一种梳齿驱动的静电MEMS微镜角度检测电路及方法

    公开(公告)号:CN116086308A

    公开(公告)日:2023-05-09

    申请号:CN202211621632.0

    申请日:2022-12-16

    Abstract: 一种梳齿驱动的静电MEMS微镜角度检测电路及方法,属于微机电领域。通过在驱动电极上施加电压,驱动动梳齿和可动镜面围绕扭转梁扭转,使动梳齿与静梳齿之间的交叠面积发生变化,导致动梳齿和静梳齿构成的电容发生变化;电容在变化过程中,调制感测电压的幅值,产生感测信号;通过在感测电极上测量感测信号能检测梳齿电容的变化,能求得梳齿驱动的静电MEMS微镜的偏转角度。采用频率远高于驱动电压的感测电压,对频域进行隔离,并对微镜运动产生的感测信号进行窄带通滤波处理,滤除驱动电压产生的干扰;通过T型偏置电路,降低驱动电压和感测电压在时域叠加过程中产生的串扰。本发明适用于测试等领域,提升旋转角度的测试精度。

    基于熔断释放装置的双层自卷曲薄膜系统及制作方法

    公开(公告)号:CN116040571A

    公开(公告)日:2023-05-02

    申请号:CN202211698055.5

    申请日:2022-12-28

    Abstract: 本发明公开的一种基于熔断释放装置的双层自卷曲薄膜系统及制作方法,属于MEMS加工制造领域。本发明为熔断电阻释放薄膜结构。支撑层沉积在衬底两个端部;衬底、支撑层、结构层下层薄膜包围形成空腔结构;结构层上层薄膜沉积在结构层下层薄膜上;通过熔断电阻将结构层下层薄膜和金属电极连接。空腔结构通过牺牲层的释放形成。逐步去除支撑层,埋氧层和器件层后形成特有的空腔结构。结构层下层薄膜与结构层上层薄膜共同组成双晶片卷曲薄膜系统。两层薄膜应力相反,结构层下层薄膜为负应力,结构层上层薄膜为正应力,确保结构释放后薄膜向上卷曲。通过调节结构层下层薄膜与结构层上层薄膜应力控制薄膜卷曲形变能力;通过瞬时大电流熔断固定电阻,使薄膜在失去固定约束后产生瞬时回弹,薄膜的自由尖端在回弹中具有较大的冲量,从而使得薄膜卷曲更加致密。

    一种补偿侧向位移式微镜及调控方法

    公开(公告)号:CN114660800B

    公开(公告)日:2023-04-18

    申请号:CN202210269726.X

    申请日:2022-03-18

    Abstract: 本发明公开的一种补偿侧向位移式微镜及调控方法,属于微纳光学领域。本发明通过优化补偿驱动器以补偿微镜侧向位移,避免表面光斑偏离微镜镜面,避免微镜失去操控光束的能力;因此,消除侧向位移能够避免或减小微镜的光功率损失。驱动器采用对称式阵列式结构,在增强驱动能力的同时,能够产生对称式的作用力分布,提高微镜的稳定性,同时能够增强微镜对光束的操控能力,避免微镜工作失效。采用V‑型驱动器,是补偿微镜侧向位移的另一种方式,本发明通过优化V‑型驱动器和微镜框架之间的连接,以平衡微镜两侧因作用力不稳定带来的抖动,同时阵列式的V‑型臂能够增强器件的刚度,避免微镜受到干扰,同时能够增强微镜对光束的操控能力。

    自卷曲可调电容器及其实现方法
    25.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115410826A

    公开(公告)日:2022-11-29

    申请号:CN202210674430.6

    申请日:2022-06-14

    Inventor: 曹英超 谢会开

    Abstract: 本发明公开的一种自卷曲可调电容器及其实现方法,属于可调电容器技术领域。本发明公开的一种自卷曲可调电容器,包括衬底、牺牲层、应力调控层、第一电极、第二电极、加热器。通过沉积两种具有不同应力的薄膜将电容做成卷曲形状,将二维的平板电容卷曲成三维卷曲结构,从而显著降低可调电容的占地面积;通过在层间加入导热电阻或电容两侧加入外部热源,增加可调电容的能量密度,利用电热驱动调节卷曲结构的曲率半径,达到调节电容的目的。本发明无需额外的牺牲层,电极层充当应力调控层,工艺简单,易于实现。本发明具有微型化、高密度的特点,能够用于集成电路中,减小电容的占地面积,进一步减小电路的面积,降低生产成本。

    一种低温漂静电MEMS微镜及其实现方法

    公开(公告)号:CN114911051A

    公开(公告)日:2022-08-16

    申请号:CN202210493453.7

    申请日:2022-04-26

    Abstract: 本发明公开的一种低温漂静电MEMS微镜及其实现方法,属于微光机电(MOEMS)领域。本发明包括镜面、扭转梁、梳齿驱动器、梳齿支撑结构,电隔离沟道,焊盘和空腔,微镜结构从上到下依次为结构层、绝缘层和衬底层。本发明通过优化微镜结构调节微镜阻尼,实现对静电MEMS微镜低角度温漂补偿;利用结构层和衬底层之间的热应力补偿结构层材料硅杨氏模量引入的频率温漂,实现低频率温漂补偿;在对静电MEMS微镜进行低角度温漂补偿、低频率温漂补偿基础上,提高静电MEMS微镜工作稳定性和运动控制的精确性。本发明无需额外增加位置检测模块和反馈控制,具有结构简单、体积小、成本低、易于实现的优点。所述低温漂包括低频率温漂和低角度温漂。

    一种集成微型磁铁和声学谐振器的谐振式电流传感器

    公开(公告)号:CN119438676A

    公开(公告)日:2025-02-14

    申请号:CN202411577857.X

    申请日:2024-11-06

    Abstract: 本发明属于传感器技术领域,具体涉及一种集成微型磁铁和声学谐振器的谐振式电流传感器。本发明提出的集成磁铁的微型传感器,通过测量磁铁在电流磁场中受到的磁力,从而测得电流。由于永磁体受到的磁力与磁场梯度成正比,因此能够屏蔽外界所发出的干扰的匀强磁场(如地磁场)。其次,本发明利用声学谐振式的测量原理,通过测量谐振频率的偏移测得电流的大小。由于声学谐振器的高Q值和高灵敏度等特性,所产生的传感器具有高灵敏度、高精度、抗低频噪声等特点,其结构简单且易于测量。且体积相比于传统的电流传感器要小得多,具有一定的优势。

    一种用于测试应力对芯片影响的实验装置及其使用方法

    公开(公告)号:CN118688614A

    公开(公告)日:2024-09-24

    申请号:CN202410996068.3

    申请日:2024-07-24

    Abstract: 本发明公开了一种用于测试应力对芯片影响的实验装置及其使用方法,装置包括:上工装,所述上工装设有用于对芯片的设定点位进行施力的第一力臂;下工装,所述下工装设有用于对芯片的设定点位进行施力的第二力臂;上工装与下工装相对设置,且第一力臂朝向下工装,第二力臂朝向上工装;驱动机构,所述驱动机构用于驱动芯片在第一力臂和第二力臂之间移动,从而通过第一力臂和第二力臂一次性地对芯片上的设定点位施加连续性变化的拉应力和压应力。本发明在测试过程中能在芯片的设定点位一次性地施加拉应力或压应力,且施加的应力大小可以线性且连续变化,提高了测试效率和精度。

    全解耦四质量对称单片三轴MEMS陀螺芯片

    公开(公告)号:CN118603071A

    公开(公告)日:2024-09-06

    申请号:CN202410812589.9

    申请日:2024-06-22

    Abstract: 本发明涉及三轴陀螺仪,具体是一种全解耦四质量对称单片三轴MEMS陀螺芯片。本发明解决了现有三轴陀螺仪测量精度低、灵敏度低的问题。全解耦四质量对称单片三轴MEMS陀螺芯片,包括谐振子部分和电极部分;所述谐振子部分包括中心锚点;中心锚点的外侧面连接有两根呈左右对称分布的直形支撑悬梁A;所述电极部分包括正方形基座;正方形基座的上表面溅射有中心点状平面电极、四个沿周向对称分布的等腰梯形平面电极、四个沿周向对称分布的格栅形平面电极、四对沿周向对称分布的外围点状平面电极A、四个沿周向对称分布的外围点状平面电极B、四对沿周向对称分布的条形平面电极。本发明适用于军事导航、深空探测等高精尖领域。

    焦点独立可调的三模态内窥探头装置及方法

    公开(公告)号:CN117547205A

    公开(公告)日:2024-02-13

    申请号:CN202311739353.9

    申请日:2023-12-18

    Abstract: 本发明公开了焦点独立可调的三模态内窥探头装置及方法,装置包括用于传输光声显微成像用激光的第一光纤、用于传输光学相干层析成像用激光的第二光纤、用于传输共聚焦显微成像用激光的第三光纤、用于使激光准直、汇聚或发散的第一透镜、用于使激光汇聚的第二透镜、用于反射激光至成像端面的MEMS扫描反射镜和超声探头,第一光纤、第二光纤和第三光纤与第一透镜之间的距离独立可调。本发明将光声显微成像、光学相干层析成像和共聚焦显微成像相融合,利用MEMS扫描成像技术,同时对腔内组织、血管和细胞等多目标物成像;且调整光纤与第一透镜的相对位置,可实现多模态各自焦点可调和共焦平面成像,保持最佳分辨率水平和成像质量。

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