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公开(公告)号：CN112672976B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN201980057578.1
申请日：2019-08-29
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人筑波大学
IPC: C01B32/168 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/174 , H01B1/04 , H01B5/00 , H01B5/02 , H01B13/00
Abstract: 所述碳纳米管复合体集合线是包括多个碳纳米管复合体的碳纳米管复合体集合线，其中多个碳纳米管复合体各自包括一个碳纳米管和被覆各碳纳米管的包含无定形碳的层，碳纳米管的D/G比不超过0.1，D/G比是波长为532nm的拉曼光谱分析中D带的峰强度与G带的峰强度之比。多个碳纳米管复合体各自呈纤维状并且直径为0.1μm至50μm，并且多个碳纳米管复合体沿碳纳米管复合体集合线的纵向方向取向。
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公开(公告)号：CN114341262B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202080061094.7
申请日：2020-08-28
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人筑波大学
Abstract: 一种碳纳米管‑树脂复合体，具备：包含多个碳纳米管的碳纳米管集合线、和树脂，在所述碳纳米管集合线中，所述碳纳米管以0.9以上1以下的定向度定向。
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公开(公告)号：CN117836240A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202280057313.3
申请日：2022-08-18
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人筑波大学
IPC: C01B32/164 , D01F9/133
Abstract: 作为能在管状的碳纳米管合成炉内高效地制造碳纳米管集合线的、碳纳米管集合线的制造方法，从位于碳纳米管合成炉的第二端部(回收碳纳米管集合线的一侧)与加热装置中的所述第二端部侧的端部之间的附着抑制用气体释放口起，在碳纳米管合成炉的内壁与使碳纳米管取向而形成碳纳米管集合线的第一流路的外壁之间沿从所述第二端部朝向第一端部(供给含碳气体的一侧)的方向产生附着抑制用气流，从而抑制多个碳纳米管附着于所述碳纳米管合成炉的内壁。
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公开(公告)号：CN114341262A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202080061094.7
申请日：2020-08-28
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人筑波大学
Abstract: 一种碳纳米管‑树脂复合体，具备：包含多个碳纳米管的碳纳米管集合线、和树脂，在所述碳纳米管集合线中，所述碳纳米管以0.9以上1以下的定向度定向。
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公开(公告)号：CN114341054A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202080061114.0
申请日：2020-08-28
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人筑波大学
IPC: C01B32/168 , D01F9/127
Abstract: 一种碳纳米管集合线，包含多个碳纳米管，在所述碳纳米管集合线的拉曼光谱中，在拉曼位移120cm‑1以上210cm‑1以下的范围内的积分强度IA与拉曼位移超过210cm‑1且为280cm‑1以下的范围内的积分强度IB之比IB/IA为0.1以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112672976A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201980057578.1
申请日：2019-08-29
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人筑波大学
IPC: C01B32/168 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/174 , H01B1/04 , H01B5/00 , H01B5/02 , H01B13/00
Abstract: 所述碳纳米管复合体集合线是包括多个碳纳米管复合体的碳纳米管复合体集合线，其中多个碳纳米管复合体各自包括一个碳纳米管和被覆各碳纳米管的包含无定形碳的层，碳纳米管的D/G比不超过0.1，D/G比是波长为532nm的拉曼光谱分析中D带的峰强度与G带的峰强度之比。多个碳纳米管复合体各自呈纤维状并且直径为0.1μm至50μm，并且多个碳纳米管复合体沿碳纳米管复合体集合线的纵向方向取向。
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公开(公告)号：CN105073635B
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201480010925.2
申请日：2014-01-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C01B32/15 , B01J23/745
CPC classification number: C01B31/0233 , B01J23/74 , B01J23/745 , B01J35/0013 , B82Y40/00 , C01B32/15 , C01B32/162 , C23C16/04 , C23C16/26 , C23C16/46
Abstract: 用于制造碳纳米结构体的方法包括用于制备基体的制备步骤(S10)和氧化步骤(S20)以及用于使碳纳米颗粒生长的步骤(S30)。在制备基体的步骤中，制备了这样的基体，其中催化剂部件和分离部件的接触部分或一体化部分中的至少一部分被氧化。在步骤(S30)中，碳纳米结构体在催化剂部件和分离部件的分离界面区域中生长。步骤(S30)包括以下步骤的至少一个：向催化剂部件中面向所述分离界面的区域的部分局部地供给原料气体的步骤，其中所述碳纳米结构体在所述分离界面区域生长；以及局部地加热所述分离界面区域的步骤。该方法使得能够提供一种抑制弯曲等情况的发生的长碳纳米结构体和用于制造该碳纳米结构体的方法，以及在制造该纳米结构体的方法中使用的制造装置。
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公开(公告)号：CN105073252A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201480009989.0
申请日：2014-02-20
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: B01J23/755 , B01J21/185 , B01J23/20 , B01J23/24 , B01J23/34 , B01J23/48 , B01J23/56 , B01J23/74 , B01J35/0033 , B01J37/0238 , B01J37/349 , C01B32/05 , C01B32/15
Abstract: 本发明中提供了一种具有基体部件(5)和碳纳米结构体(10)的多孔部件。基体部件(5)包括孔隙率为80％或更高的多孔体。碳纳米结构体(10)形成在基体部件(5)的表面上，且具有100nm或更小的宽度。还提供一种催化剂部件，其具有位于碳纳米结构体的表面上的催化剂。
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公开(公告)号：CN102026918A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200980117669.6
申请日：2009-05-08
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C01B31/02
CPC classification number: H01B13/0036 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/16 , C01B2202/34 , C01B2202/36 , H01B1/04 , H01B1/24 , H01L51/0021 , H01L51/0048 , H01L51/102 , H01L51/444 , H01L51/5203 , Y10S977/89 , Y10S977/932
Abstract: 本发明提供一种利用具有足够低的电阻值的CNT等碳纤维形成的碳线，以及使用这种碳线的线组件。碳线(1)包括组件部分(3)和石墨层(4)。所述组件部分(3)由多根碳纤维构成，这些碳纤维是由相互接触的碳纳米管(2)形成的。所述石墨层(4)设置在所述组件部分(3)的外周。
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公开(公告)号：CN1964918B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200580018793.9
申请日：2005-05-19
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 日方威
IPC: C01B31/02 , B01J23/745
CPC classification number: B82Y30/00 , B01J23/686 , B01J23/89 , B01J23/8906 , B01J23/8913 , B01J23/892 , B01J37/0009 , B21C1/003 , B21C37/047 , B82Y40/00 , C01B32/162
Abstract: 本发明披露一种制备碳纳米结构体的方法，该方法能够增加碳纳米结构体形状的均匀度和纯度，并能降低生产成本。在制备碳纳米结构体的方法中，从含有催化剂材料(11)的催化剂基材(17)的晶体生长表面通过气相外延生长碳晶体，并且该催化剂基材(17)通过减小直径处理形成。催化剂基材(17)优选形成为含有多个催化剂结构体排列的集合体，分别用一种对碳晶体生长没有实质催化功能的材料的非催化剂材料(12)形成，在具有晶体生长表面作为顶面的柱状的催化剂材料(11)的至少一部分侧面上形成。此外，非催化剂材料(15)优选在该集合体侧面的至少一部分上形成，并且该催化剂结构体在该晶体生长表面上的催化剂材料(11)表面积优选具有最多CV10％的变化。
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