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公开(公告)号：CN101459318A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200910000559.3
申请日：2005-02-21
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L21/0243 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L33/0075 , H01L33/025
Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体元件的制造方法，在具有从表面贯通到背面的条状的位错集中区域的GaN基板的表面上将氮化物系半导体各层以均匀的膜厚进行层叠。氮化物系半导体基板，例如，沿GaN基板表面的位错集中区域，在位错集中区域附近的非位错集中区域形成槽。在形成了该槽的GaN基板的表面上形成氮化物系半导体的各层，作为结晶成长层。
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公开(公告)号：CN1573378A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410045312.0
申请日：2004-05-21
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: G02B13/0055 , G02B3/0087 , G02B6/32 , G02B6/4214 , G02B6/4246
Abstract: 本发明提供一种能够抑制焦点的多重化、改进聚光性的折射率分布透镜。由多层膜构成折射率分布透镜，多层膜含有多层折射率及层厚不同的层。
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公开(公告)号：CN101872684B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201010166659.6
申请日：2010-04-20
Applicant: 三洋电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种固体电解电容器，其具备：电容器元件，其具有阳极部、电介质被膜和阴极部；阳极引线框；阴极引线框；覆盖该阳极引线框和阴极引线框的至少一部分以及所述电容器元件的外装树脂，其中，在隔着导电性粘接材料与所述电容器元件对置的阴极引线框对置部上，在电容器元件侧开口部与外装树脂侧开口部之间设置有贯通孔，其中，该贯通孔具有比其它部分直径小的节流部，在该贯通孔中形成有导电性粘接材料。
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公开(公告)号：CN101123140A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710140391.7
申请日：2007-08-10
Applicant: 三洋电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种静电电容大的电解电容器。在固体电解电容器中埋设有电容器元件(2)，电容器元件包括：在由环氧树脂等构成的外装体(1)内部埋设有阳极导线(3)的一部分的阳极(4)，在阳极(4)上形成的含铌氧化物的氧化物层(5)，在氧化物层(5)上形成的阴极(6)。阳极导线(3)由含有钒和锆中至少一种的铌合金构成，其一端埋设于由含铌金属颗粒的多孔质烧结体构成的阳极(4)中，另一端与阳极端子(7)连接。阴极(6)包括由聚吡咯等构成的导电性高分子层(6a)、含有碳颗粒的第一导电层(6b)和含有银颗粒的第二导电层(6c)，阴极端子(9)的一端通过含银颗粒的第三导电层(8)与阴极(6)连接。并且，阳极端子(7)和阴极端子(8)各自的另一端从外装体(1)露出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1841864A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610066495.3
申请日：2006-03-31
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01S5/00
CPC classification number: H01S5/30 , H01L24/05 , H01L2224/04042 , H01L2224/48463 , H01L2224/73265 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种在能够减小阈值电流的同时还能够提高发光效率的半导体激光元件及其制造方法。该半导体激光元件包括：具有主表面的半导体基板；以及形成在半导体基板的主表面上，并具有相对于半导体基板的主表面实质上倾斜的主表面，同时，包括发光层的半导体元件层。
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公开(公告)号：CN101459318B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200910000559.3
申请日：2005-02-21
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L21/0243 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L33/0075 , H01L33/025
Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体元件的制造方法，在具有从表面贯通到背面的条状的位错集中区域的GaN基板的表面上将氮化物系半导体各层以均匀的膜厚进行层叠。氮化物系半导体基板，例如，沿GaN基板表面的位错集中区域，在位错集中区域附近的非位错集中区域形成槽。在形成了该槽的GaN基板的表面上形成氮化物系半导体的各层，作为结晶成长层。
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公开(公告)号：CN101826703A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN201010164149.5
申请日：2005-09-23
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01S5/40
CPC classification number: H01S5/4025 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48463 , H01L2224/48464 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种集成型半导体激光元件及其制造方法，在可以使激光的特性提高的同时，可以降低光轴调整所花费的成本。该集成型半导体激光元件包括：在包含第1发光区域的同时、具有凸部的第1半导体激光元件；和在包含第2发光区域的同时、具有凹部的第2半导体激光元件；并且，第1半导体激光元件在凸部的下方具有活性层，第1发光区域位于第1半导体激光元件的活性层内，凸部经接合层嵌入凹部中，第1发光区域和第2发光区域配置于半导体层的层叠方向的同一线上。
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公开(公告)号：CN101083172A
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200710108522.3
申请日：2007-05-31
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01G9/08 , C08G59/621 , C08G59/686 , C08L63/00 , H01G9/02 , H01G11/56 , Y02E60/13 , Y10T29/417 , C08L2666/16
Abstract: 本发明提供一种固体电解电容器，具备：具有在阳极和阴极间配置的铌氧化物层的电容器元件；和包覆所述电容器元件的外装体。所述铌氧化物层含有氟和磷，所述外装体含有环氧树脂、酚醛树脂、填充材料和咪唑化合物。
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公开(公告)号：CN1530673A
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN200410039644.8
申请日：2004-03-12
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: G02B6/13
CPC classification number: G02B6/1221 , G02B6/138 , G02B2006/121
Abstract: 一种光波导，具有成为光传播区的芯层、覆盖该芯层周围的上部包层和下部包层，上部包层伴随着体积的收缩而形成，其特征在于：在上部包层和下部包层挨着的区域的至少一部分中，在上部包层和下部包层之间，设置由比上部包层的储存弹性模量还小的材料构成的应力缓和层。
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