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公开(公告)号：CN1808737A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200510131536.8
申请日：2005-11-10
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor： 杨南喆
CPC classification number: H01L27/283 , H01L51/0017 , H01L51/0516 , H01L51/0541
Abstract: 提供一种有机TFT、其制造方法和具有该有机TFT的平板显示器。有机TFT包括形成在基板表面上的源极和漏极、包括源极区域和漏极区域以及位于源极和漏极上的沟道区域的有机半导体层、位于上述有机半导体层上方的栅极、和位于有机半导体层表面上的第一绝缘层，其中至少在部分有机半导体层和第一绝缘层中、在包括源极和漏极区域以及沟道区域的活性区域的外侧形成通孔。
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公开(公告)号：CN1661813A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200410081922.6
申请日：2004-12-29
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , G09F9/30 , G09G3/36 , H05B33/12 , G02F1/136
CPC classification number: H01L29/04 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , H01L27/3244 , H01L29/66969 , H01L29/786 , H01L29/78681 , H01L29/78684 , H01L29/7869 , H01L51/0013 , H01L51/0097 , H01L2251/5338 , H01L2251/5369
Abstract: 一种柔性平板显示器，其中毫微粒子用于TFT的有源层，衬底是柔性的并且可以在室温下制造，平板显示器具有同样的TFT，一种制造TFT的方法，一种制造平板显示器的方法，以及一种制造施主薄片的方法。在制造显示器内的TFT中，施主薄片用来把毫微粒子从薄片转移到衬底。薄膜晶体管放置在衬底上并且包括沟道区，所述沟道区至少具有一个纵向排列的P型或N型毫微粒子，其中所述P型或N型毫微粒子的纵向方向平行于在衬底上隔开的P型或N型毫微粒子线。
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公开(公告)号：CN1658721A
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN200410102061.5
申请日：2004-12-17
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/5088 , H01L51/5048 , H01L51/5092 , Y10S428/917
Abstract: 提供了一种有机电致发光显示器件，包括：一衬底，一形成在所述衬底上的第一电极，一形成在所述第一电极上的有机层，以及一形成在所述有机层上的第二电极。所述有机层包括一有机发射层和一有机材料层，并且所述有机材料层具有粗糙度在Rms 11至Rms 50的一表面。
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公开(公告)号：CN1599527A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410078651.9
申请日：2004-09-14
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/5016 , H01L27/3211 , H01L51/005 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/0081 , H01L51/0085
Abstract: 本申请涉及一种全色有机电致发光器件及其制造方法，并提供了一种全色有机电致发光器件。本发明通过减少精细图案化过程的步骤而减少了由发光层的精细图案化导致的失调错误。具体而言，蓝发光层起到空穴阻止层的作用，使得色纯度更好，并提高了有色的有机电致发光器件的稳定性。这种蓝发光层的使用还减少了制造步骤。该器件包括：基底；基底上形成的第一电极图案；通过使红发光材料形成图案而在第一电极的红象素区上形成的红发光层，以及通过使绿发光材料形成图案而在第一电极的绿象素区上形成的绿发光层。在整个基底上以及红和绿磷光发光层上涂布的蓝发光层，和在蓝发光层上部形成的第二电极。
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公开(公告)号：CN1578561A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410059001.X
申请日：2004-07-29
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/5012 , H01L51/5048 , H01L51/5237
Abstract: 本发明涉及一种含有UV稳定剂的有机电致发光显示装置，并且通过提供一种有机电致发光显示装置，其含有底物、底物上形成的第一电极、第一电极上形成的发光层以及发光层上部形成的第二电极，其中，发光层掺杂有UV稳定剂，并且UV稳定剂的吸收范围为420nm或小于420nm，来提供一种即使被暴露在太阳光下其特性也没有被紫外线所降低的有机电致发光显示装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102280270A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110123484.5
申请日：2011-05-13
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor： 杨南喆
CPC classification number: H01G9/2059 , H01G9/2077 , Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种光电转换模块及其形成方法，该光电转换模块包括允许电解质被同时引入到至少两个相邻的光电电池的电解质入口以填充光电电池，减少了电解质入口的数量。该光电转换模块包括：第一光电电池和第二光电电池，每个光电电池包括光电极、面对光电极的对向电极和光电极上的半导体层，光敏染料吸附到半导体层上；第一密封构件，沿第一方向在第一光电电池和第二光电电池之间延伸，第一密封构件限定第一光电电池与第二光电电池之间的第一通孔。
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公开(公告)号：CN102054589A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201010530255.0
申请日：2010-10-21
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01G9/2027 , H01G9/2059 , H01G9/2077 , Y02E10/542
Abstract: 一种光电转换器件，可以有效地防止电解质泄漏，并且具有高耐用性。该光电转换器件包括第一基板和与所述第一基板隔开的第二基板。多个第一电极位于所述第一基板的面对所述第二基板的一侧上，并且从所述第一基板的密封区域延伸，并且所述多个第一电极彼此隔开。第一保护层位于所述多个第一电极上，并且所述第一保护层的位于所述密封区域上的末端部分连续延伸横跨所述多个第一电极中的至少两个。
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公开(公告)号：CN100403492C
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200410081921.1
申请日：2004-12-29
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B41M5/38207 , B41M5/395 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , H01L27/3244 , H01L29/04 , H01L29/78681 , H01L29/7869 , H01L51/0013 , H01L51/0097 , H01L2251/5338 , H01L2251/5369 , Y10S977/773 , Y10T428/31504
Abstract: 提供了一种施主薄片，包括：底膜；以及转移层，所述转移层排列在所述底膜的一侧并且是可转移的，其中所述转移层包括多个被排列成大约彼此平行的P型或N型毫微粒子。其中所述转移层包括具有多根经纱和纬纱的机织织物，所述毫微粒子位于所述经纱和纬纱之一内。本发明还提供一种制造施主薄片的方法、一种制造薄膜晶体管的方法、以及一种制造具有发射区和选择驱动电路的平板显示器的方法。
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公开(公告)号：CN1982076A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610148550.3
申请日：2006-11-16
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B41M5/38207 , B41M2205/38 , H01L51/0013 , H01L51/56
Abstract: 本发明公开了一种激光诱导热成像方法以及采用该方法的有机发光二极管的制造方法，其中可以利用磁力有效地层压供体膜和受体基板。该激光诱导热成像方法包括：在处理室的基板台上设置受体基板，其中第一磁体形成在该受体基板的一个表面中；在该受体基板上设置包括第二磁体的供体膜；利用作用在该第一和第二磁体之间磁力来层压该供体膜和该受体基板；和通过在该供体膜上扫描激光将成像层的至少一个区域转移到该受体基板上。该激光诱导热成像方法改善了供体膜和受体基板之间的粘附力，从而改善了有机发光二极管的寿命、产量和可靠性。
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公开(公告)号：CN1828963A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200610008933.0
申请日：2006-01-14
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L51/05 , H01L51/40 , H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/32
Abstract: 提供一种薄膜晶体管、其制备方法以及使用该晶体管的平板显示器。薄膜晶体管包括栅极、与栅极绝缘的源极和漏极、与栅极绝缘并电连接到源极和漏极上的半导体层、绝缘层、介于半导体层和绝缘层之间并阻止电子或空穴迁移通过半导体层而被捕获到绝缘层中的载流子阻挡层。由于所述薄膜晶体管的构造可使得载流子阻挡层位于半导体层和绝缘层之间，可阻止注入到半导体层中的电子和空穴被捕获到绝缘层中，从而抑制了磁滞特性。另外，使用所述薄膜晶体管可制造可靠的平板显示器器件。
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