公开(公告)号：CN116888068A

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202280015527.4

申请日：2022-02-24

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  国立大学法人筑波大学

Inventor： 日方威 ,  藤森利彦 ,  山下大之 ,  大久保总一郎 ,  小野木伯薰 ,  藤田淳一

IPC: C01B32/164

Abstract: 本公开的碳纳米管集合线的制造方法包括：第1工序，在管状的碳纳米管合成炉内，向浮游状态的多个催化剂粒子供给含碳气体，由此使碳纳米管从所述多个催化剂粒子分别生长而得到多个碳纳米管；以及第2工序，使所述多个碳纳米管集合而得到多个碳纳米管集合线，所述第2工序包括：第2A工序，使由所述多个碳纳米管的一部分构成的第1碳纳米管组在第1流路内沿着所述碳纳米管的长尺寸方向取向并集合，从而得到第1碳纳米管集合线；以及第2B工序，使由与构成所述第1碳纳米管组的多个碳纳米管不同的所述多个碳纳米管的一部分构成的第2碳纳米管组在第2流路内沿着所述碳纳米管的长尺寸方向取向并集合，从而得到第2碳纳米管集合线。

公开(公告)号：CN117858847A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202280057314.8

申请日：2022-08-18

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  国立大学法人筑波大学

Inventor： 藤森利彦 ,  山下大之 ,  小野木伯薰 ,  大久保总一郎 ,  日方威 ,  藤田淳一

IPC: C01B32/164 ,  D01F9/10

Abstract: 碳纳米管集合线的制造方法包括：第一工序，从管状的碳纳米管合成炉的一个第一端部供给含碳气体，使碳纳米管从所述碳纳米管合成炉内的浮游状态的多个催化剂粒子分别生长，从而合成多个碳纳米管；第二工序，使所述多个碳纳米管在设于所述碳纳米管合成炉内的第一流路内沿着所述碳纳米管的长尺寸方向取向并集合，从而形成碳纳米管集合线；以及第三工序，使用向离开所述碳纳米管合成炉的方向流动的回收用气流，从所述碳纳米管合成炉的与所述第一端部相反侧的第二端部回收所述碳纳米管集合线。

公开(公告)号：CN117836240A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202280057313.3

申请日：2022-08-18

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  国立大学法人筑波大学

Inventor： 藤森利彦 ,  山下大之 ,  小野木伯薰 ,  大久保总一郎 ,  日方威 ,  藤田淳一

IPC: C01B32/164 ,  D01F9/133

Abstract: 作为能在管状的碳纳米管合成炉内高效地制造碳纳米管集合线的、碳纳米管集合线的制造方法，从位于碳纳米管合成炉的第二端部(回收碳纳米管集合线的一侧)与加热装置中的所述第二端部侧的端部之间的附着抑制用气体释放口起，在碳纳米管合成炉的内壁与使碳纳米管取向而形成碳纳米管集合线的第一流路的外壁之间沿从所述第二端部朝向第一端部(供给含碳气体的一侧)的方向产生附着抑制用气流，从而抑制多个碳纳米管附着于所述碳纳米管合成炉的内壁。

公开(公告)号：CN113993813A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202080028954.7

申请日：2020-04-21

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 道内真人 ,  小野木伯薰 ,  岡村克己 ,  不动贵之 ,  林武彦

IPC: C01B32/949 ,  C04B35/56

Abstract: 碳化钨粉末1包含具有多个碳化钨晶粒11的结合体10，在该结合体10内，在多个所述碳化钨晶粒11间的晶界11a处包含铬的浓度比所述碳化钨晶粒11内高的铬稠化区域12。

公开(公告)号：CN113939474A

公开(公告)日：2022-01-14

申请号：CN202080025414.3

申请日：2020-04-21

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 道内真人 ,  小野木伯薰 ,  岡村克己 ,  不动贵之 ,  林武彦

IPC: C01B32/949 ,  C04B35/56

Abstract: 碳化钨粉末是以碳化钨为主成分并且含有铬的碳化钨粉末，其中，在从对碳化钨粉末进行SEM观察的视野中随机选择出的100个以上的分析点中对钨和铬的质量浓度进行测定时，以百分率表示铬浓度相对于钨和铬的合计浓度的比例时的分布的标准偏差σ为0.5以下。

公开(公告)号：CN113939474B

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202080025414.3

申请日：2020-04-21

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 道内真人 ,  小野木伯薰 ,  岡村克己 ,  不动贵之 ,  林武彦

IPC: C01B32/949 ,  C04B35/56

Abstract: 碳化钨粉末是以碳化钨为主成分并且含有铬的碳化钨粉末，其中，在从对碳化钨粉末进行SEM观察的视野中随机选择出的100个以上的分析点中对钨和铬的质量浓度进行测定时，以百分率表示铬浓度相对于钨和铬的合计浓度的比例时的分布的标准偏差σ为0.5以下。(56)对比文件Linsheng Wan 等.Synthesis of Cr-dopedAPT in the evaporation andcrystallization process and its effect onproperties of WC-Co cemented carbidealloy《.Int. Journal of Refractory Metalsand Hard Materials》.2016,2. Experimental.

公开(公告)号：CN109661372A

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201780053267.9

申请日：2017-07-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 小野木伯薰 ,  粟田英章

IPC: C01G51/00 ,  C01B32/90 ,  C01B32/949 ,  C22C1/05 ,  C22C29/08

Abstract: 水溶液组合物含有相对于1kg水为10质量％～30质量％的钨酸根离子、相对于1kg水为0.05质量％～5质量％的过渡金属离子、以及剩余部分的抗衡阴离子和水。所述过渡金属离子包含钴离子。所述抗衡阴离子包含有机酸离子。所述有机酸离子为多齿配体。