公开(公告)号：CN1967779A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200610121897.9

申请日：2004-02-05

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴志容 ,  朴惠香

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  H01L21/00 ,  B23K26/073

CPC classification number: H01L21/02532 ,  B23K26/073 ,  B23K26/0732 ,  B23K26/0738 ,  H01L21/0268 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78672 ,  H01L29/78696 ,  Y10S438/945

Abstract: 本发明公开了一种用于显示器设备的多晶硅薄膜，该薄膜具有彼此不平行的相邻主晶粒间界，其中被主晶粒间界包围的面积大于1μm2，还公开了一种多晶硅薄膜的制造方法，以及用该方法制造的薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN1297008C

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN200410004153.X

申请日：2004-02-13

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴志容 ,  具在本 ,  朴惠香

IPC: H01L27/092 ,  G02F1/136 ,  G09G3/00

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78675

Abstract: 一种CMOS薄膜晶体管以及使用该CMOS薄膜晶体管的显示器件改善了诸如电流迁移率和阈值电压这样的电特性。该CMOS薄膜晶体管被制造得使P型薄膜晶体管的有源沟道的方向与N型薄膜晶体管的有源沟道的方向彼此不同。包含在P型薄膜晶体管中的主晶界所呈角度使得它们相对于有源沟道方向呈大约60°至大约120°的角。包含在N型薄膜晶体管中的主晶界所呈角度使得它们呈大约-30至大约30°的角。该有源沟道形成在多晶硅中。

公开(公告)号：CN1619775A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN200410103815.9

申请日：2004-10-20

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴志容 ,  朴惠香

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/00 ,  B23K26/00 ,  G02F1/136 ,  G09G3/36

CPC classification number: H01L21/0268 ,  B23K26/066 ,  C30B13/24 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2026

Abstract: 本发明涉及制造多晶硅薄膜的方法，其中使用具有激光可透图形组和激光不可透图形组的混合结构的掩膜，通过激光使非晶硅结晶，其中掩膜包括两个或者多个点图形组，其中不可透图形垂直于扫描方向轴，且点图形组具有一定的形状，并且包括第一不可透图形，其在垂直于扫描方向轴的方向上各自地不排成一列，以及与第一不可透图形相同布置地形成的第二不可透图形，但以使第二不可透图形与第一不可透图形平行并平行于与扫描方向轴垂直的轴的方式被定位。

公开(公告)号：CN1494107A

公开(公告)日：2004-05-05

申请号：CN03158097.1

申请日：2003-08-01

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 具在本 ,  朴志容 ,  朴商一

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L29/786 ,  G02F1/136 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L21/02672 ,  C30B1/023 ,  C30B29/06 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/1368 ,  G02F2202/105 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1281 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 一种结晶方法，包括在一绝缘衬底上形成吸收外部光的黑色基质层，其中该黑色基质层的上部区域包括用于硅结晶的催化剂，构图该黑色基质层，在绝缘衬底和黑色基质层上形成一非晶硅薄膜，对非晶硅薄膜进行热处理以用于结晶。由于形成一连续的金属诱导结晶区域和一金属诱导横向结晶区域而其中没有一明确的界限，因此，使用该结晶方法形成的薄膜晶体管的特性得到改进。

公开(公告)号：CN100421263C

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN03132786.9

申请日：2003-07-08

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李基龙 ,  朴志容 ,  苏宇永

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78672

Abstract: 本发明涉及用于TFT的多晶硅薄膜和采用它制造的器件，使用该用于TFT的多晶硅薄膜的器件，通过提供TFT的多晶硅薄膜，TFT和器件的均匀性得到改进。

公开(公告)号：CN1324696C

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200410071242.6

申请日：2004-07-16

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴志容 ,  具在本 ,  朴惠香 ,  李基龙 ,  李乙浩

IPC: H01L21/84 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明涉及一种包括多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置及其制造方法。形成于这种平板显示装置的驱动电路部分和象素部分的薄膜晶体管的有源沟道区域中的多晶硅晶粒的晶粒大小彼此不相同。而且，这种平板显示装置包括彼此具有不同晶粒形状的P型和N型薄膜晶体管。对于诸如电流迁移率这样的电特性，在驱动电路部分中要好于在所述象素部分中。而且，由于晶粒大小在象素部分中比在驱动电路部分中更为均匀，所以在象素部分中具有更好的电流一致性。

公开(公告)号：CN1783501A

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：CN200510137064.7

申请日：2004-01-20

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 具在本 ,  朴志容 ,  朴商一 ,  金慧东

IPC: H01L27/12 ,  H01L27/15 ,  H01L27/00 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/3262 ,  H01L27/1296 ,  H01L27/3276

Abstract: 提供一种平板显示器，其中没有条纹出现在屏幕上，从而改善了图像质量。所述平板显示器具有矩阵型的子像素阵列，每个子像素包括驱动薄膜晶体管、由驱动薄膜晶体管驱动的第一电极以及与第一电极一起驱动发光单元的第二电极。驱动薄膜晶体管包括从半导体层中得到的半导体沟道。在半导体层上各异质直线互相分开。连接一列的半导体沟道的虚线与异质直线不平行。

公开(公告)号：CN1577457A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410034645.3

申请日：2004-04-19

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 具在本 ,  朴商一 ,  朴志容 ,  李基龙 ,  李乙浩

IPC: G09G3/32 ,  G09G3/20 ,  G09F9/30

CPC classification number: G09G3/3275 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78624 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78672 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明公开一种具有长使用寿命的高速平板显示器，其中设置有多个像素的像素阵列部分和用于驱动像素阵列部分的像素的驱动电路部分中的薄膜晶体管彼此具有不同的电阻值或者彼此具有不同的几何结构。该平板显示器包括像素阵列部分，具有多个设置在其上的像素；以及驱动电路部分，用于驱动所述像素阵列部分的像素。像素阵列部分和驱动电路部分中的薄膜晶体管在它们的栅区或漏区彼此具有不同的电阻值或者彼此具有不同的几何结构。像素阵列部分和驱动电路部分中的薄膜晶体管中的一个在它的栅区或漏区中具有锯齿形形状或者具有偏置区域。

公开(公告)号：CN1542706A

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：CN200410003328.5

申请日：2004-01-20

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 具在本 ,  朴志容 ,  朴商一 ,  金慧东

IPC: G09F9/00 ,  G09G3/00 ,  H01L29/786 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L27/3262 ,  H01L27/1296 ,  H01L27/3276

Abstract: 提供一种平板显示器，其中没有条纹出现在屏幕上，从而改善了图像质量。所述平板显示器具有矩阵型的子像素阵列，每个子像素包括驱动薄膜晶体管、由驱动薄膜晶体管驱动的第一电极以及与第一电极一起驱动发光单元的第二电极。驱动薄膜晶体管包括从半导体层中得到的半导体沟道。在半导体层上各异质直线互相分开。连接一列的半导体沟道的虚线与异质直线不平行。

公开(公告)号：CN1499457A

公开(公告)日：2004-05-26

申请号：CN200310102978.0

申请日：2003-10-31

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金沃炳 ,  李基龙 ,  朴志容

IPC: G09F9/30 ,  G09G3/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明公开了一种具有优良特性的显示器件，其具有多晶硅衬底，使得Vth和迁移率特性以及亮度特性更均匀。该显示器件包括：一显示区；位于显示区中的多个第一薄膜晶体管；和位于显示区的多晶硅衬底中的主晶粒边界；其中主晶粒边界以－30°～30°的角度向自多个第一薄膜晶体管的每一个的源极流向漏极的第一电流方向倾斜。