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公开(公告)号：CN115623343A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211219540.X
申请日：2022-09-30
Applicant: 北京大学
IPC: H04N25/70
Abstract: 本公开提供了一种感内计算像素单元、感内计算阵列结构及其操作方法和图像传感运算系统，其中，该感内计算像素单元包括第一感光单元、第二感光单元、第三感光单元以及第四感光单元。在感内计算像素单元接收到光照，且向第一感光单元和第二感光单元同时施加第一使能控制信号，同时向第三感光单元和第四感光单元同时施加第二使能控制信号时，第一感光单元输出第一输出电流，第二感光单元输出第二输出电流，第三感光单元输出第三输出电流，第四感光单元输出第四输出电流，第一输出电流、第二输出电流、第三输出电流和第四输出电流用于实现基于感内计算的相邻像素信号的运算。可实现在像素阵列内对相邻像素信号的运算处理，显著提高图像感知运算效率。
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公开(公告)号：CN115172396A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210880839.3
申请日：2022-07-25
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开提供一种图像传感单元和阵列结构及像素元间相互作用的实现方法，图像传感单元包括：阱结构，为P型阱结构或N型阱结构；埋氧层，设置于阱结构上；晶体管，设置于埋氧层上；重掺杂硅层，设置于晶体管四周且位于埋氧层上，其中，重掺杂硅层数量为四个，晶体管四周的每一方位设置一个重掺杂硅层，每一重掺杂硅层与晶体管隔开，四个重掺杂硅层之间相互独立。该图像传感阵列结构由多个图像传感单元结构交替排列而成，每一图像传感单元的阱结构的掺杂类型与该图像传感单元直接相邻的其他四个图像传感单元的阱结构的掺杂类型均相反，每一图像传感单元的四个重掺杂硅层分别与该图像传感单元直接相邻的其他四个图像传感单元的一个重掺杂硅层连接。
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公开(公告)号：CN114827488A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210447721.1
申请日：2022-04-26
Applicant: 北京大学
Abstract: 本公开提供了一种像素结构单元、像素结构阵列及其操作方法、图像传感器，其中，该像素结构单元包括上拉结构单元、感光输出单元和输出控制单元。感光输出单元与所述上拉结构单元相连；输出控制单元与所述感光输出单元相连；其中，在所述感光输出单元和所述输出控制单元同时处于光照条件下，且上拉结构单元被控制开启，以对所述感光输出单元充电，并使得所述输出控制单元工作以对所述感光输出单元放电。因此，从而能够使得像素结构单元根据入射光强自适应调节感光灵敏度，相对于传统CIS像素元，仅凭像素结构单元本身即可满足高对比度成像的要求，使得图像传感器在各种应用场景下都能呈现良好的成像质量。
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公开(公告)号：CN106530210B
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201610930552.1
申请日：2016-10-31
Applicant: 北京大学
IPC: G06T1/60
Abstract: 本发明公开了一种基于阻变存储器件阵列实现并行卷积计算的设备和方法，设备包括：阻变存储器件阵列、训练模块、输入模块、位线控制单元、字线控制单元、输出模块以及控制器。所述操作方法包括：计算卷积时，先将卷积核对应输入位置写入每个阻变单元，阻变单元的电导值代表卷积核的数值大小；位线上所加电平大小代表输入矩阵；每个输出模块代表一个卷积结果；不同的输出模块的输出信号即代表不同输入区域或不同卷积核的结果，以此方式实现卷积的并行计算。
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公开(公告)号：CN107273972A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710330263.2
申请日：2017-05-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种基于阻变器件和适应-激发神经元的神经形态系统及实现方法，系统包括阻变器件交叉阵列、前神经元、后神经元、全局动态阈值控制电路、控制逻辑模块、电压调节模块、样例输入、标签输入、结果输出。该系统采用了阻变器件作为电子突触，并提出了新的适应-激发神经元的结构和操作模式，从而优化了系统的面积和操作方面，解决了同类系统所面临的训练问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119851719A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411910680.0
申请日：2024-12-24
Applicant: 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司 , 北京大学
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明公开了一种用于提高器件保持特性的忆阻器多值编程方法。该方法基于一定电导阈值将忆阻器编程的目标电导划分在低导范围或高导范围，针对不同范围采用具有不同起始电导态、编程脉冲方向和去噪脉冲方向的编程方案。本发明的多值编程方法以忆阻器阻变过程中导电细丝生长和断裂的物理过程为基础，使忆阻器结束编程后的状态尽可能保持在更稳定的状态，进而使得忆阻器件具有更好的多值保持特性。与现有的忆阻器多值编程方案相比，本发明可以在不大幅增加器件编程时间和功耗开销的情况下，改善器件多值编程后数据存储的保持特性，使得其能更好地被使用于数据存储领域或存内计算领域，从而提升忆阻器存储和计算的可靠性和系统性能。
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公开(公告)号：CN119851702A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411909567.0
申请日：2024-12-24
Applicant: 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种针对阻变存储器的多模式温度校正方案，首先对阻变器件的温度特性进行数学建模，推导出存储器阵列的列电流与实际电流的关系式，进而得到相应的温度校正公式，对读取电流进行校正。该校正方案同时适用于单器件选通模式与多器件选通模式，能够有效提高工作在高温条件下存储器读取的可靠性。本发明进一步通过引入并行的结构节约实施该校正方案所带来的额外时间开销。本发明在高密度存储以及存算一体应用中均有着重要价值。
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公开(公告)号：CN119180300A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411253750.X
申请日：2024-09-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于逻辑门神经网络的加速器构建方法，该方法首先根据逻辑门神经网络的输入神经元数量，确定中间神经网络的层数，以及每层神经网络中神经元的数量，针对逻辑门神经网络的算子之间的控制逻辑，建立逻辑门神经网络信息的有向无环图DAG；然后通过使用计算图调度方式实现对逻辑门神经网络合理地调度，基于调度后的DAG编译生成目标代码，并且对其时序进行优化；最后采用基于门控时钟握手协议的流水线，完成加速器的构建。采用本发明可以减小交换文件的大小，降低硬件资源开销，节省成本，具有低功耗、高效率、低延迟等特点。在处理二进制数据和简单图像识别方面具有较高的准确率和较快的速度。
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公开(公告)号：CN118628331A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410659049.1
申请日：2024-05-24
Applicant: 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司 , 北京大学
IPC: G06T1/20 , G06V10/147 , G06F17/15 , G06N3/0464 , G06N3/08
Abstract: 本公开提供了一种图像处理系统及图像处理方法，可以应用于半导体器件及集成电路技术领域。该图像处理系统包括：传感器层，用于根据预设感受野和预设卷积核，对接收到的光信号进行分块处理，得到T个中间图像信号，其中，T为正整数；模数转换层，模数转换层与传感器层相连，用于对来自于传感器层的T个中间图像信号分别进行处理，得到T个图像数据；以及，处理器层，处理器层与模数转换层相连，用于根据预设权重，对来自于模数转换层的T个图像数据分别进行卷积处理，得到图像处理结果。
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公开(公告)号：CN116647764A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310326100.2
申请日：2023-03-30
Applicant: 北京大学
IPC: H04N25/571 , H01L27/146
Abstract: 本公开提供了一种像素单元结构的操作方法、装置、设备及介质，其中，该像素单元结构的操作方法包括：确定像素单元结构的初始态；基于初始态，根据设定曝光操作规则对像素单元结构执行N个连续的子曝光操作，其中N为正整数，且N≥2；以及响应于N个连续的子曝光操作，读出像素单元结构的输出电流。因此，可以大幅优化如UTBB图像传感器的像素单元结构的光强响应曲线，显著改善其拍摄图像时的细节、层次、特征。
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