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公开(公告)号：CN107532329A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680027101.5
申请日：2016-03-16
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: C30B29/36 , C30B19/10 , H01L21/208
CPC classification number: C30B19/10 , C30B9/06 , C30B19/04 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02529 , H01L21/02625 , H01L21/02628
Abstract: 提供能够抑制SiC多晶产生的SiC单晶的制造方法。本实施方式的SiC单晶的制造方法为利用溶液生长法的SiC单晶的制造方法。本实施方式的SiC单晶的制造方法具备输出功率升高工序(S1)、接触工序(S2)和生长工序(S4)。输出功率升高工序(S1)中，将感应加热装置(3)的高频输出功率升高到晶体生长时的高频输出功率。接触工序(S2)中，使SiC晶种(8)与Si‑C溶液(7)接触。接触工序(S2)中的感应加热装置(3)的高频输出功率大于晶体生长时的高频输出功率的80％。接触工序(S2)中的Si‑C溶液(7)的温度低于晶体生长温度。生长工序(S4)中，在晶体生长温度下使SiC单晶生长。
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公开(公告)号：CN106795648A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201580054987.8
申请日：2015-10-07
IPC: C30B29/36 , C30B19/10 , C30B30/04 , H01L21/208
CPC classification number: C30B15/14 , C30B9/06 , C30B15/20 , C30B15/30 , C30B15/305 , C30B17/00 , C30B19/04 , C30B19/062 , C30B19/067 , C30B19/08 , C30B19/10 , C30B29/36 , C30B30/04
Abstract: 本发明提供能够使台阶流动的方向和SiC溶液在晶体生长界面的附近流动的方向为相反方向的SiC单晶的制造装置和SiC单晶的制造方法。坩埚由石墨形成，用于容纳SiC溶液。第1感应加热线圈和第2感应加热线圈卷绕在坩埚的周围。第1感应加热线圈配置于比SiC溶液的表面靠上方的位置。第2感应加热线圈配置于第1感应加热线圈的下方。电源用于向第1感应加热线圈供给第1交变电流且向第2感应加热线圈供给第2交变电流，该第2交变电流具有与第1交变电流相同的频率且向与第1交变电流相反的方向流动。自坩埚所具有的侧壁中的与SiC溶液相接触的部分的、因电源向第1感应加热线圈供给第1交变电流且向第2感应加热线圈供给第2交变电流而产生的磁场的强度达到最大的位置到SiC溶液的表面为止的距离满足预定的式子。
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公开(公告)号：CN103562443B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201180069491.X
申请日：2011-07-27
CPC classification number: C30B15/22 , C30B17/00 , C30B19/04 , C30B19/061 , C30B19/12 , C30B29/36 , Y10T117/1032
Abstract: 一种SiC单晶的制造方法，一边在石墨坩埚内的Si熔液内维持从内部到熔液面温度降低的温度梯度、一边以接触该熔液面的SiC籽晶为起点使SiC单晶生长，其中，在使成为SiC单晶的生长起点的SiC籽晶的结晶生长面接触上述熔液面时，将熔液向SiC籽晶的侧面的润升高度设定为从结晶生长面生长了的SiC单晶和从侧面生长了的SiC单晶作为一体的SiC单晶而生长的范围内。一种SiC单晶的制造装置，具有：石墨坩埚；用于将上述坩埚内的原料加热熔化从而形成上述原料熔液并且维持SiC单晶的生长所需的温度梯度的加热单元；在下端保持籽晶的支持棒；和保持机构，其维持上述保持以使得熔液向SiC籽晶的侧面的润升高度处于从结晶生长面生长了的SiC单晶和从侧面生长了的SiC单晶作为一体的SiC单晶而生长的范围内。
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公开(公告)号：CN104603336A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201380045663.9
申请日：2013-08-12
CPC classification number: H01L21/02628 , C30B9/06 , C30B17/00 , C30B29/36 , H01L21/02529 , H01L21/02598
Abstract: 在溶液法中，提供能够比以往大幅提高生长速度的SiC单晶体的制造方法。一种SiC单晶体的制造方法，使晶种基板接触被放入到坩埚内且具有温度从内部朝向液面降低的温度梯度的Si-C溶液，而晶体生长SiC单晶体，其中，所述坩埚的深度/内径小于1.71，从Si-C溶液的液面至液面下10mm的范围的温度梯度大于42℃/cm。
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公开(公告)号：CN103597129A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201280027616.7
申请日：2012-06-11
CPC classification number: C30B15/10 , C30B17/00 , C30B19/02 , C30B19/08 , C30B29/36 , C30B35/00 , Y10T117/1032
Abstract: 一种SiC单晶体的制造装置既抑制SiC溶液的周边区域的温度不均匀，同时又冷却SiC种结晶的附近区域。该SiC单晶体的制造装置包括籽晶轴（30）以及坩埚（14）。籽晶轴（30）具有供SiC种结晶（36）安装的下端面（34）。坩埚（14）用于容纳SiC溶液（16）。坩埚（14）包括主体（140）、中盖（42）和上盖（44）。主体（140）包括第1筒部（38）和配置于第1筒部（38）的下端部的底部（40）。中盖（42）配置于主体（140）内的SiC溶液（16）的液面的上方、且是第1筒部（38）内。中盖（42）具有使籽晶轴（30）穿过的第1通孔（48）。上盖（44）配置于中盖（42）的上方。上盖（44）具有使籽晶轴（30）穿过的第2通孔（52）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103562443A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201180069491.X
申请日：2011-07-27
CPC classification number: C30B15/22 , C30B17/00 , C30B19/04 , C30B19/061 , C30B19/12 , C30B29/36 , Y10T117/1032
Abstract: 一种SiC单晶的制造方法，一边在石墨坩埚内的Si熔液内维持从内部到熔液面温度降低的温度梯度、一边以接触该熔液面的SiC籽晶为起点使SiC单晶生长，其中，在使成为SiC单晶的生长起点的SiC籽晶的结晶生长面接触上述熔液面时，将熔液向SiC籽晶的侧面的润升高度设定为从结晶生长面生长了的SiC单晶和从侧面生长了的SiC单晶作为一体的SiC单晶而生长的范围内。一种SiC单晶的制造装置，具有：石墨坩埚；用于将上述坩埚内的原料加热熔化从而形成上述原料熔液并且维持SiC单晶的生长所需的温度梯度的加热单元；在下端保持籽晶的支持棒；和保持机构，其维持上述保持以使得熔液向SiC籽晶的侧面的润升高度处于从结晶生长面生长了的SiC单晶和从侧面生长了的SiC单晶作为一体的SiC单晶而生长的范围内。
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公开(公告)号：CN107532328B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201680027058.2
申请日：2016-03-17
Applicant: 丰田自动车株式会社
Abstract: 本发明的实施方式的利用溶液生长法的SiC单晶的制造方法具备生成工序和生长工序。生成工序中，将容纳于坩埚(5)的Si‑C溶液(7)的原料熔融、生成Si‑C溶液(7)。生长工序中，使安装于籽晶轴(6)的SiC晶种(8)与Si‑C溶液(7)接触、在SiC晶种(8)的晶体生长面(8S)生长SiC单晶。生长工序中，将Si‑C溶液(7)升温的同时使SiC单晶生长。本发明的实施方式的SiC单晶的制造方法容易使所希望的多晶型的SiC单晶生长。
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公开(公告)号：CN105593414B
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201480052509.9
申请日：2014-08-27
Applicant: 丰田自动车株式会社
CPC classification number: C30B19/10 , C30B9/10 , C30B19/02 , C30B19/062 , C30B19/068 , C30B19/08 , C30B19/12 , C30B29/36 , H01L21/02529 , H01L21/02598 , H01L21/02609 , H01L21/02628 , H01L29/045 , H01L29/1608
Abstract: 本发明提供了一种具有大的生长厚度且不包含夹杂物的SiC单晶。所述SiC单晶是通过溶液法生长的SiC单晶，其中，SiC单晶的{0001}生长面中的{1‑100}面的合计长度M与SiC单晶的生长面的外周长度P满足M/P≤0.70的关系，并且SiC单晶的生长方向的长度为2mm以上。
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公开(公告)号：CN107532328A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680027058.2
申请日：2016-03-17
Applicant: 丰田自动车株式会社
CPC classification number: C30B19/10 , C30B9/06 , C30B19/04 , C30B19/08 , C30B23/025 , C30B25/20 , C30B29/36 , C30B29/68
Abstract: 本发明的实施方式的利用溶液生长法的SiC单晶的制造方法具备生成工序和生长工序。生成工序中，将容纳于坩埚(5)的Si‑C溶液(7)的原料熔融、生成Si‑C溶液(7)。生长工序中，使安装于籽晶轴(6)的SiC晶种(8)与Si‑C溶液(7)接触、在SiC晶种(8)的晶体生长面(8S)生长SiC单晶。生长工序中，将Si‑C溶液(7)升温的同时使SiC单晶生长。本发明的实施方式的SiC单晶的制造方法容易使所希望的多晶型的SiC单晶生长。
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公开(公告)号：CN104662211B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201380046191.9
申请日：2013-08-30
CPC classification number: C30B19/10 , C30B19/04 , C30B19/062 , C30B19/067 , C30B19/068 , C30B19/12 , C30B29/36
Abstract: 制造装置(10)用于利用溶液生长法制造单晶。制造装置(10)包括晶种轴(28)、坩埚(14)、以及驱动源(26)。晶种轴具有安装有晶种(32)的下端面(28S)。坩埚(14)容纳成为单晶的原料的溶液(15)。驱动源(26)使坩埚(14)旋转，并且使坩埚(14)的转速变化。坩埚(14)的内周面含有横切形状为非圆形的流动控制面(382)。该单晶的制造装置能够强烈地搅拌坩埚所容纳的溶液。
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