公开(公告)号：CN102971836A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201180032637.3

申请日：2011-06-23

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 斋藤真规 ,  斋尾崇 ,  荒田忍 ,  公文创一 ,  七井秀寿

IPC: H01L21/304

CPC classification number: B08B3/04 ,  C07F7/10 ,  C07F7/12 ,  C07F7/1804

Abstract: [课题]本发明涉及在半导体器件制造中防止凹凸图案（2）的至少凹部表面含有含硅元素物质的晶片（1）或者该凹凸图案（2）的至少凹部表面的一部分含有选自由钛、氮化钛、钨、铝、铜、锡、氮化钽和钌组成的组中的至少1种物质的晶片（1)的图案倾塌同时对晶片进行清洗的方法，提供了能够进行有效清洗的拒水性保护膜形成剂和含该形成剂的拒水性保护膜形成用化学溶液以及使用了该化学溶液的晶片的清洗方法。[解决方法]用于在上述晶片的清洗中在前述晶片的至少凹部表面形成拒水性保护膜的拒水性保护膜形成剂，前述形成剂是下述通式[1]所示的硅化合物。R1aSiX4-a[1]

公开(公告)号：CN102934207A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201180028305.8

申请日：2011-06-03

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 公文创一 ,  斋尾崇 ,  荒田忍 ,  斋藤真规 ,  两川敦 ,  山田周平 ,  七井秀寿 ,  赤松佳则

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/306 ,  G03F7/40

Abstract: 公开了一种用于在清洗表面具有微细凹凸图案（2）且该凹凸图案（2）的至少一部分含有硅元素的晶片（1）时在该凹凸图案（2）的至少凹部表面形成拒水性保护膜（10）的化学溶液。该化学溶液包含通式：R1aSi(H)bX4-a-b所示的硅化合物A和酸A，该酸A选自由三氟乙酸三甲基硅酯、三氟甲磺酸三甲基硅酯、三氟乙酸二甲基硅酯、三氟甲磺酸二甲基硅酯、三氟乙酸丁基二甲基硅酯、三氟甲磺酸丁基二甲基硅酯、三氟乙酸己基二甲基硅酯、三氟甲磺酸己基二甲基硅酯、三氟乙酸辛基二甲基硅酯、三氟甲磺酸辛基二甲基硅酯、三氟乙酸癸基二甲基硅酯和三氟甲磺酸癸基二甲基硅酯组成的组中的至少1种。