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公开(公告)号：CN111106241A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201911239683.5
申请日：2019-12-06
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种聚苯乙烯在有机薄膜晶体管抗辐照中的应用，所述聚苯乙烯的重均分子量为35000～500000，将其溶于有机溶剂中通过溶胶凝胶法制得致密的聚苯乙烯薄膜层。本发明使用该聚苯乙烯薄膜层作为有机薄膜晶体管的抗辐照保护层，有效提高该晶体管的抗辐照能力。聚苯乙烯薄膜层可以吸收辐照射线的能量，产生光交联，不仅可以有效减小晶体管中半导体层受到的辐照损伤，并且通过交联提高了聚苯乙烯薄膜层的电阻率，减小了晶体管内的栅漏电流。实施例结果表明，将聚苯乙烯应用于有机薄膜晶体管中作为抗辐照保护层，有效提高晶体管的抗辐照能力，保护晶体管的沟道，使晶体管在承受7.5 Mrad的总剂量辐照后，其工作性能参数仍能保持在原来的90%以上。
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公开(公告)号：CN110112293A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910264205.3
申请日：2019-04-03
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种高分子聚合物薄膜晶体管及其制备方法，该薄膜晶体管为顶栅底接触结构，晶体管由上至下依次是栅极、介电层、半导体有源层，源漏电极以及衬底；在高分子聚合物薄膜晶体管底电极制作完毕后，通过掩膜版对准，在电极上表面形成额外的铜过渡层，然后对铜过渡层进行紫外臭氧清洗，使铜过渡层充分被氧化成氧化铜中间层，通过氧化铜中间层提高源漏电极的表面功函数，使半导体有源层与源漏电极间肖特基势垒降低，接触电阻减小，从而提高了该薄膜晶体管的电学性能。本发明所述的制备方法，可以解决高分子聚合物半导体以及源漏底电极间的接触电阻较大的问题，抑制此类半导体与金属电极的非欧姆接触，使高分子聚合物薄膜晶体管性能大幅度提升。
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公开(公告)号：CN108226071A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201810063375.0
申请日：2018-01-23
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种基于抛物面结构的气体光谱测试装置，包括入射光处理单元、出射光处理单元及抛物面测量单元。本发明借助光在抛物面结构内的传播特性，将出射光位置和感光器位置分别定在抛物面测量单元的左焦点及右焦点上，并在左焦点的左侧设置凹透镜，在右焦点设置电荷耦合元件，凹透镜发出的光经过左侧抛物面金属壳内壁的反射，平行射入右侧抛物面金属壳内壁中，再由右侧抛物面金属壳内壁反射汇聚于电荷耦合元件处。该光谱装置结构保证了经过抛物面测量单元内气体样品的光程固定，提高了测量的可重复性，做到了对气体样品等光程多角度的光谱测量，具有结构简单，成本低，操作方便以及测量精准等优点。
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公开(公告)号：CN112349593B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202011163303.7
申请日：2020-10-27
Applicant: 华东师范大学
IPC: H01L21/34 , H01L29/786 , H01L29/43 , H01L29/417 , H01L29/24
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯为源漏电极的二维薄膜晶体管及制备方法，所述二维晶体管属于底栅顶接触型晶体管。其制备方法首先使用机械剥离法用英格兰蓝色胶带从二维材料块材上剥离薄膜到Gelpak机械剥离专用PF凝胶膜，选择合适厚度且表面均匀的材料转移到硅/二氧化硅衬底上作为N型半导体沟道层。再剥离两块石墨烯薄膜分别转移到半导体层两端作为源、漏电极，最后利用掩模版通过热蒸发法蒸镀金电极，由此制备得到所述二维薄膜晶体管。本发明区别于其他二维器件制备工艺，无需复杂昂贵的电子束光刻，所用材料安全环保，成本低廉，不仅得到了以二维材料为源漏电极和沟道的微电子器件，而且从迁移率、开关比等方面优化了现有的二维晶体管。
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公开(公告)号：CN109037031B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN201810754806.8
申请日：2018-07-11
Applicant: 华东师范大学
IPC: H01L21/02 , H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种掺镍氧化铜薄膜晶体管及制备方法，本发明通过制备前驱体溶液、将前驱体溶液旋涂在重掺杂硅片上形成掺镍氧化铜薄膜、利用掩膜版在掺镍氧化铜薄膜上制备金属源及漏电极，完成背栅结构晶体管即p型薄膜晶体管的制备。本发明背栅结构晶体管的性能较氧化铜薄膜晶体管的性能有明显提升。本发明制备的掺镍氧化铜薄膜具有薄膜质量高，载流子散射降低，空穴传输能力高，空穴的散射少的优点，使薄膜与介电层以及电极的接触界面质量得以提高，从而达到提高薄膜晶体管的迁移率的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110137355B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201910401316.4
申请日：2019-05-15
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种改进亚阈值摆幅和开关比的有机薄膜晶体管及制备方法，对比对象为现有技术制备的顶栅底接触结构有机薄膜晶体管。通过掩膜版在现有技术制备的顶栅底接触结构有机薄膜晶体管的栅极上真空热蒸镀出20~40纳米的栅极保护层，再依次采取干氧刻蚀及紫外曝光刻蚀的方式，利用有机薄膜晶体管中栅极的自对准作用，将未被栅极所覆盖的绝缘介电层和半导体沟道层刻蚀。本发明提高了有机半导体沟道载流子产生速率，并且防止源漏电极附近，未被栅极覆盖的半导体沟道层激发出载流子，使关态电流增加。在保持良好电学性能的同时，减小了亚阈值摆幅并且提高了开关比，具有成本低廉、工艺便捷且适用于各类顶栅底接触结构有机薄膜晶体管的特点。
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公开(公告)号：CN110265548B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201910481510.8
申请日：2019-06-04
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种铟掺杂N型有机薄膜晶体管及其制备方法，所述N型有机薄膜晶体管具有顶栅底接触结构。其制备方法首先在玻璃衬底上通过掩膜版制备一层金作为源极和漏极，再在金电极上制备一层铟作为掺杂层，然后利用溶胶凝胶法，在已制备电极完毕的样品表面形成N型有机半导体有源层，并在有源层上旋涂一层介电材料作为绝缘层，最后通过掩膜版在绝缘层表面制备铝形成栅电极。该方法所制备的有机薄膜晶体管相较于传统有机薄膜晶体管，其开关比和载流子迁移率得到了明显的提升，器件的亚阈值摆幅和阈值电压大幅减小。本发明提升了顶栅底接触结构的N型有机薄膜晶体管的电学性能，具有成本低廉、工艺步骤简单且广泛适用于N型有机薄膜晶体管的特点。
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公开(公告)号：CN109768161B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201910014131.8
申请日：2019-01-08
Applicant: 华东师范大学
IPC: H01L51/40
Abstract: 本发明公开了一种有机薄膜晶体管有源层图形化的方法，该方法在已制备完底电极的衬底上，形成有源层，再在有源层上旋涂一层介电材料作为中间缓冲层，通过掩膜版在中间缓冲层上形成图形化金属保护层，采用干氧刻蚀去掉未被金属保护层覆盖的有源层及中间缓冲层，最后将多余的中间缓冲层及金属保护层进行剥离，从而获得已图形化的有源层。本发明无需使用昂贵的光刻机及光刻材料，避免了化学药品对半导体有源层的腐蚀和溶解。具有制作效率高、成本低且图形化效果好的优点。
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公开(公告)号：CN110888025A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201911183220.1
申请日：2019-11-27
Applicant: 华东师范大学 , 广西电网有限责任公司电力科学研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于机器学习的GIS设备故障判断方法，适用于变电站分析GIS故障设备中六氟化硫（SF6）分解物组分与设备故障的对应关系，并通过建立模型实现对GIS设备的故障判断以及实时监控。通过运用该方法在已有训练样本集的基础上，运行维护人员可以根据测试样本的SF6气体分解物组分判断其对应的GIS设备故障放电能量大小以及绝缘缺陷类型。且由本发明训练得出的判断模型不仅可以兼容不同环境下的样本数据，同时对于多种故障放电并存的现象也可以较好地识别。这将有利于电网系统更加精确地预知放电的故障类型，及时定位检修，以维护GIS的稳定运行。
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公开(公告)号：CN107991735B
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201610953543.4
申请日：2016-10-27
Applicant: 华东师范大学
IPC: G02B6/032
Abstract: 本发明公开了一种金属毛细管/环烯烃聚合物电介质膜太赫兹空芯光纤及其制备方法，其制备方法包括如下步骤：将环烯烃聚合物溶解于甲苯溶剂中配制溶液；将溶液注入金属毛细管内，控制甲苯溶液从底端流出使甲苯溶液液面匀速下降，在金属毛细管内壁上形成环烯烃聚合物厚液膜；待甲苯溶液排出后将金属毛细管浸入异性溶剂中，环烯烃聚合物厚液膜中的甲苯溶剂分子扩散至异性溶剂中，在金属毛细管内壁上形成环烯烃聚合物电介质膜；向金属毛细管内通入氮气或空气缓慢干燥，获得金属毛细管/环烯烃聚合物电介质膜太赫兹空芯光纤。该光纤的低损耗窗口的位置可以通过改变环烯烃聚合物电介质膜的厚度进行调节，从而实现不同频率太赫兹波的传输。
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