍型有源区,在第二器件区域中彼此间隔开而使第二鳍分离绝缘部分在其间,并在第一水平方向上共线地延伸,其中第二鳍分离绝缘部分的最下表面的垂直高度等于或低于第一鳍分离绝缘部分的最下表面的垂直高度。

    集成电路器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN106024785B

    公开(公告)日:2021-11-12

    申请号:CN201610177256.9

    申请日:2016-03-25

    Inventor: 郑在烨

    Abstract: 本发明提供了一种集成电路器件,该集成电路器件包括:衬底;第一鳍式有源区域和第二鳍式有源区域,它们在衬底上在第一方向上延伸;衬底上的第一栅线和第二栅线,它们在与第一方向交叉的第二方向上延伸;以及第一接触结构和第二接触结构。第一栅线和第二栅线分别与第一鳍式有源区域和第二鳍式有源区域交叉。第一接触结构位于第一栅线一侧的第一鳍式有源区域上并且接触第一栅线。第二接触结构位于第二栅线一侧的第二鳍式有源区域上。第一接触结构包括包含金属硅化物的第一下接触部分以及第一下接触部分上的第一上接触部分。第二接触结构包括包含金属硅化物的第二下接触部分以及第二下接触部分上的第二上接触部分。

    包括具有不同形状的鳍式有源区集成电路器件

    公开(公告)号:CN105938833B

    公开(公告)日:2021-06-29

    申请号:CN201610121354.0

    申请日:2016-03-03

    Inventor: 郑在烨

    Abstract: 一种集成电路器件可以包括具有第一区和第二区的衬底以及彼此相邻并在直线方向上延伸的一对第一鳍形有源区,每个第一鳍形有源区具有在第一方向上从第一区突出的第一形状。鳍分隔绝缘膜可在第一区中位于所述一对第一鳍形有源区之间,并且第二鳍形有源区可以在第一方向上从第二区突出并具有与第一形状不同的第二形状,其中,所述一对第一鳍形有源区中的每一个的各个宽度小于第二鳍形有源区的相应宽度。

    发光二极管装置和发光设备
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112768485A

    公开(公告)日:2021-05-07

    申请号:CN202110191729.1

    申请日:2017-02-27

    Abstract: 本发明公开了一种发光二极管装置和发光设备。所述发光二极管装置构造为提供多颜色显示,该发光二极管装置包括至少部分地被划分层限定的多个发光单元。该发光二极管装置可构造为减小发光单元之间的光学干扰。该发光二极管装置包括:彼此间隔开的多个发光结构;位于发光结构各自的第一表面上的多个电极层;构造为将发光结构彼此电绝缘的分隔层;位于发光结构各自的第二表面上并且与不同颜色相关联的荧光体层;以及位于荧光体层之间以将荧光体层彼此分离的划分层。每个发光单元可包括单独的发光结构、单独一组一个或多个电极以及单独的荧光体层。

    半导体装置
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105679673A

    公开(公告)日:2016-06-15

    申请号:CN201510736185.7

    申请日:2015-11-03

    Abstract: 提供一种半导体装置,所述半导体装置包括:第一多沟道有源图案;场绝缘层,设置在第一多沟道有源图案上并且包括第一区域和第二区域,第一区域具有从第二区域的顶表面向第一多沟道有源图案的顶表面突出的顶表面;第一栅电极,穿过第一多沟道有源图案,第一栅电极设置在场绝缘层上;第一源极或漏极,设置在第一栅电极和场绝缘层的第一区域之间,并且包括第一刻面,第一刻面被设置为在比第一多沟道有源图案的顶表面低的点处与场绝缘层的第一区域相邻。

    集成电路器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN107170741B

    公开(公告)日:2023-07-04

    申请号:CN201710130993.8

    申请日:2017-03-07

    Abstract: 一种集成电路(IC)器件包括:彼此邻近的一对鳍形有源区,在其间有鳍分离区,所述一对鳍形有源区延伸成一行;以及在鳍分离区中的鳍分离绝缘结构,其中所述一对鳍形有源区包括第一鳍形有源区,第一鳍形有源区具有限定部分的鳍分离区的第一拐角,并且其中鳍分离绝缘结构包括:下绝缘图案,覆盖所述一对鳍形有源区的侧壁;以及上绝缘图案,在下绝缘图案上以覆盖第一拐角的至少部分,上绝缘图案具有在比所述一对鳍形有源区的每个的顶表面高的水平处的顶表面。

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