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公开(公告)号：CN1288715C
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN03158097.1
申请日：2003-08-01
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/324 , H01L29/786 , G02F1/136 , G09F9/30
CPC classification number: H01L21/02672 , C30B1/023 , C30B29/06 , G02F1/136209 , G02F1/1368 , G02F2202/105 , H01L21/02532 , H01L21/2022 , H01L27/12 , H01L27/1281 , H01L27/3244 , H01L29/66757 , H01L29/78675
Abstract: 一种结晶方法，包括在一绝缘衬底上形成吸收外部光的黑色基质层，其中该黑色基质层的上部区域包括用于硅结晶的催化剂，构图该黑色基质层，在绝缘衬底和黑色基质层上形成一非晶硅薄膜，对非晶硅薄膜进行热处理以用于结晶。由于形成一连续的金属诱导结晶区域和一金属诱导横向结晶区域而其中没有一明确的界限，因此，使用该结晶方法形成的薄膜晶体管的特性得到改进。
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公开(公告)号：CN1249650C
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN200310102978.0
申请日：2003-10-31
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/6675 , H01L29/78675
Abstract: 本发明公开了一种具有优良特性的显示器件，其具有多晶硅衬底，使得Vth和迁移率特性以及亮度特性更均匀。该显示器件包括：一显示区；位于显示区中的多个第一薄膜晶体管；和位于显示区的多晶硅衬底中的主晶粒边界；其中主晶粒边界以-30°～30°的角度向自多个第一薄膜晶体管的每一个的源极流向漏极的第一电流方向倾斜。
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公开(公告)号：CN1617300A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN200410100598.8
申请日：2004-10-14
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/324 , H01L21/20 , B23K26/00 , C30B28/00
CPC classification number: H01L21/02678 , C30B13/22 , C30B29/06 , C30B29/605 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/2026 , H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/78672
Abstract: 本发明涉及一种多晶硅薄膜的制造方法，该方法通过使用具有激光透射区和非透射区混合结构的掩模而能够利用激光得到均匀结晶的多晶硅薄膜，其中激光透射区基于激光扫描方向轴线不对称，激光透射区基于某一中心轴线对称，将激光透射区在平行于该中心轴线的另一轴线的方向上移动一定距离，从而使激光透射区和非激光透射区交替地设置。
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公开(公告)号：CN1578569A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410054951.3
申请日：2004-07-26
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L27/3276 , H01L51/5284 , H01L2251/5346
Abstract: 一种有机发光装置，通过形成具有高透射率导电材料和高反射率导电材料之间的浓度梯度的黑矩阵的栅极布线与数据布线来改善对比度。该装置包括：形成在绝缘衬底上的栅极布线与数据布线，由栅极布线与数据布线形成的像素部分，设置在像素部分中的像素，其中栅极布线与数据布线中至少一个由导电光吸收材料形成。至少一个布线由具有高透射率导电材料和高反射率导电材料之间的浓度梯度的光吸收材料形成。高反射率导电材料由Al、Mo、Ti、Cu、Ag等的至少一种构成，具有高透射率的导电材料由ITO、IO、TO、IZO、ZnO等的至少一种构成。栅极布线包括栅极线、栅电极、电容器电极或电源线，而数据布线包括数据线、源漏电极、电容器电极或电源线。
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公开(公告)号：CN1541038A
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN200410032887.9
申请日：2004-04-13
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L29/045 , H01L27/12 , H01L27/1277 , H01L27/1281 , H01L27/3211 , H01L27/3262
Abstract: 本发明公开一平板显示器，该平板显示器能够通过使所述R、G和B单位像素的晶体管的沟道区有不同的电流迁移率来提高白平衡。所述平板显示器包括多个象素，每个所述象素包括R、G和B单位像素以分别表现红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)，并且每个所述单位像素包括至少一晶体管。所述R、G和B单位像素中至少两个单位像素的晶体管的沟道层彼此具有不同电流迁移率。所述R、G和B单位像素包括晶体管并且所述R、G和B单位像素中的至少一个单位像素的所述晶体管包括由不同膜性能的硅层制成的沟道层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1540602A
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN200410003283.1
申请日：2004-02-03
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L21/02675 , G02F1/1368 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/2026 , H01L27/1229 , H01L27/1233 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L27/3297 , H01L29/04 , H01L29/0684 , H01L29/78696
Abstract: 提供了一种平板显示器。此平板显示器包括发光器件以及二个或更多个具有带沟道区的半导体有源层的薄膜晶体管(TFT)，其中，各个TFT的沟道区的厚度彼此不同。于是，能够保持开关TFT的更高的开关性质，能够满足驱动TFT的更为均匀的亮度，并能够满足白色平衡而无须改变TFT有源层的尺寸。
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公开(公告)号：CN1495913A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN03132786.9
申请日：2003-07-08
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/00
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/78672
Abstract: 本发明涉及一种用于薄膜晶体管(TFT)的多晶硅薄膜和采用它制造的器件，其中，通过提供一种TFT的多晶硅薄膜、和TFT采用该多晶硅薄膜的器件，来改善TFT和器件的均匀性，该多晶硅薄膜的特征在于，对于互相垂直设置的晶体管TR1和TR2而言，最大数量的各个主要晶粒边界能够包含在有源沟道区中的概率P1和P2分别以下列表达式表示，概率P1和P2不等于0.5。表达式1：P1＝(D1－(Nmax1－1)×Gs1)/Gs1；表达式2：P2＝(D2－(Nmax2－1)×Gs2)/Gs2；其中D1＝Llcosθ+Wlsinθ，D2＝L2cosθ+W2sinθ，L1和L2是晶体管TR1和TR2的有源沟道长度，W1和W2是晶体管TR1和TR2的有源沟道宽度，Nmax1和Nmax2是包含在每个晶体管TR1和TR2的有源沟道区中的“主要”晶粒边界的最大数量，Gs1和Gs2是对于每个晶体管TR1和TR2的特性具有重大影响的晶粒尺寸，θ是“主要”晶粒边界对于垂直于各个晶体管TR1和TR2的有源沟道方向的方向倾斜的角度。
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公开(公告)号：CN101308866A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200810110246.9
申请日：2004-04-13
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明公开一种平板显示器，包括多个像素，每个所述像素包括R、G和B单位像素以分别表现红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)，并且每个所述单位像素包括一晶体管，其中所述R、G和B单位像素之中至少一个单位像素的晶体管包括由具有不同膜性能的硅层制成的沟道区。本发明还涉及制造平板显示器的方法。
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公开(公告)号：CN100419816C
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200410003283.1
申请日：2004-02-03
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L21/02675 , G02F1/1368 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/2026 , H01L27/1229 , H01L27/1233 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L27/3297 , H01L29/04 , H01L29/0684 , H01L29/78696
Abstract: 提供了一种平板显示器。此平板显示器包括发光器件以及二个或更多个具有带沟道区的半导体有源层的薄膜晶体管(TFT)，其中，各个TFT的沟道区的厚度彼此不同。于是，能够保持开关TFT的更高的开关性质，能够满足驱动TFT的更为均匀的亮度，并能够满足白色平衡而无须改变TFT有源层的尺寸。
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公开(公告)号：CN1324540C
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200410005025.7
申请日：2004-02-12
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: G09F9/30 , G09G3/00 , H01L21/00 , H01L29/786 , G02F1/136
CPC classification number: H01L29/78696 , G02F1/13454 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/66757 , H01L29/78675
Abstract: 本发明公开了一种具有多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置，通过使包括于形成在驱动电路部分和像素部分的有源沟道区中的薄膜晶体管中的晶界数不同，提供了具有改善特性的平板显示装置。这可以通过使形成于像素部分中的开关和驱动薄膜晶体管的有源沟道区中的多晶硅薄膜中包括不同的晶界数；以及通过对于每个红、绿和蓝色像素部分的驱动和像素部分，薄膜晶体管的有源沟道区中形成的多晶硅中包括的晶界数不同而实现。另外，这可以通过使形成于用于形成平板显示装置中的CMOS晶体管的NMOS和PMOS薄膜晶体管的有源沟道区中形成的多晶硅中包括不同的晶界数，由此形成对每个晶体管都获得改善特性薄膜晶体管而实现。
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