公开(公告)号：CN1207792C

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN02157811.7

申请日：2002-12-19

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 苏宇永

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78645

Abstract: 本发明公开了一种利用金属诱导横向结晶的多栅薄膜晶体管及其制造方法。该多栅薄膜晶体管能够不增大尺寸地使多栅金属化。该薄膜晶体管具有ㄈ形、E形、已形或它们的组合的形状形成在绝缘衬底上的半导体层；和配备有一个或多个与半导体层相交的栅电极，半导体层包括：与栅电极相交的两个或多个主体部分；和与每个相邻的主体部分连结的一个或多个连结部分，其中在栅电极中覆盖半导体层的部分充当多栅，并且MILC表面形成在半导体层中不与栅电极相交的部分上。

公开(公告)号：CN1222039C

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN02157810.9

申请日：2002-12-19

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 苏宇永

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L29/0657 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78609

Abstract: 本发明公开了一种CMOS薄膜晶体管，其具有：在一绝缘衬底上形成为Z形的半导体层，半导体层具有一PMOS晶体管区和一NMOS晶体管区；一栅电极，该栅电极具有至少一条横过半导体层的缝，其中，半导体层具有一MILC表面，其位于PMOS晶体管区以及NMOS晶体管区上，本发明还公开了制造这种薄膜晶体管的方法，通过这种方法可使CMOS TFT的制造过程简化，并能减小漏电流。

公开(公告)号：CN1495913A

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN03132786.9

申请日：2003-07-08

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李基龙 ,  朴志容 ,  苏宇永

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78672

Abstract: 本发明涉及一种用于薄膜晶体管(TFT)的多晶硅薄膜和采用它制造的器件，其中，通过提供一种TFT的多晶硅薄膜、和TFT采用该多晶硅薄膜的器件，来改善TFT和器件的均匀性，该多晶硅薄膜的特征在于，对于互相垂直设置的晶体管TR1和TR2而言，最大数量的各个主要晶粒边界能够包含在有源沟道区中的概率P1和P2分别以下列表达式表示，概率P1和P2不等于0.5。表达式1：P1＝(D1－(Nmax1－1)×Gs1)/Gs1；表达式2：P2＝(D2－(Nmax2－1)×Gs2)/Gs2；其中D1＝Llcosθ+Wlsinθ，D2＝L2cosθ+W2sinθ，L1和L2是晶体管TR1和TR2的有源沟道长度，W1和W2是晶体管TR1和TR2的有源沟道宽度，Nmax1和Nmax2是包含在每个晶体管TR1和TR2的有源沟道区中的“主要”晶粒边界的最大数量，Gs1和Gs2是对于每个晶体管TR1和TR2的特性具有重大影响的晶粒尺寸，θ是“主要”晶粒边界对于垂直于各个晶体管TR1和TR2的有源沟道方向的方向倾斜的角度。

公开(公告)号：CN1215567C

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN02105819.9

申请日：2002-04-11

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 苏宇永 ,  俞庚辰 ,  朴商一

IPC: H01L27/15 ,  H01L31/12 ,  H01L21/00 ,  H05B33/00 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/32 ,  H01L29/78621

Abstract: 本发明公开了一种具有改善的电特性及简化的制造工艺的平板显示器。该显示器包括形成在绝缘衬底上的半导体层；分别直接接触半导体层的两个端部的源电极和漏电极；具有形成在其上的开口部分的像素电极；形成在绝缘衬底上除开口部分以外的其余部分上的第一绝缘层；形成在半导体层之上的部分第一绝缘层上的栅电极；以及形成在半导体层两个端部内的源极区和漏极区。

公开(公告)号：CN1431718A

公开(公告)日：2003-07-23

申请号：CN02157811.7

申请日：2002-12-19

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 苏宇永

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78645

Abstract: 本发明公开了一种利用金属诱导横向结晶的多栅薄膜晶体管及其制造方法。该多栅薄膜晶体管能够不增大尺寸地使多栅金属化。该薄膜晶体管具有以Z字形形状形成在绝缘衬底上的半导体层；和配备有一个或多个与半导体层相交的栅电极，半导体层包括：与栅电极相交的两个或多个主体部分；和与每个相邻的主体部分连结的一个或多个连结部位，其中在栅电极中覆盖半导体层的部分充当多栅，并且MILC表面形成在不与栅电极在半导体层中相交的部分上。

公开(公告)号：CN1431711A

公开(公告)日：2003-07-23

申请号：CN02157810.9

申请日：2002-12-19

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 苏宇永

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L29/0657 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78609

Abstract: 本发明公开了一种CMOS薄膜晶体管，其具有：在一绝缘衬底上形成为Z形的半导体层，半导体层具有一PMOS晶体管区和一NMOS晶体管区；一栅电极，该栅电极具有至少一条横过半导体层的缝，其中，半导体层具有一MILC表面，其位于PMOS晶体管区以及NMOS晶体管区上，本发明还公开了制造这种薄膜晶体管的方法，通过这种方法可使CMOS TFT的制造过程简化，并能减小漏电流。

公开(公告)号：CN100421263C

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN03132786.9

申请日：2003-07-08

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李基龙 ,  朴志容 ,  苏宇永

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78672

Abstract: 本发明涉及用于TFT的多晶硅薄膜和采用它制造的器件，使用该用于TFT的多晶硅薄膜的器件，通过提供TFT的多晶硅薄膜，TFT和器件的均匀性得到改进。

公开(公告)号：CN1380700A

公开(公告)日：2002-11-20

申请号：CN02105819.9

申请日：2002-04-11

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 苏宇永 ,  俞庚辰 ,  朴商一

IPC: H01L27/15 ,  H01L31/12 ,  H01L21/00 ,  H05B33/00 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/32 ,  H01L29/78621

Abstract: 本发明公开了一种具有改善的电特性及简化的制造工艺的平板显示器。该显示器包括形成在绝缘衬底上的半导体层;分别直接接触半导体层的两个端部的源电极和漏电极;具有形成在其上的开口部分的像素电极;形成在绝缘衬底上除开口部分以外的其余部分上的第一绝缘层;形成在半导体层之上的部分第一绝缘层上的栅电极;以及形成在半导体层两个端部内的源极区和漏极区。

公开(公告)号：CN100409417C

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN02105437.1

申请日：2002-04-04

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 苏宇永

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L29/66757

Abstract: 本发明公开一种制造具有高电场迁移率的薄膜晶体管的方法，包括：在绝缘衬底上形成非晶硅层和阻挡层；在阻挡层上形成具有第一、二构图的光致抗蚀剂层；以第一光致抗蚀剂构图为掩膜蚀刻阻挡层，形成第一、二阻挡层构图；回流光致抗蚀剂层，使第一、二光致抗蚀剂构图互相邻接，完全覆盖阻挡层构图；在衬底整个表面上形成金属层；除去光致抗蚀剂层，露出阻挡层和阻挡层与金属层间的偏置区；非晶硅层结晶成多晶硅层，其中接触第一金属层的部分用金属诱导结晶法，其余部分用金属诱导横向结晶法，使两个阻挡层构图间的多晶硅层的部分上存在金属诱导横向结晶前缘；以阻挡层构图为掩膜蚀刻多晶硅层，形成两个半导体层，除去结晶前缘；以及除去阻挡层构图。

公开(公告)号：CN1379452A

公开(公告)日：2002-11-13

申请号：CN02105437.1

申请日：2002-04-04

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 苏宇永

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L29/66757

Abstract: 本发明公开一种制造具有高电场迁移率的薄膜晶体管的方法,包括:在绝缘衬底上形成非晶硅层和阻挡层;在阻挡层上形成具有第一、二构图的光致抗蚀剂层;以第一光致抗蚀剂构图为掩膜蚀刻阻挡层,形成第一、二阻挡层构图;回流光致抗蚀剂层,使第一、二光致抗蚀剂构图互相邻接,完全覆盖阻挡层构图;在衬底整个表面上形成金属层;除去光致抗蚀剂层,露出阻挡层和阻挡层与金属层间的偏置区;非晶硅层结晶成多晶硅层,其中接触第一金属层的部分用金属诱导结晶法,其余部分用金属诱导横向结晶法,使两个阻挡层构图间的多晶硅层的部分上存在金属诱导横向结晶前缘;以阻挡层构图为掩膜蚀刻多晶硅层,形成两个半导体层,除去结晶前缘;以及除去阻挡层构图。