公开(公告)号：CN1717781A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200480001492.0

申请日：2004-08-31

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 井上满夫 ,  宫川修 ,  坂本孝雄

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02595 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/268 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，包括：在衬底(1)上形成非晶硅膜(2)的非晶硅层叠工序；对上述非晶硅膜(2)照射激光(16)，将上述非晶硅膜(2)的至少一部分变换为多晶硅膜(3)的照射工序；以及在上述照射工序之后，在含氧的气氛中氧化上述多晶硅膜(3)表面的氧化工序，作为上述激光(16)，使用将波长为≥350nm且≤800nm的脉冲激光变换成在宽度方向上具有至少≥3(mJ/cm2)/μm的能量密度梯度的线形光束的激光，在温度为≥500℃且≤650℃、且压力≥10大气压的饱和水蒸气的气氛中进行上述氧化工序。利用此方法，能够容易地制造出结晶性优良的半导体器件。

公开(公告)号：CN1706029A

公开(公告)日：2005-12-07

申请号：CN200480001244.6

申请日：2004-08-17

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 井上满夫 ,  时冈秀忠 ,  由良信介

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02678 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/66757

Abstract: 一种薄膜半导体的制造方法，包括：为了在基板(9)的表面上形成多晶硅膜，使具有可见光波长的第1脉冲激光(22)在上述基板的表面上聚光成具有在宽度方向上大致为高斯形状的强度分布的细线形状(33)，并以上述细线形状在上述宽度方向上移动的方式进行照射的扫描照射工序；在一个位置上在一个方向进行了上述扫描照射工序之后，对完成了该扫描照射的区域(36)中的与上述宽度方向平行的外缘的端部区域照射具有紫外波长的第2脉冲激光的外缘处理工序；以及再次进行上述扫描照射工序，以覆盖与被上述扫描照射工序覆盖的区域(36)相邻、且与实施了上述外缘处理工序的上述端部区域的一部分重叠的区域(39)的工序。

公开(公告)号：CN1617028A

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：CN200410012057.X

申请日：2000-10-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 笹川智广 ,  结城昭正 ,  岩崎直子 ,  松本贞行 ,  井上满夫 ,  小田恭一郎

IPC: G02F1/13357 ,  G02F1/1335

Abstract: 根据本发明的背光能够得到合适的配光分布和均匀的射出光，具有提供为了液晶板的显示而用于照射的光的棒状光源(1)和平板状的导光板(3)，该导光板具有平行于棒状光源的位于侧面的入射端面(20)，平行于液晶板地配置的出光面(21)以及平行地面对出光面的底面(22)，其特征在于在导光板的底面(22)上设置了反射棱镜，该反射棱镜具有在沿入射端面(20)的方向上延伸的楔状反射槽(4)和为了不形成楔状反射槽，沿着与该楔状反射槽(4)延伸的方向交叉的方向分断该楔状反射槽的带状分断平坦部(5)，其中，上述楔状反射槽(4)的深度随着距入射端面(20)的距离增加而加深，上述带状分断平坦部(5)的宽度随着距入射端面(20)的距离增加而渐减。

公开(公告)号：CN1304548A

公开(公告)日：2001-07-18

申请号：CN00800825.6

申请日：2000-03-08

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  精工爱普生株式会社

Inventor： 小川哲也 ,  时冈秀忠 ,  佐藤行雄 ,  井上满夫 ,  笹川智广 ,  宫坂光敏

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/20

Abstract: 把由波长350nm以上至800nm以下的脉冲激光光源(101)发生的聚光激光光束(102)成形为具有宽度(WO)和长度(LO)的线状光束(300),对形成于基板(203)的膜材料(201)照射线状光束(300),对非晶质或者多结晶的硅膜材料进行激光热处理。

公开(公告)号：CN100354719C

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN02824641.1

申请日：2002-12-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 上里将史 ,  井上满夫 ,  山本卓 ,  吉田重之 ,  坂本孝雄

IPC: G02F1/13357

CPC classification number: G02F1/1336 ,  G02F1/13454 ,  G02F2001/133616 ,  G02F2001/133618 ,  G02F2001/133626 ,  G02F2201/58 ,  G02F2203/02 ,  G09G3/3406 ,  G09G3/3648 ,  G09G2300/0408 ,  G09G2320/0626 ,  G09G2320/0633 ,  G09G2320/064 ,  G09G2360/144 ,  G09G2360/145 ,  H01L27/1251

Abstract: 提供一种反射型液晶显示装置，该装置与液晶显示屏(1)形成为一体，通过设置在显示面附近的多个光传感器(10)来检测显示面照度，基于该检测结果，通过照明控制电路(22)对前光源(照明单元)(19)的发光强度进行控制，以使显示面照度成为规定的大小。即使反射型液晶显示装置的使用环境变了，即，即使从装置外部入射到显示面的外光强度变化，利用该结构也能自动地对前光源的发光量进行调光，能够自动地保持最佳的显示亮度，且可以抑制电力消耗。

公开(公告)号：CN1227638C

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN02800787.5

申请日：2002-03-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 冈部正志 ,  井上满夫 ,  岩田修司 ,  山本卓

IPC: G09G3/30

CPC classification number: G09G3/3233 ,  G09G2300/0819 ,  G09G2300/0852 ,  G09G2300/0861 ,  G09G2310/06 ,  G09G2320/0233 ,  G09G2320/043

Abstract: 本发明的自发光型显示装置，在利用有源矩阵方式的驱动电路之中，补偿控制发光元件电流的晶体管的门限电压的波动时，防止噪声电流流入发光元件，从而使亮度精度提高。其结构是：设置可将自发光元件的电极短路的开关元件，在噪声电流流入发光元件的时间内，导通该开关元件，使噪声电流通过修路该开关元件流走。

公开(公告)号：CN1179401C

公开(公告)日：2004-12-08

申请号：CN00800825.6

申请日：2000-03-08

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  精工爱普生株式会社

Inventor： 小川哲也 ,  时冈秀忠 ,  佐藤行雄 ,  井上满夫 ,  笹川智广 ,  宫坂光敏

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/20

Abstract: 把由波长350nm以上至800nm以下的脉冲激光光源(101)发生的聚光激光光束(102)成形为具有宽度(WO)和长度(L0)的线状光束(300)，对形成于基板(203)的膜材料(201)照射线状光束(300)，对非晶质或者多结晶的硅膜材料进行激光热处理。

公开(公告)号：CN1156894C

公开(公告)日：2004-07-07

申请号：CN00800777.2

申请日：2000-01-14

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 宫坂光敏 ,  小川哲也 ,  时冈秀忠 ,  佐藤行雄 ,  井上满夫 ,  笹川智广

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02683 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757

Abstract: 一种以在基板上被形成的硅作为主体的结晶性半导体膜作为有源层来使用的半导体装置的制造方法，包括：在基板上形成成为基底保护膜的氧化硅膜的基底保护膜形成工序；在该基底保护膜上形成以硅作为主体的半导体膜的第一工序；以及对半导体膜照射脉冲激光的第二工序，脉冲激光的波长定为370nm以上至710nm以下。由此，采用低温工艺可容易地且稳定地制造高性能的薄膜半导体装置。

公开(公告)号：CN1460241A

公开(公告)日：2003-12-03

申请号：CN02800797.2

申请日：2002-03-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 岩田修司 ,  冈部正志 ,  井上满夫 ,  山本卓

IPC: G09G3/30 ,  G09G3/20

CPC classification number: G09G3/3233 ,  G09G2300/0417 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2300/0809 ,  G09G2300/0819 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/088 ,  G09G2320/0233 ,  G09G2320/043 ,  G09G2320/045 ,  G09G2330/021 ,  G09G2360/145 ,  G09G2360/148 ,  H01L27/3269

Abstract: 提供一种自发光型显示装置，可以抑制发光象素的驱动用元件的特性波动，没有发光元件的发光亮度的波动，且耗电少。其中，在以矩阵状配置的多个发光象素的每一个上设置接收发光象素的发光的光电变换部，用从光电变换部得到的电压控制流过发光象素的电流。而且，还具备即使光电变换部的变换增益有变化，也能抑制发光象素的亮度变化的单元。

公开(公告)号：CN1459088A

公开(公告)日：2003-11-26

申请号：CN02800727.1

申请日：2002-03-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 井上满夫 ,  冈部正志 ,  岩田修司 ,  山本卓

IPC: G09G3/30 ,  G09G3/20

CPC classification number: G09G3/3233 ,  G09G2300/0417 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2300/0819 ,  G09G2300/0852 ,  G09G2300/0861 ,  G09G2300/088 ,  G09G2320/0233 ,  G09G2320/029 ,  G09G2320/043 ,  G09G2320/045 ,  G09G2360/148 ,  H01L27/3269

Abstract: 提供一种自发光型显示装置，可以在有源矩阵方式的自发光型显示装置的象素驱动电路中，抑制控制发光元件的电流的晶体管的阈值电压的波动、和发光元件发出的光阈值电压的波动，由此可以抑制发光元件的亮度波动。其中，检测发光元件发出的光的光检测元件与电阻串联连接，通过其连接点的电位检测晶体管的阈值电压。并设置由光检测元件的信号控制的晶体管，以检测发光元件发出的光阈值电压。