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公开(公告)号：CN101998050A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010248801.1
申请日：2010-08-06
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04N1/2112 , H04N1/00352 , H04N1/00411 , H04N1/00435 , H04N1/00458 , H04N1/32128 , H04N2101/00 , H04N2201/0084 , H04N2201/3245 , H04N2201/3253 , H04N2201/3266 , H04N2201/3273
Abstract: 数字拍摄设备和控制该设备的方法。所述方法控制包括多个显示单元的数字拍摄设备。所述方法包括：在第一显示单元上显示重放图像文件；确定附加信息是否存在于重放图像文件；如果附加信息存在于重放图像文件，则搜索所述附加信息；在第二显示单元上显示附加信息。
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公开(公告)号：CN101996038A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010250162.2
申请日：2010-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F3/04883 , H04N1/0035 , H04N1/00411 , H04N1/00416 , H04N2101/00
Abstract: 提供一种数字图像处理设备和控制该设备的方法。所述数字图像处理设备的实施例包括：触摸屏，识别用户的触摸输入；时间计算器，计算用户的触摸输入的时间；GUI产生器，产生与计算的触摸输入时间相应的GUI。
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公开(公告)号：CN100573713C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200510003456.4
申请日：2005-10-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/56
CPC classification number: H03L7/0812 , B82Y10/00 , G11C11/15 , G11C11/16 , G11C11/5607 , G11C2211/5615 , H01L27/228 , H03L7/0891
Abstract: 本发明公开了一种具有多位单元阵列结构的磁随机存取存储器(RAM)，其包括形成在衬底上的访问晶体管、第一至第三可变电阻元件和第一至第三电流供给线。该第一至第三可变电阻元件布置在位线和访问晶体管之间并且在电气上彼此相连。该第一至第三电流供给线与该第一至第三可变电阻元件交替堆叠。该第一至第三可变电阻元件具有相同的电阻。
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公开(公告)号：CN101140801A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200710148538.7
申请日：2007-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0064 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0069 , G11C2013/0092
Abstract: 一种操作相变随机存取存储器PRAM设备的方法，该方法包括执行编程操作，以将数据存储在该设备的所选PRAM单元中，其中所述编程操作包括多个连续的编程循环。该方法还包括在编程操作的中间挂起编程操作；以及在挂起编程操作之后，响应于继续命令而继续所述编程操作。
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公开(公告)号：CN101038789A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710088555.6
申请日：2007-03-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C8/12 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0061 , G11C13/0069 , G11C2013/0078
Abstract: 提供了一种在PRAM设备中执行编程－挂起－读取操作的方法，该方法包括：响应于编程操作请求而对包括N个单位编程块的写入块编程；以及响应于读取操作请求而在对M个单位编程块编程后挂起编程操作，其中M小于N。该方法还包括：执行所请求的读取操作，然后恢复对写入数据块的编程；以及对剩余的N－M个编程块编程。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1822226A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200510003456.4
申请日：2005-10-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/56
CPC classification number: H03L7/0812 , B82Y10/00 , G11C11/15 , G11C11/16 , G11C11/5607 , G11C2211/5615 , H01L27/228 , H03L7/0891
Abstract: 本发明公开了一种具有多位单元阵列结构的磁随机存取存储器(RAM)，其包括形成在衬底上的访问晶体管、第一至第三可变电阻元件和第一至第三电流供给线。该第一至第三可变电阻元件布置在位线和访问晶体管之间并且在电气上彼此相连。该第一至第三电流供给线与该第一至第三可变电阻元件交替堆叠。该第一至第三可变电阻元件具有相同的电阻。
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公开(公告)号：CN113099034B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202110401137.8
申请日：2017-09-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04M1/72448 , H04M1/72469 , H04M1/02 , G09G5/00 , G06F3/14 , G06F3/0487 , G06F3/04817 , G06F1/16
Abstract: 提供了一种电子装置及其操作方法。提供了一种用于在电子装置中提供用户界面(UI)的方法和装置。所述电子装置包括：显示器，显示与显示器的操作状态相应的UI；处理器，与显示器电连接，其中，处理器被配置为：确定显示器的操作状态，当操作状态是第一状态时，根据基本布置显示基于第一对象的第一UI，当操作状态是第二状态时，根据扩展布置显示基于第一对象和与第一对象相关联的第二对象的第二UI，并且与扩展布置相应地将第二对象显示在与第一对象邻近的区域中。
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公开(公告)号：CN107846501A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201710851058.0
申请日：2017-09-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04M1/725 , G06F3/14 , G06F3/0487
CPC classification number: G06F1/1641 , G06F1/1618 , G06F1/1647 , G06F1/1652 , G06F1/1677 , G06F3/04817 , G09G5/005 , G09G2370/02 , G09G2370/16 , H04M1/0268 , H04M1/72583 , G06F3/0487 , G06F3/1446 , H04M1/72563
Abstract: 提供了一种电子装置及其操作方法。提供了一种用于在电子装置中提供用户界面(UI)的方法和装置。所述电子装置包括：显示器，显示与显示器的操作状态相应的UI；处理器，与显示器电连接，其中，处理器被配置为：确定显示器的操作状态，当操作状态是第一状态时，根据基本布置显示基于第一对象的第一UI，当操作状态是第二状态时，根据扩展布置显示基于第一对象和与第一对象相关联的第二对象的第二UI，并且与扩展布置相应地将第二对象显示在与第一对象邻近的区域中。
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公开(公告)号：CN103489474B
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201310218479.1
申请日：2013-06-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/1675 , G11C5/147 , G11C11/161 , G11C11/1653 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1697
Abstract: 一种磁随机存取存储器MRAM包括自旋转移扭矩磁随机存取存储器（STT‑MRAM）单元的存储单元阵列、以及公共连接到多个STT‑MRAM单元的源极线。源极线电压产生器响应于外部电源电压产生源极线驱动电压，并且将源极线驱动电压提供给源极线。
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公开(公告)号：CN103489474A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310218479.1
申请日：2013-06-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/1675 , G11C5/147 , G11C11/161 , G11C11/1653 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1697
Abstract: 一种磁随机存取存储器MRAM包括自旋转移扭矩磁随机存取存储器（STT-MRAM）单元的存储单元阵列、以及公共连接到多个STT-MRAM单元的源极线。源极线电压产生器响应于外部电源电压产生源极线驱动电压，并且将源极线驱动电压提供给源极线。
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