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公开(公告)号：CN119851739A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411909568.5
申请日：2024-12-24
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于物理模型的预测阻变器件温度特性方法。首先，根据阻变器件不同电阻态的温度测试曲线，结合多种物理机制，构建温度特性、器件电导以及导电细丝形貌之间的关系；然后根据以上关系，提出了一种通用的物理模型表达式。该模型在较大范围的给定温度区间内，对于所有的存储状态，均能够较好地预测器件的电导变化，为后续的仿真或校正工作提供指导。
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公开(公告)号：CN113644193B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202110727631.3
申请日：2021-06-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种阻变存储器件的制备方法、装置、电子设备和存储介质，其中方法包括：在经过热氧化处理后的硅片上采用射频磁控溅射方式，制备得到阻变存储器件的衬底；在衬底上采用直流溅射方式，制备得到阻变存储器件的底电极；在底电极上采用PECVD工艺淀积预设厚度的二氧化硅，得到阻变存储器件的阻变介质层，并通过调节PECVD工艺的射频功率调控阻变介质层中缺陷的含量；在阻变介质层上采用直流溅射方式，制备得到阻变存储器件的活性电极；在活性电极上采用直流溅射方式，制备得到阻变存储器件的顶电极。本发明能够通过调节PECVD工艺的射频功率调控阻变介质层中缺陷的含量，制备出满足特定驱动电流或特定功耗的阻变存储器。
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公开(公告)号：CN118569332A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410669696.0
申请日：2024-05-28
Applicant: 北京大学
IPC: G06N3/065 , G06N3/0495 , G11C11/54 , G06F15/78 , G06F7/544
Abstract: 本发明公开一种神经网络专用存内计算读出装置及其控制方法，涉及集成电路设计技术领域，电流传感电路依次进行电导转换、电流缩小和电流相减，得到处理后电流，积分触发电路基于处理后电流对积分电容进行积分，得到总电压，总电压为当前量化周期的处理后电流产生的积分电压和上一量化周期的残余电压的和值，同时产生正向计数脉冲或负向计数脉冲，双向计数器电路在接收到正向计数脉冲或负向计数脉冲时，令上一量化周期的计数值加1或减1，得到当前量化周期的计数值，并在当前量化周期为最后一个量化周期时，根据当前量化周期的计数值确定当前量化周期的激活值。本发明通过引入残余量累积功能来显著降低量化误差。
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公开(公告)号：CN118380384A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410418064.7
申请日：2024-04-09
Applicant: 北京超弦存储器研究院 , 北京大学
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及一种自对准垂直沟道晶体管结构及其制造方法，属于半导体器件技术领域，该方法包括：提供衬底和二氧化硅层，并对二氧化硅层进行刻蚀，形成二氧化硅凹槽；形成覆盖二氧化硅凹槽底部的共用漏极、覆盖二氧化硅凹槽外部的部分二氧化硅层的上表面的第一晶体管的源极和第二晶体管的源极；形成第二硬掩膜层，在共用漏极、二氧化硅凹槽侧壁、第一晶体管的源极、第二晶体管的源极以及第二硬掩膜层限定的区域采用自对准工艺依次形成有源层、栅介质层和栅极层。本申请提供的方法及其结构，可使得有源层、栅介质层和栅极层完全自对准沉积，保证层间完全对准，且可避免晶体管栅极端与晶体管源端相连从而导致晶体管发生电学短路失效。
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公开(公告)号：CN118019350A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202311839117.4
申请日：2023-12-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及存储技术领域，提供一种四电极结构的阻变存储器及其制备方法，该四电极结构的阻变存储器包括底电极、介质层和顶电极，介质层设于底电极上；顶电极设于介质层上，且顶电极完全覆盖介质层；其中，顶电极包括四块不同材质的金属单元。本发明的四电极结构的阻变存储器通过将顶电极设置为多个不同材质的金属单元，使得不同材料的顶电极能够同时与同一材质的介质层实现接触，不同材料的顶电极与介质层接触能够实现不同的界面势垒结构、界面反应、储存离子能力等特性，从而控制氧离子或金属阳离子在电极与介质界面处的储存和注入行为，有助于改善器件的阻变特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117637481A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311568974.5
申请日：2023-11-22
Applicant: 北京超弦存储器研究院 , 北京大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L29/423 , C23C14/35 , C23C14/24 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种垂直沟道氧化物薄膜晶体管的制备方法，属于集成电路领域。该方法制备的垂直沟道氧化物薄膜晶体管包括低阻硅衬底、源/漏电极、有源层、栅介质、栅电极，源/漏电极分居有源层上下两侧，栅介质位于有源层上侧的源/漏电极之上和有源层及源/漏电极两侧，单/双栅电极位于栅介质之上。本发明制备垂直沟道氧化物薄膜晶体管涉及单栅结构和双栅结构两种类型，该方法利用光刻工艺、溅射工艺、原子层淀积工艺和刻蚀工艺等常规技术，有望实现垂直沟道氧化物薄膜晶体管的规模化制备，步骤简单、成本低、可操作性强，具有非常重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN116502695A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310250232.1
申请日：2023-03-14
Applicant: 北京大学
IPC: G06N3/082 , G06N3/096 , G06N3/084 , G06N3/0464 , G06N3/048
Abstract: 本发明涉及深度学习技术领域，提供一种基于通道剪枝的模型压缩方法、装置、设备及介质，该方法包括：获取带标注数据的样本数据集，并利用样本数据集对预设的第一检测模型进行迭代训练，得到第二检测模型；对第二检测模型进行稀疏化训练，以获取第二检测模型各输出通道对应的缩放因子；所述缩放因子用于表征第二检测模型各输出通道的重要程度；根据缩放因子对第二检测模型的输出通道进行剪枝处理，以对第二检测模型进行压缩，得到第三检测模型；所述第三检测模型的输出通道的数量为八的整数倍；基于第一检测模型对第三检测模型进行知识蒸馏，得到目标检测模型。通过通道剪枝和知识蒸馏，在压缩模型体积的同时，保证了模型的检测精度。
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公开(公告)号：CN116126288A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310006919.0
申请日：2023-01-04
Applicant: 北京大学
IPC: G06F7/58
Abstract: 本发明公开一种基于阻变存储器的随机数发生电路及方法，涉及半导体技术领域。所述电路包括：第一熵产生模块、第二熵产生模块和电流比较模块；第一熵产生模块包括：第一熵产生阻变存储器单元和第一晶体管；第二熵产生模块包括：第二熵产生阻变存储器单元和第二晶体管；第一晶体管用于根据第一控制信号输出第一电流信号；第一熵产生阻变存储器单元用于根据第一电流信号输出第一熵电导值；第二晶体管用于根据第一控制信号输出第二电流信号；第二熵产生阻变存储器单元用于根据第二电流信号输出第二熵电导值；电流比较模块用于：对第一熵电导值和第二熵电导值求差，得到熵电导差值；根据熵电导差值产生随机数。本发明能够提高随机数的产生随机性。
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公开(公告)号：CN113592080A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110734346.4
申请日：2021-06-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种基于阻变器件的神经元树突的操作方法及装置，其中方法包括：确定单个阻变器件的神经元树突结构；其中，所述神经元树突结构包括顶电极、阻变介质层和底电极；基于所述阻变器件固有的阈值电压对所述神经元树突结构的顶电极和底电极进行外加电压：当外加电压超过所述阈值电压时，通过所述外加电压使得所述神经元树突结构的阻变介质层形成导电通道，以实现非线性信号整流；在所述神经元树突结构的阻变介质层形成的导电通道处于断开状态下，当外加电压不超过所述阈值电压时，通过所述外加电压使得所述神经元树突结构的阻变介质层无法形成导电通道，以实现噪声信号的过滤。本发明实现了神经形态计算时功耗降低及计算灵活性提升。
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公开(公告)号：CN112164749A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202011053896.1
申请日：2020-09-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种双极性阻变存储器及其制备方法，其中，该制备方法包括：在衬底上形成底电极；采用等离子增强的化学气相沉积法，通过调节射频功率和/或腔室压强，在底电极上形成阻变介质层；在阻变介质层上形成活性电极，以构成双极性阻变存储器。本发明的双极性阻变存储器的制备方法通过调节射频功率和/或腔室压强可以实现阻变介质层致密度的控制，进一步借助于薄膜沉积时间的变化实现阻变介质层厚度的调节以及活性电极的厚度调节，使得本发明的双极性存储器可以将较低操作电压、较快编程速度和较高的稳定性集成于一体，极大促进了该器件在物联网、嵌入式等领域的应用。
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