公开(公告)号：CN1318506C

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN03102716.4

申请日：2003-01-17

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 蔵本庆一 ,  伊豆博昭 ,  山野耕治 ,  平野均

IPC: C08L39/06 ,  C08L69/00 ,  C08L33/12 ,  C08K5/057

Abstract: 一种由有机聚合物和金属醇盐制造有机-无机复合材料的方法，该方法包括通过水解使金属醇盐缩聚，直到未反应金属醇盐减少到3%体积或更少；将经缩聚的金属醇盐与有机聚合物混合，形成有机-无机复合材料的步骤。层叠这样的有机-无机复合材料制得的层叠材料，具有金属醇盐的金属元素从层叠材料一面至另一面增加或降低的浓度梯度。

公开(公告)号：CN1677775A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN200510008473.7

申请日：2005-02-21

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 狩野隆司 ,  山口勤 ,  伊豆博昭 ,  畑雅幸 ,  野村康彦

IPC: H01S5/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/0243 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/025

Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体元件的制造方法，在具有从表面贯通到背面的条状的位错集中区域的GaN基板的表面上将氮化物系半导体各层以均匀的膜厚进行层叠。氮化物系半导体基板，例如，沿GaN基板表面的位错集中区域，在位错集中区域附近的非位错集中区域形成槽。在形成了该槽的GaN基板的表面上形成氮化物系半导体的各层，作为结晶成长层。

公开(公告)号：CN1573377A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410045305.0

申请日：2004-05-21

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 藏本庆一 ,  中川洋平 ,  松本光晴 ,  伊豆博昭 ,  平野均 ,  林伸彦

IPC: G02B6/10 ,  G02B6/13

CPC classification number: G02B6/1221 ,  G02B6/125 ,  G02B2006/12126

Abstract: 本发明提供一种光器件(10)，包含基板(21)、设在基板(21)上的芯(14)、形成在芯(14)周围的第1包覆层(12)及第2包覆层(16)。光器件(10)还包含设在基板2上的、吸收从芯(14)漏出的光的光吸收体层(18)。所述光吸收体层(18)，例如由与构成芯(14)的材料相同的材料构成。根据本发明的光器件，可以降低传输光从芯的漏泄，降低噪音。