公开(公告)号：CN103579267B

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201310163899.4

申请日：2013-05-07

Applicant: 全视科技有限公司

Inventor： 陈刚 ,  毛杜立 ,  戴幸志

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14623 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/1464

Abstract: 本发明涉及一种含有具有三角形截面的金属栅格的图像传感器。背照式图像传感器包含具有前侧及后侧的衬底层。光敏像素的阵列安置在所述衬底层内且对通过所述衬底层的所述后侧入射的光敏感。金属栅格安置在所述衬底层的所述后侧上方。所述金属栅格包围所述光敏像素中的每一者且界定光学孔径用于接收通过所述后侧进入所述光敏像素内的光。所述金属栅格包含相交线，所述相交线每一者具有三角形截面。材料层包围所述金属栅格。

公开(公告)号：CN104617116A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201410074543.8

申请日：2014-03-03

Applicant: 全视科技有限公司

Inventor： 陈刚 ,  毛杜立 ,  杨大江 ,  熊智斌 ,  戴森·H·戴

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14614 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14645

Abstract: 本申请案涉及一种用于图像传感器的大-小像素方案及其使用。一种供在高动态范围图像传感器中使用的图像传感器像素包含第一光电二极管、多个光电二极管、共享浮动扩散区、第一转移栅极及第二转移栅极。所述第一光电二极管安置于半导体材料中。所述第一光电二极管具有第一曝光面积及第一掺杂浓度。所述多个光电二极管也安置于所述半导体材料中。所述多个光电二极管中的每一光电二极管具有所述第一曝光面积及所述第一掺杂浓度。所述第一转移栅极经耦合以将第一图像电荷从所述第一光电二极管转移到所述共享浮动扩散区。所述第二转移栅极经耦合以将分布式图像电荷从所述多个光电二极管中的每一光电二极管转移到所述共享浮动扩散区。

公开(公告)号：CN104517978A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201410006714.3

申请日：2014-01-07

Applicant: 全视科技有限公司

Inventor： 陈刚 ,  毛杜立 ,  戴森·H·戴

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14621 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14656 ,  H01L27/14685

Abstract: 本发明涉及包含垂直溢漏的图像传感器和像素。本发明提供一种设备的实施例，所述设备包括像素阵列，所述像素阵列包含形成于衬底中的多个像素，所述衬底具有前表面和背表面，每一像素包含形成于所述前表面处或所述前表面附近的光敏区且从所述前表面延伸到所述衬底中达选定深度。滤光片阵列耦合到所述像素阵列，所述滤光片阵列包含多个个别滤光片，每一滤光片光学上耦合到对应光敏区，且垂直溢漏VOD定位于所述衬底中在所述背表面与所述阵列中的至少一个像素的所述光敏区之间。

公开(公告)号：CN104037180A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201310533739.4

申请日：2013-11-01

Applicant: 全视科技有限公司

Inventor： 陈刚 ,  杨大江 ,  李津 ,  毛杜立 ,  戴幸志

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/148 ,  H04N5/353

CPC classification number: H01L27/14812 ,  H01L21/266 ,  H01L27/14607 ,  H01L27/14689 ,  H04N5/35563

Abstract: 本发明涉及具有带有单一植入的多个光电二极管的高动态范围像素。一种高动态范围图像传感器像素包含安置于半导体材料中的短积分光电二极管及长积分光电二极管。所述长积分光电二极管具有实质上大于所述短积分光电二极管的曝光区域的曝光区域。所述短积分光电二极管的所述曝光区域具有来自第一掺杂植入的第一掺杂浓度。所述长积分光电二极管的所述曝光区域包含具有来自所述第一掺杂植入的所述第一掺杂浓度的至少一个经植入部分。所述长积分光电二极管的所述曝光区域进一步包含经光掩蔽以免受所述第一掺杂植入影响的至少一个未植入部分，使得所述长积分光电二极管的所述曝光区域的所述经植入与未植入部分的经组合掺杂浓度小于所述短积分光电二极管的所述曝光区域的所述第一掺杂浓度。

公开(公告)号：CN103779366A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201310340938.3

申请日：2013-08-07

Applicant: 全视科技有限公司

Inventor： 霍华德·E·罗兹 ,  杨大江 ,  陈刚 ,  毛杜立 ,  文森特·韦内齐亚

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L31/0224 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14643 ,  H01L31/103

Abstract: 本发明涉及用以减少图像记忆效应的带负电荷层。一种图像传感器像素包含安置于半导体层中的具有第一极性掺杂类型的光电二极管区。具有第二极性掺杂类型的钉扎表面层安置于所述半导体层中的所述光电二极管区上方。所述第二极性与所述第一极性相反。第一极性电荷层接近所述光电二极管区上方的所述钉扎表面层而安置。触点蚀刻停止层接近所述第一极性电荷层而安置于所述光电二极管区上方。所述第一极性电荷层安置于所述钉扎表面层与所述触点蚀刻停止层之间，使得第一极性电荷层抵消在所述触点蚀刻停止层中感应的具有第二极性的电荷。钝化层也安置于所述光电二极管区上方在所述钉扎表面层与所述触点蚀刻停止层之间。

公开(公告)号：CN103579267A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310163899.4

申请日：2013-05-07

Applicant: 全视科技有限公司

Inventor： 陈刚 ,  毛杜立 ,  戴幸志

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14623 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/1464

Abstract: 本发明涉及一种含有具有三角形截面的金属栅格的图像传感器。背照式图像传感器包含具有前侧及后侧的衬底层。光敏像素的阵列安置在所述衬底层内且对通过所述衬底层的所述后侧入射的光敏感。金属栅格安置在所述衬底层的所述后侧上方。所述金属栅格包围所述光敏像素中的每一者且界定光学孔径用于接收通过所述后侧进入所述光敏像素内的光。所述金属栅格包含相交线，所述相交线每一者具有三角形截面。材料层包围所述金属栅格。

公开(公告)号：CN103296040A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201310055432.8

申请日：2013-02-21

Applicant: 全视科技有限公司

Inventor： 陈刚 ,  毛杜立 ,  戴幸志 ,  霍华德·E·罗兹

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明涉及用于在半导体装置中形成不同深度沟槽的方法。一种在半导体装置中形成沟槽的方法包含在半导体层的第一部分上方形成蚀刻剂阻挡层。使用第一蚀刻剂在所述半导体层的第二部分中蚀刻第一沟槽。所述半导体层的所述第二部分未安置于所述蚀刻剂阻挡层下方。使用第二蚀刻剂蚀刻穿透所述蚀刻剂阻挡层，所述第二蚀刻剂不会实质上蚀刻所述半导体层。使用第三蚀刻剂在所述半导体层的所述第一部分中蚀刻第二沟槽。所述第三蚀刻剂还延伸所述第一沟槽的深度。

公开(公告)号：CN103050500A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201210385836.9

申请日：2012-10-12

Applicant: 全视科技有限公司

Inventor： 陈刚 ,  胡兴忠 ,  戴幸志 ,  毛杜立 ,  马诺·比库曼德拉 ,  郑伟 ,  钱胤 ,  熊智斌 ,  文森特·韦内齐亚 ,  顾克强 ,  霍华德·E·罗兹

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/357 ,  H04N5/374

CPC classification number: H01L27/14616 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明案涉及图像传感器的部分掩埋沟道传送装置。本发明涉及包含光敏元件、浮动扩散区及传送装置的图像传感器像素的实施例。所述光敏元件安置于衬底层中以用于响应于光而积累图像电荷。所述浮动扩散区安置于所述衬底层中以从所述光敏元件接收所述图像电荷。所述传送装置安置于所述光敏元件与所述浮动扩散区之间以选择性地将所述图像电荷从所述光敏元件传送到所述浮动扩散区。所述传送装置包含掩埋沟道装置，所述掩埋沟道装置包含安置于掩埋沟道掺杂剂区上方的掩埋沟道栅极。所述传送装置还包含表面沟道装置，所述表面沟道装置包含安置于表面沟道区上方的表面沟道栅极。所述表面沟道装置与所述掩埋沟道装置串联。所述表面沟道栅极具有与所述掩埋沟道栅极相反的极性。

公开(公告)号：CN105932033A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201610318158.2

申请日：2013-08-07

Applicant: 全视科技有限公司

Inventor： 霍华德·E·罗兹 ,  杨大江 ,  陈刚 ,  毛杜立 ,  文森特·韦内齐亚

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L31/0224 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14643 ,  H01L31/103

Abstract: 本发明涉及用以减少图像记忆效应的带负电荷层。一种图像传感器像素包含安置于半导体层中的具有第一极性掺杂类型的光电二极管区。具有第二极性掺杂类型的钉扎表面层安置于所述半导体层中的所述光电二极管区上方。所述第二极性与所述第一极性相反。第一极性电荷层接近所述光电二极管区上方的所述钉扎表面层而安置。触点蚀刻停止层接近所述第一极性电荷层而安置于所述光电二极管区上方。所述第一极性电荷层安置于所述钉扎表面层与所述触点蚀刻停止层之间，使得第一极性电荷层抵消在所述触点蚀刻停止层中感应的具有第二极性的电荷。钝化层也安置于所述光电二极管区上方在所述钉扎表面层与所述触点蚀刻停止层之间。

公开(公告)号：CN105845699A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201610319934.0

申请日：2013-08-07

Applicant: 全视科技有限公司

Inventor： 霍华德·E·罗兹 ,  杨大江 ,  陈刚 ,  毛杜立 ,  文森特·韦内齐亚

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L31/0224 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14643 ,  H01L31/103

Abstract: 本发明涉及用以减少图像记忆效应的带负电荷层。一种图像传感器像素包含安置于半导体层中的具有第一极性掺杂类型的光电二极管区。具有第二极性掺杂类型的钉扎表面层安置于所述半导体层中的所述光电二极管区上方。所述第二极性与所述第一极性相反。第一极性电荷层接近所述光电二极管区上方的所述钉扎表面层而安置。触点蚀刻停止层接近所述第一极性电荷层而安置于所述光电二极管区上方。所述第一极性电荷层安置于所述钉扎表面层与所述触点蚀刻停止层之间，使得第一极性电荷层抵消在所述触点蚀刻停止层中感应的具有第二极性的电荷。钝化层也安置于所述光电二极管区上方在所述钉扎表面层与所述触点蚀刻停止层之间。