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公开(公告)号：CN118742193A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410865923.7
申请日：2024-07-01
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明涉及一种GeTe/Sb类超晶格相变薄膜材料及制备方法和射频开关，所述制备方法，采用磁控溅射方式，在Si‑SiO2基衬底上实现了GeTe和Sb相变薄膜材料交替堆叠组成的类超晶格相变开关层。本发明还提供一种GeTe/Sb类超晶格相变射频开关，包括由下至上依次设置的衬底层、底电极层、相变开关功能层、顶电极层、钝化层和射频传输层。本发明的GeTe/Sb类超晶格相变薄膜热稳定性好，通过采用GeTe/Sb类超晶格相变材料作为相变开关功能层，得到高速、低功耗、高开关比、优良射频性能的相变射频开关，有望应用于可重构无线通信系统中。
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公开(公告)号：CN115528168A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202211198007.X
申请日：2022-09-29
Applicant: 华东师范大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种基于加热器异面结构低寄生电容相变射频开关及制备方法，所述的射频开关包括衬底，一层相变材料层，一层加热元件层，一层隔热层，一层钝化层和一层射频传输层。处于相变材料层之下的加热元件先向外横向延伸后利用硅通孔技术向下穿透衬底与加热元件的终端电路连接起来，使加热元件终端电路位于加热元件的下方。加热元件终端电路位于相对于相变材料层和射频传输层的不同层间水平，最终实现减少寄生电容的目的，提高了整体器件的射频传输性能。
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公开(公告)号：CN114188476A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111391172.2
申请日：2021-11-23
Applicant: 华东师范大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种间接加热型Ge‑Sb‑Te基相变射频开关及其制备方法，所述的射频相变开关采用四层加工工艺。由下往上分别为加热层、隔热层、Ge‑Sb‑Te基相变层和射频传输层，每层的图案化由电子束光刻套刻工艺实现，其中Ge‑Sb‑Te基相变层依靠脉冲激光沉积技术实现，加热方式为间接加热。相变射频开关通过脉冲加热使相变材料发生晶态非晶态的转变的同时电阻率发生巨大的变化来实现射频传输的开关。本发明实施例中的相变射频开关是在已有的成熟硅半导体加工工艺基础上来制作间接加热型Ge‑Sb‑Te基相变射频开关，从而在可以提高相变开关可靠性的同时，使相变开关的制作工艺变得更简单，成本更低且集成度更好。
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公开(公告)号：CN107991735B
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201610953543.4
申请日：2016-10-27
Applicant: 华东师范大学
IPC: G02B6/032
Abstract: 本发明公开了一种金属毛细管/环烯烃聚合物电介质膜太赫兹空芯光纤及其制备方法，其制备方法包括如下步骤：将环烯烃聚合物溶解于甲苯溶剂中配制溶液；将溶液注入金属毛细管内，控制甲苯溶液从底端流出使甲苯溶液液面匀速下降，在金属毛细管内壁上形成环烯烃聚合物厚液膜；待甲苯溶液排出后将金属毛细管浸入异性溶剂中，环烯烃聚合物厚液膜中的甲苯溶剂分子扩散至异性溶剂中，在金属毛细管内壁上形成环烯烃聚合物电介质膜；向金属毛细管内通入氮气或空气缓慢干燥，获得金属毛细管/环烯烃聚合物电介质膜太赫兹空芯光纤。该光纤的低损耗窗口的位置可以通过改变环烯烃聚合物电介质膜的厚度进行调节，从而实现不同频率太赫兹波的传输。
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公开(公告)号：CN109883544A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910099635.4
申请日：2019-01-31
Applicant: 华东师范大学
IPC: G01J1/42
Abstract: 本发明公开了一种改进型室温高灵敏SOS衬底太赫兹检测器及其制备方法，其检测器以硅基SOS基片作为衬底，所述衬底上反应离子刻蚀（RIE）的硅探测微桥，所述硅探测微桥两端连接金薄膜电极。本发明还公开了制备所述检测器的方法。本发明的检测器工作于室温，具有高灵敏度，快响应时间，制备简单，同主流硅工艺兼容便于做成大规模阵列芯片的特点，使其在太赫兹材料检测、太赫兹成像等方面具有广泛的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116314283A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310220086.8
申请日：2023-03-09
Applicant: 华东师范大学
IPC: H01L29/16 , H01L29/10 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种正负光电导切换的场效应晶体管及其制备方法，能够实现在不同激光功率密度下正/负光电导切换的功能，所制备晶体管以石墨烯作为沟道层，硒化铟作为光吸收层。制备过程如下：首先，采用机械剥离法制备六方氮化硼、石墨烯以及硒化铟；其次，借助转移台将其分别转移到经过超声处理的硅/二氧化硅衬底上；然后，利用铜网掩膜法对其进行图案化处理；最后，借助热蒸发镀膜仪沉积金电极，至此完成晶体管的制备。本发明所制备晶体管结构简单、制备过程易操作，进一步丰富了二维材料的功能特性。
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公开(公告)号：CN105701353B
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201610032616.6
申请日：2016-01-19
Applicant: 华东师范大学
Inventor： 杨静 , 张金中 , 其他发明人请求不公开姓名
Abstract: 一种以内存为暂存媒介、专用于PPMS的批量获取磁性材料的M‑T曲线、ΔS‑T曲线的方法，建议分类号为G01N 27/72。本发明既不是对现有热力学理论的改进，也不是对现有磁熵变的计算机计算方法作出的算法改进，而是以内存为暂存媒介，专门针对利用PPMS系统进行磁性材料的测量得到磁矩—磁场—温度测试数据进行技术处理而得到测量磁性材料的磁熵变的技术方案，解决了现有技术中根据PPMS测量得到的数据难以获得磁性材料的M‑T曲线、ΔS‑T曲线的难题。
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公开(公告)号：CN103880078B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201410065071.X
申请日：2014-02-26
Applicant: 华东师范大学
IPC: C01G29/00
Abstract: 本发明公开了一种镓酸铋铁电薄膜材料及其制备方法，其薄膜材料生长在衬底材料上，镓酸铋分子式为BiGaO3，衬底为Si、LaNiO3/Si、Pt/TiO2/SiO2/Si、Pt/Ti/SiO2/Si其中之一；薄膜材料的空间群为Pcca，晶格常数为a=5.626？，b=5.081？，c=10.339？；所述的BiGaO3薄膜材料在所选择的衬底上生长得到的择优取向为（112）；制备方法是按铋∶镓为1.1∶1的摩尔比，称量硝酸镧和醋酸镧后，以乙酸为溶剂，在温度为60℃下充分搅拌后得到无色澄清溶液。接着将所得溶液置于衬底上旋涂成膜，在快速退火炉中退火，重复上述过程数次，得到所需厚度的镓酸铋薄膜材料。该材料在光伏太阳能电池和信息存储等领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN103880078A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410065071.X
申请日：2014-02-26
Applicant: 华东师范大学
IPC: C01G29/00
Abstract: 本发明公开了一种镓酸铋铁电薄膜材料及其制备方法，其薄膜材料生长在衬底材料上，镓酸铋分子式为BiGaO3，衬底为Si、LaNiO3/Si、Pt/TiO2/SiO2/Si、Pt/Ti/SiO2/Si其中之一；薄膜材料的空间群为Pcca，晶格常数为a=5.626？，b=5.081？，c=10.339？；所述的BiGaO3薄膜材料在所选择的衬底上生长得到的择优取向为（112）；制备方法是按铋∶镓为1.1∶1的摩尔比，称量硝酸镧和醋酸镧后，以乙酸为溶剂，在温度为60℃下充分搅拌后得到无色澄清溶液。接着将所得溶液置于衬底上旋涂成膜，在快速退火炉中退火，重复上述过程数次，得到所需厚度的镓酸铋薄膜材料。该材料在光伏太阳能电池和信息存储等领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN118973374A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411027059.X
申请日：2024-07-30
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种基于相变材料的多端口C型射频开关，所述的多端口C型射频开关是在Si‑SiO2衬底上通过单片集成SPST相变射频开关所制备的，具有四个端口。多端口C型射频开关自下而上包括依次设置的衬底层、底电极层、相变开关功能层、顶电极层、钝化层和射频传输层。与SPnT相变射频开关相比，使用多端口C型射频开关作为基本的构建块，可减少可重构射频系统所需的开关总数，以简化系统设计，增加系统的灵活性。
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