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公开(公告)号：CN103718277B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201280037156.6
申请日：2012-06-13
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3065 , C09K13/00 , C09K13/08 , H01L21/31116 , H01L21/32137
Abstract: [课题]提供对地球环境的影响小且具有所需要的性能的干蚀刻剂。[解决手段]提供一种干蚀刻剂，其分别以特定的体积%包含(A)式CaFbHc(式中，a、b和c分别表示正整数，并且满足2≤a≤5、c＜b≥1、2a+2＞b+c、b≤a+c的关系。其中，a=3、b=4、c=2的情况除外。)所示的含氟不饱和烃、(B)选自由O2、O3、CO、CO2、COCl2、COF2、F2、NF3、Cl2、Br2、I2以及YFn(其中，Y表示Cl、Br或I。n表示1～5的整数。)组成的组中的至少一种气体、和(C)选自由N2、He、Ar、Ne、Xe以及Kr组成的组中的至少一种气体。
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公开(公告)号：CN103429790A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201280013502.7
申请日：2012-01-27
Applicant: 中央硝子株式会社
CPC classification number: C25B11/0478 , C25B1/245 , C25B11/12 , C25D3/66 , C25D9/06
Abstract: 本发明的氟化合物的电解合成用电极具备：电极基材，至少其表面由导电性炭材料构成；导电性金刚石层，覆盖于前述电极基材表面的一部分上；和含金属氟化物膜，覆盖于没有被前述导电性金刚石层覆盖的前述电极基材的露出部上。该电解合成用电极能够抑制电极表面上的氟化石墨层的生成，防止电极的有效电解面积的减少，在包含氟化氢的熔融盐电解浴中稳定地实施电解。
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公开(公告)号：CN102369591A
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN201080014661.X
申请日：2010-02-26
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205 , C01B7/20
CPC classification number: C01B7/20 , B01F3/028 , B01F15/0408 , G05D11/132
Abstract: 本发明的课题在于提供一种能够以稳定、大量且具有精确的浓度的状态将由氟气产生装置产生的氟气供给到半导体处理装置的氟气的当场气体混合及稀释系统。该氟气的供给系统具有下述结构，即，将储存在缓冲罐内的混合气体导入到在进行缓冲罐内调整混合气体前的导入气体的气体导入配管，使混合气体循环，此外，设有用于测量混合气体中的氟浓度的监视装置，能够根据获得的氟浓度而调整非活性气体供给源的流量。
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公开(公告)号：CN117136426A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202280028361.X
申请日：2022-04-26
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/302
Abstract: 本发明的目的在于，提供利用能够在无等离子体且低温下去除金属氧化物或金属的气体组合物进行的表面处理方法。本发明的表面处理方法的特征在于，其使气体与被处理体的表面接触，所述气体包含β‑二酮、第一添加气体和第二添加气体，所述第一添加气体为NO，所述第二添加气体为选自由O2及NO2组成的组中的至少1种。
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公开(公告)号：CN112533873A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201980052339.7
申请日：2019-07-12
Applicant: 中央硝子株式会社
Abstract: 本发明的一实施方式的六氟化钨的制造方法包括如下工序：第1工序，使具有氧化覆膜的钨、与氟气或非活性气体在反应器内接触，得到去除了氧化覆膜的钨，所述氟气或非活性气体包含50体积ppm以上且50体积％以下的氟化氢；及第2工序，使第1工序中去除了氧化覆膜的钨、与含氟气体接触而得到六氟化钨。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106663626B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201580044038.1
申请日：2015-09-07
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/302 , H01L21/304
Abstract: 本发明抑制在使用含有七氟化碘的蚀刻气体进行蚀刻时的不良情况。提供一种附着物的去除方法，其中使用含有含氟气体的清洁气体去除附着于构成腔室的部件或与所述腔室连接的配管的表面的含有碘氧化物的附着物。此外，提供一种干式蚀刻方法，其包括：向腔室内供给含有含碘气体的蚀刻气体而对基板表面进行蚀刻的工序，以及在对所述基板表面进行蚀刻后，使用含有含氟气体的清洁气体去除附着于构成腔室的部件或与所述腔室连接的配管的表面的含有碘氧化物的附着物的工序。
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公开(公告)号：CN106663626A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580044038.1
申请日：2015-09-07
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/302 , H01L21/304
Abstract: 本发明抑制在使用含有七氟化碘的蚀刻气体进行蚀刻时的不良情况。提供一种附着物的去除方法，其中使用含有含氟气体的清洁气体去除附着于构成腔室的部件或与所述腔室连接的配管的表面的含有碘氧化物的附着物。此外，提供一种干式蚀刻方法，其包括：向腔室内供给含有含碘气体的蚀刻气体而对基板表面进行蚀刻的工序，以及在对所述基板表面进行蚀刻后，使用含有含氟气体的清洁气体去除附着于构成腔室的部件或与所述腔室连接的配管的表面的含有碘氧化物的附着物的工序。
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公开(公告)号：CN103003925B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201180034216.4
申请日：2011-06-24
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/3065 , C07C21/18 , C09K13/08
CPC classification number: C09K13/00 , C09K13/08 , H01L21/31116
Abstract: 本发明的干蚀刻剂包含(A)1,3,3,3-四氟丙烯、(B)选自由H2、O2、CO、O3、CO2、COCl2、CF3OF、COF2、NO2、F2、NF3、Cl2、Br2、I2、CH4、C2H2、C2H4、C2H6、C3H4、C3H6、C3H8、HI、HBr、HCl、NO、NH3以及YFn(式中，Y表示Cl、Br或I，n表示整数，1≦n≦7)组成的组中的至少1种添加气体和(C)非活性气体。该干蚀刻剂对地球环境的影响小，可以飞跃性地拓宽工艺窗口，还可应对要求侧蚀刻率小、高深宽比的加工而无需特殊的基板的激发操作等。
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公开(公告)号：CN103748671A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201280041348.4
申请日：2012-08-16
Applicant: 大日本网屏制造株式会社 , 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/8247 , H01L21/28 , H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L27/115 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC classification number: H01L21/32135 , H01L21/30604 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/6719 , H01L27/11578 , H01L27/11582 , H01L29/66833 , H01L29/7926
Abstract: 一种图案形成方法，其能够在基板上形成从层叠有绝缘膜和导电性膜的层叠膜上所形成的孔的内周面开始有选择性且精度优良地使导电性膜后退的图案。一种图案形成方法，其包括：在基板上以交替方式层叠绝缘膜和多晶硅膜，从而形成分别含有至少两层的前述绝缘膜和前述多晶硅膜的层叠膜的工序；在前述层叠膜上形成贯通至少两层的前述绝缘膜和至少两层的前述多晶硅膜的孔的工序；以及，将用非活性气体稀释氟系卤素气体而成的蚀刻气体导入所述孔内进行各向同性蚀刻，由此从所述孔的侧壁开始有选择性地蚀刻所述多晶硅膜的选择蚀刻工序。
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