公开(公告)号：CN102044559B

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201010267658.0

申请日：2010-08-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 本田成人 ,  楢崎敦司 ,  本并薰

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/0615 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/66128 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/8611

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。提供在具有场板结构和RESURF形成结构的半导体装置的制造工艺中，能够防止抗蚀剂涂敷时的涂敷不均产生、并且谋求照相制版时的聚焦裕度提高的半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置在半导体衬底(7)的表面中形成有电极层(8)和凹陷部(12)。进而，在半导体衬底(7)中，形成有与凹陷部(12)的底面和电极层(8)接触的RESURF层。此外，以填充凹陷部(12)的方式，在半导体衬底(7)的上表面(13)形成绝缘膜(15)。此外，在凹陷部(12)的上方的绝缘膜(15)上形成有场板电极(11)。

公开(公告)号：CN102610634A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201210018534.8

申请日：2012-01-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 本田成人

IPC: H01L29/36 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/36

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置和半导体装置的制造方法，能够降低集电极层的载流子浓度峰值位置的载流子浓度，并且，该载流子浓度不容易受到制造环境气氛所引起的污染的影响。本发明发明的半导体装置的特征在于，具有：半导体基板，该半导体基板具有载流子浓度最大的载流子浓度峰值位置位于从表面离开1μm以上的位置的集电极层；集电极电极，以与该集电极层的表面接触的方式形成。

公开(公告)号：CN102044559A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN201010267658.0

申请日：2010-08-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 本田成人 ,  楢崎敦司 ,  本并薰

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/0615 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/66128 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/8611

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。提供在具有场板结构和RESURF形成结构的半导体装置的制造工艺中，能够防止抗蚀剂涂敷时的涂敷不均产生、并且谋求照相制版时的聚焦裕度提高的半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置在半导体衬底(7)的表面中形成有电极层(8)和凹陷部(12)。进而，在半导体衬底(7)中，形成有与凹陷部(12)的底面和电极层(8)接触的RESURF层。此外，以填充凹陷部(12)的方式，在半导体衬底(7)的上表面(13)形成绝缘膜(15)。此外，在凹陷部(12)的上方的绝缘膜(15)上形成有场板电极(11)。