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发明公开
半导体装置有权转让

公开(公告)号：CN104900690A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201510093283.3

申请日：2015-03-02

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 大河原淳 , 山下侑佑 , 町田悟

IPC: H01L29/739 , H01L29/10

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其在采用了具有肖特基接触的二极管结构的RC-IGBT中，对栅极干扰进行抑制。所述半导体装置具有半导体基板(12)，该半导体基板(12)具有二极管区域(92)和IGBT区域(90)。该半导体装置中，二极管区域(92)具有：p型的阳极区(34)，其与阳极电极(14)欧姆接触；n型的多个柱区(24)，其与阳极电极(14)肖特基接触；n型的势垒区(26)；n型的二极管漂移区(28)；以及n型的阴极区(36)。第一柱区(24a)相对于阳极电极(14)的导通电阻与位于距IGBT区域(90)较近的位置处的第二柱区(24b)相对于阳极电极(14)的导通电阻相比较高。

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