公开(公告)号：CN107873085A

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201680007246.9

申请日：2016-01-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 松井秀树 ,  国枝达也 ,  尾込智和 ,  冈田正明 ,  吉冈贞明

IPC: G01R33/038 ,  G01R33/09 ,  G07D7/04

Abstract: 本发明的磁传感器装置具有棒状的磁体(9)；软磁性载体(7a)，该软磁性载体(7a)沿着磁体(9)的长边方向与磁体(9)平行地配置，在与面向磁体(9)的面相反侧的面上设置有磁阻效应元件(4)，且该软磁性载体(7a)在长边方向上沿着磁体(9)的全长而延伸；以及引导件(14)，该引导件(14)具有介于磁体(9)与软磁性载体(7a)之间的底部、以及随着在磁体(9)的面向软磁性载体(7a)的面上沿着长边方向相接的侧面从所述底部立起设置的侧壁部，该引导件(14)的底部及侧壁部由与磁体(9)相接且在长边方向上延伸的非磁性体来形成。利用与软磁性载体(7a)之间的磁吸引力，使磁体(9)夹着引导件(14)被吸附并保持于软磁性载体(7a)。

公开(公告)号：CN104969084B

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201480007669.1

申请日：2014-02-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 浅野启行 ,  庄司俊明 ,  尾込智和 ,  下畑贤司 ,  冈田正明 ,  加贺野未来 ,  樋野雅司 ,  松井秀树

IPC: G01R33/09 ,  G01R33/02

CPC classification number: G01D5/16 ,  G01R33/09

Abstract: 磁场生成部配置于为片状且包含磁性分量的被检测物(4)的一个面侧。磁场生成部包括构成第一磁极的第一磁极部和构成与第一磁极相反的第二磁极的第二磁极部。磁体生成部生成与被检测物(4)相交叉的交叉磁场。MR元件(3)配置在第一磁极部和被检测物(4)之间。MR元件(3)根据交叉磁场的传送方向上的分量变化，电阻值发生变化。MR元件(3)的传送方向上的位置是从第一磁极部的传送方向上的中心位置沿传送方向偏移的位置，是第一磁极部的传送方向上的两端之间的位置。

公开(公告)号：CN103842838A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201280023413.0

申请日：2012-05-11

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 尾込智和 ,  浅野启行 ,  庄司俊明 ,  武舎武史 ,  井上甚 ,  冈田正明 ,  加贺野未来 ,  真壁和也 ,  下畑贤司 ,  岸本健

IPC: G01R33/09

CPC classification number: G01R33/09 ,  G01D5/147 ,  G01N27/72 ,  G01R33/096 ,  G07D7/04

Abstract: 磁传感器装置具备相对于搬运路(2)而相互位于相反侧的第一磁铁(6)和第二磁铁(7)，第一磁铁(6)的各磁极与第二磁铁(7)的与该磁极不同的磁极相向。通过第一磁铁(6)和第二磁铁(7)，生成与搬运方向正交的间隔方向的磁场强度为既定的范围的交叉磁场。AMR元件(10)位于交叉磁场的间隔方向的磁场强度为既定的范围的强磁场强度区域，将被检测体(5)引起的交叉磁场的搬运方向的分量的变化作为电阻值的变化而检测。多层基板(9)将AMR元件(10)所检测到的电阻值的变化输出至处理电路(15)。