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公开(公告)号：CN103681716A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310437395.7
申请日：2013-09-24
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/374
CPC classification number: H04N5/3745 , H04N5/355 , H04N5/3741 , H04N5/3742
Abstract: 本发明涉及图像拾取装置、图像拾取装置的驱动方法和图像拾取系统。图像拾取装置包括多个像素。各像素包含光电转换单元、放大晶体管和复位晶体管。各像素根据通过复位晶体管供给到放大晶体管的输入节点的电压被设为选择状态或非选择状态。控制单元通过向复位晶体管的控制节点供给电压将复位晶体管控制为导通或截止。更具体而言，第一电压被供给到选择状态的像素中的复位晶体管的控制节点以将其控制为处于为截止状态，并且，第二电压被供给到非选择状态的像素中的复位晶体管的控制节点以将其控制为处于截止状态。
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公开(公告)号：CN102637705A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210027892.5
申请日：2012-02-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14687 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14685
Abstract: 本公开涉及半导体器件制造方法。层间绝缘膜被设置在半导体衬底的图像拾取区域和外围区域上方。在层间绝缘膜中在覆盖光电转换部的位置形成开口。在半导体衬底的图像拾取区域和外围区域的上方形成波导构件。波导构件的设置在外围区域上方的部分被去除以使层间绝缘膜暴露。
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公开(公告)号：CN119300506A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411708087.8
申请日：2020-02-20
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H10F39/18
Abstract: 公开了光电转换设备、成像系统和移动装置。提供了一种光电转换设备，包括：具有第一面的第一基板；布置在第一基板中的光电二极管，并且每个光电二极管具有第一区域和第二区域，第一区域通过光电转换入射光来生成信号电荷，并且第二区域接收从第一区域移动的信号电荷；第一隔离区域，以第一深度布置在第一基板中并且包括在第一方向上延伸以便将第二区域彼此隔离的第一部分；以及第二隔离区域，以距第一面比第一深度深的第二深度布置在第一基板中并且包括在平面图中在与第一方向相交的第二方向上延伸以便将第一区域彼此隔离的第二部分，并且第一部分和第二部分在平面图中彼此部分地重叠。
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公开(公告)号：CN111613631B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202010105808.1
申请日：2020-02-20
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 公开了光电转换设备、成像系统和移动装置。提供了一种光电转换设备，包括：具有第一面的第一基板；布置在第一基板中的光电二极管，并且每个光电二极管具有第一区域和第二区域，第一区域通过光电转换入射光来生成信号电荷，并且第二区域接收从第一区域移动的信号电荷；第一隔离区域，以第一深度布置在第一基板中并且包括在第一方向上延伸以便将第二区域彼此隔离的第一部分；以及第二隔离区域，以距第一面比第一深度深的第二深度布置在第一基板中并且包括在平面图中在与第一方向相交的第二方向上延伸以便将第一区域彼此隔离的第二部分，并且第一部分和第二部分在平面图中彼此部分地重叠。
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公开(公告)号：CN115911170A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211142713.2
申请日：2022-09-20
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/107 , H01L31/0216 , H01L27/146
Abstract: 本发明提供光电转换装置、光电转换系统和可移动体。光电转换装置，包括设置在半导体层中的雪崩二极管，所述半导体层具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。该雪崩二极管包括：设置在第一深度的第一导电类型的第一半导体区域和设置在第二深度的第二导电类型的第二半导体区域，所述第二深度相对于所述第二表面比所述第一深度更深。在半导体层的第二表面上设置氧化膜和堆叠在氧化膜上的保护膜。存在满足dsio>(εsio/εprot)×dprot/2的点，其中，dsio是氧化膜的厚度，dprot是保护膜的厚度，εsio是氧化膜的相对介电常数，以及εprot是保护膜的相对介电常数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115911068A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211156768.9
申请日：2022-09-21
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L27/02
Abstract: 本发明提供光电转换装置、光电转换系统和可移动体。所述光电转换装置包括布置在具有第一表面和面对所述第一表面的第二表面的半导体层中的雪崩二极管。所述雪崩二极管包括布置在第一深度处的第一导电类型的第一半导体区域、布置在相对于所述第二表面比所述第一深度深的第二深度处的第二导电类型的第二半导体区域、配设为在从所述第二表面的平面视图中与所述第一半导体区域的端部接触的第三半导体区域、连接到所述第一半导体区域的第一布线部、以及连接到所述第二半导体区域的第二布线部。在从所述第二表面的平面视图中，所述第二布线部与面对所述第一布线部的绝缘膜之间的边界的至少一部分与所述第三半导体区域交叠并且不与所述第一半导体区域交叠。
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公开(公告)号：CN107665897B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN201710628241.4
申请日：2017-07-28
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/144
Abstract: 提供了光检测设备和光检测系统。半导体基板具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。光电转换部分具有配置有不同导电类型的第一半导体区域和第二半导体区域的PN结。埋入部分被埋入半导体基板中并且包含电极和被定位在电极与半导体基板之间且与第二半导体区域接触的电介质构件。第二半导体区域被定位在比第一半导体区域深的位置中。埋入部分被定位为从第一表面延伸到比第一半导体区域深的位置。以在电极与第二半导体区域之间出现的反型层和第一半导体区域彼此接触的方式，电势被供应到第一半导体区域、第二半导体区域和电极。
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公开(公告)号：CN111613631A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010105808.1
申请日：2020-02-20
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 公开了光电转换设备、成像系统和移动装置。提供了一种光电转换设备，包括：具有第一面的第一基板；布置在第一基板中的光电二极管，并且每个光电二极管具有第一区域和第二区域，第一区域通过光电转换入射光来生成信号电荷，并且第二区域接收从第一区域移动的信号电荷；第一隔离区域，以第一深度布置在第一基板中并且包括在第一方向上延伸以便将第二区域彼此隔离的第一部分；以及第二隔离区域，以距第一面比第一深度深的第二深度布置在第一基板中并且包括在平面图中在与第一方向相交的第二方向上延伸以便将第一区域彼此隔离的第二部分，并且第一部分和第二部分在平面图中彼此部分地重叠。
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公开(公告)号：CN109390363A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810884107.5
申请日：2018-08-06
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14605 , H01L27/14612 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H01L27/14689 , H01L27/14698 , H04N5/378 , H01L27/14683
Abstract: 本发明公开了成像设备和制造成像设备的方法。一种制造成像设备的方法，所述成像设备包括第一埋入二极管和第二埋入二极管，所述第一埋入二极管包括第一半导体区域和第二半导体区域，所述第二埋入二极管包括第三半导体区域和第四半导体区域，所述方法包括将第一导电类型的第一杂质离子注入到第一区域和第一区域与第二区域之间的第三区域中，以及将第一导电类型的第二杂质离子注入到第二区域和第三区域中，其中，通过注入第一杂质离子形成第一半导体区域，通过注入第二杂质离子形成第三半导体区域，并且通过注入第一杂质离子和第二杂质离子在第三区域中形成具有比第一半导体区域和第二半导体区域高的杂质浓度的第五半导体区域。
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公开(公告)号：CN103579274B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201310345012.3
申请日：2013-08-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14612 , H01L27/14603 , H01L27/1461 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14689
Abstract: 公开了图像拾取装置和图像拾取系统。一种图像拾取装置，包括：其中排列像素的像素部分，像素各自包括把信号电荷作为多数载流子的第一导电型的第一半导体区域，和把信号电荷作为少数载流子的第二导电型的第二半导体区域，第二半导体区域邻接到第一半导体区域，第一半导体区域被布置在第二半导体区域和半导体衬底的表面之间。像素部分包括位于基准触点附近的第一类像素和第二类像素。半导体衬底的表面和第一类像素的第二半导体区域之间的距离小于半导体衬底的表面和第二类像素的第二半导体区域之间的距离。
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