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公开(公告)号：CN101798679B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010138885.3
申请日：2010-03-31
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明为一种用于动压气浮轴承的复合涂层制备方法，采用中频反应磁控溅射系统沉积Ti/AlTiN/Ti:DLC高硬度、高耐磨复合膜。动压气浮轴承转子与定子之间的摩擦系数越小越有利于马达启动，在高速转动过程中，定子与转子可能发生碰撞甚至出现瞬间熔化抱死故障。单一材料的动压气浮轴承已经不能满足目前的需求，轴承材料的表面改性技术是限制其应用的关键技术之一。本发明制备的涂层在降低了摩擦系数，提高了耐磨性，同时解决了涂层的耐腐蚀性及耐磨性。该方法易行，所有原料都比较常见，可以实现工业化生产。
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公开(公告)号：CN101814554A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010138886.8
申请日：2010-03-31
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/048 , H01L31/0224
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及一种薄膜太阳能电池的结构设计方法，包括微晶、非晶硅薄膜太阳能电池，CdTe/CdS，CIGS薄膜太阳能电池的结构设计，属于太阳能电池器件制备领域。该发明采用铝箔作为薄膜太阳能电池的背电极和基片，前表电极采用透明导电薄膜AZO(ZnO:Al)或者FTO(SnO2:F)，表层采用透明树脂封装，不改变目前工业生产的中间光伏层的结构，从而不需要改变目前生产的工艺和设备，不需要升级改造既可实现工业化生产。本发明主要解决目前工业生产的薄膜太阳能电池成本高，不能弯曲，运输成本高，易碎等问题。通过改变背电极、前表电极及封装材料来解决当前工业生产薄膜太阳能电池的所遇到的瓶颈。
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公开(公告)号：CN101798679A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN201010138885.3
申请日：2010-03-31
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明为一种用于动压气浮轴承的复合涂层制备方法，采用中频反应磁控溅射系统沉积Ti/AlTiN/Ti:DLC高硬度、高耐磨复合膜。动压气浮轴承转子与定子之间的摩擦系数越小越有利于马达启动，在高速转动过程中，定子与转子可能发生碰撞甚至出现瞬间熔化抱死故障。单一材料的动压气浮轴承已经不能满足目前的需求，轴承材料的表面改性技术是限制其应用的关键技术之一。本发明制备的涂层在降低了摩擦系数，提高了耐磨性，同时解决了涂层的耐腐蚀性及耐磨性。该方法易行，所有原料都比较常见，可以实现工业化生产。
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公开(公告)号：CN1245534C
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN02116687.0
申请日：2002-04-16
Applicant: 北京科技大学
IPC: C23C14/34
Abstract: 本发明提供了一种磁控溅射阴极及其溅射方法，其特征在于：法兰(28)安装于真空室壁上，在法兰(28)上有密封胶圈(26)和固定螺栓孔(27)，基片(37)置于阴极上方进行溅射镀膜；对于具有轴对称的圆形磁控溅射阴极，铁磁性靶材由中心圆形靶材(21’)和外侧环型靶材(21)组成，中心圆形靶材与外侧环形靶材之间有5——60mm的间隙，溅射在间隙附近发生；靶材(21，21’)、磁极(22，22’)、磁铁(23，23’)和磁极背板(38)构成闭合磁路；其中磁极和磁极背板采用高饱和磁化强度材料；靶体(33)采用具有良好导热性的材料制造。在溅射过程中，等离子体中的离子对靶材表面的轰击，将有大量的热能产生，在靶体内构造出冷却水道(39)。本发明的优点在于：克服了铁磁性靶材对磁路的屏蔽效应；增加一致性，易于安装和维护。
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公开(公告)号：CN1632964A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN200410009937.1
申请日：2004-12-02
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种具有高磁电阻效应的磁性隧道结及其制备方法。磁性隧道结由底电极层、反铁磁层、钴铁合金、绝缘层、金属钌层、顶电极层组成。本发明采用二氧化硅基片，通过等离子体溅射或磁控溅射、分子束外延生长手段制备成磁性隧道结。本发明的优点在于：巧妙的利用金属钌层和绝缘层的组合，大幅度地提高隧道结在室温下的磁电阻效应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1614714A
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：CN200410009938.6
申请日：2004-12-02
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种具有高磁电阻效应的双磁性隧道结及其制备方法。双磁性隧道结由底电极层、反铁磁层、钴铁合金、绝缘层、金属钌层、顶电极层组成。本发明采用二氧化硅基片，通过等离子体溅射或磁控溅射、分子束外延生长手段制备成双磁性隧道结。本发明的优点在于：巧妙的利用双隧道结、金属钌层和两层绝缘层的组合，大幅度地提高双磁性隧道结在室温下的磁电阻效应。
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公开(公告)号：CN1569738A
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN200410009087.5
申请日：2004-05-14
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/63 , H01G4/12 , H01G4/30
Abstract: 一种镍内电极钛酸钡基多层陶瓷电容器纳米瓷粉及其制备方法，涉及钛酸钡基多层陶瓷电容器纳米级介电材料。本发明采用湿化学方法中的共沉淀方法，经过合理配方，优化合成工艺，在较低的温度下，制备出用于MLCC，并适于镍内电极，且具有抗还原性的钛酸钡基20～50nm粉末钙钛矿相的焙烧粉末，此粉末在还原气氛中，于1150℃～1250℃烧结1～2小时，便可烧成以钛酸钡为主的高介电性能、适于镍内电极的Y5V多层陶瓷电容器。制成的介电陶瓷室温介电常数高达9400，介电损耗1～3％，电阻率≥1012～1013Ω.cm。本发明设备简单，成本低廉，制备出的陶瓷能满足MLCC高性能、小型化、贱金属化发展趋势的要求。
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公开(公告)号：CN1139948C
公开(公告)日：2004-02-25
申请号：CN02117624.8
申请日：2002-05-10
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01G4/12 , H01B3/12 , C04B35/622
Abstract: 一种纳米级多层陶瓷电容器介电材料的制备方法，属于电子陶瓷材料的制备，特别涉及一种铅系陶瓷粉料的制备。本方法是针对铌镁酸铅-钛酸铅粉料颗粒过大，烧结温度过高，电极成本过高和铅的挥发等问题采用湿化学中的共沉淀方法，在较低的温度下，制备出了一种以铌镁酸铅为主的铌镁酸铅-钛酸铅(PMN-PT)纳米级高性能多层陶瓷电容器(MLCC)介电陶瓷粉料，粉料颗粒尺寸在10～30nm，2小时烧结成陶瓷的室温介电常数高达12000～16000，介电损耗1～3%，电阻率≥1012Ω.cm，击穿电压10～14kv/mm，容温变化率在-30℃至+85℃之间≤-56%，+22%。该方法设备简单，成本低廉，能满足MLCC高性能小型化的趋势。
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公开(公告)号：CN1380439A
公开(公告)日：2002-11-20
申请号：CN02116688.9
申请日：2002-04-16
Applicant: 北京科技大学
IPC: C23C14/24
Abstract: 本发明提供了一种霍尔型离子辅助蒸发源,由阴极灯丝(31)、阳极(32)、供气系统、磁路等部件组成,其特征在于:蒸发源通过法兰背板(36)安装在未详细说明的真空室壁上。在蒸发源的上部安装有可发射热电子的阴极灯丝(31),灯丝通过陶瓷绝缘垫(37)与离子源其他部件绝缘;在放电室(38)下部安装了阳极(32),在阳极上构造出装载膜料的坩埚(39),坩埚底部有水冷室(40),阳极通过螺栓(41)与下部的布气板(42)连接;在布气板上构造出环型布气槽(43)。本发明的优点在于:可以用来镀前清洗,在用金属膜料镀制非金属膜时,可以将反应气体直接馈入蒸发源内并使其离化,从而进行反应镀膜,增加反应程度。
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公开(公告)号：CN1375843A
公开(公告)日：2002-10-23
申请号：CN02117624.8
申请日：2002-05-10
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01G4/12 , H01B3/12 , C04B35/622
Abstract: 一种纳米级多层陶瓷电容器介电材料的制备方法,属于电子陶瓷材料的制备,特别涉及一种铅系陶瓷粉料的制备。本方法是针对铌镁酸铅－钛酸铅粉料颗粒过大,烧结温度过高,电极成本过高和铅的挥发等问题采用湿化学中的共沉淀方法,在较低的温度下,制备出了一种以铌镁酸铅为主的铌镁酸铅－钛酸铅(PMN－PT)纳米级高性能多层陶瓷电容器(MLCC)介电陶瓷粉料,粉料颗粒尺寸在10～30nm,2小时烧结成陶瓷的室温介电常数高达12000～16000,介电损耗1～3%,电阻率≥1012Ω.cm,击穿电压10～14kv/mm,容温变化率在－30℃至+85℃之间≤－56%,+22%。该方法设备简单,成本低廉,能满足MLCC高性能小型化的趋势。
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