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公开(公告)号:CN119050248B
公开(公告)日:2025-03-18
申请号:CN202411536572.1
申请日:2024-10-31
Applicant: 华引芯(张家港)半导体有限公司 , 华引芯(武汉)科技有限公司
IPC: H10H20/856 , H10H20/851
Abstract: 本申请提供一种改善出光角度的LED发光元件及其制备方法,LED发光元件包括发光二极管芯片、色转换膜和第一反射膜,色转换膜设置在发光二极管芯片的主出光面上;第一反射膜设置在色转换膜的侧壁上;其中,色转换膜包括第一透明保护层和色转换层,第一透明保护层具有一凹槽,凹槽的开口方向朝向发光二极管芯片,色转换层容置于凹槽内。本申请提供的LED发光元件中,设置在色转换膜的侧壁上的第一反射膜的镀膜质量高,能够改善出光角度,增加正面出光的强度,并且,由于色转换层的外侧包覆有第一透明保护层,进而能够在研磨过程中,对色转换层进行保护,从而能够使LED发光元件的色温区间处于正常范围,提高LED发光元件的生产良率。
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公开(公告)号:CN119050221B
公开(公告)日:2025-03-18
申请号:CN202411536634.9
申请日:2024-10-31
Applicant: 华引芯(张家港)半导体有限公司 , 华引芯(武汉)科技有限公司
IPC: H10H20/01 , H10H20/84 , H10H20/841 , H10H20/816
Abstract: 本申请提供一种车规级发光二极管芯片及其制备方法,车规级发光二极管芯片的制备方法包括:形成图案化的发光外延层;在发光外延层的一侧形成图案化的导电反射层和图案化的导电保护层;其中,在发光外延层上形成图案化的导电反射层和图案化的导电保护层的步骤包括:在发光外延层的一侧形成图案化的光刻胶层;以光刻胶层为掩模版,采用蒸发镀膜的方式,形成图案化的导电反射层;以光刻胶层为掩模版,采用溅射镀膜的方式,在导电反射层上形成包覆导电反射层的图案化的导电保护层。本申请能够在仅使用一道光罩的情况下,制备形成对导电反射层包覆性良好的导电保护层,既降低了生产制造成本,还提升了车规级发光二极管芯片的可靠性。
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公开(公告)号:CN119562679A
公开(公告)日:2025-03-04
申请号:CN202411593017.2
申请日:2024-11-08
Applicant: 华引芯(武汉)科技有限公司
IPC: H10H20/851 , H10H20/853 , H10H20/858 , H10H20/01
Abstract: 本申请提供一种高色域Mini LED封装器件及其制备方法、显示装置,Mini LED封装器件包括LED芯片和设置在LED芯片的出光侧的色转换膜,色转换膜包括散热基板和设置在散热基板背离LED芯片的一侧的色转换层;色转换层包括光固化基材和分散在光固化基材中的色转换粒子,色转换粒子包括量子点、氟化物荧光粉中的至少一种,本申请提供的Mini LED封装器件能够在兼顾高色域的同时,降低色转换膜的制备工艺难度,并提升散热能力,进而提升良率和可靠性。
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公开(公告)号:CN119050248A
公开(公告)日:2024-11-29
申请号:CN202411536572.1
申请日:2024-10-31
Applicant: 华引芯(张家港)半导体有限公司 , 华引芯(武汉)科技有限公司
Abstract: 本申请提供一种改善出光角度的LED发光元件及其制备方法,LED发光元件包括发光二极管芯片、色转换膜和第一反射膜,色转换膜设置在发光二极管芯片的主出光面上;第一反射膜设置在色转换膜的侧壁上;其中,色转换膜包括第一透明保护层和色转换层,第一透明保护层具有一凹槽,凹槽的开口方向朝向发光二极管芯片,色转换层容置于凹槽内。本申请提供的LED发光元件中,设置在色转换膜的侧壁上的第一反射膜的镀膜质量高,能够改善出光角度,增加正面出光的强度,并且,由于色转换层的外侧包覆有第一透明保护层,进而能够在研磨过程中,对色转换层进行保护,从而能够使LED发光元件的色温区间处于正常范围,提高LED发光元件的生产良率。
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公开(公告)号:CN119050221A
公开(公告)日:2024-11-29
申请号:CN202411536634.9
申请日:2024-10-31
Applicant: 华引芯(张家港)半导体有限公司 , 华引芯(武汉)科技有限公司
Abstract: 本申请提供一种车规级发光二极管芯片及其制备方法,车规级发光二极管芯片的制备方法包括:形成图案化的发光外延层;在发光外延层的一侧形成图案化的导电反射层和图案化的导电保护层;其中,在发光外延层上形成图案化的导电反射层和图案化的导电保护层的步骤包括:在发光外延层的一侧形成图案化的光刻胶层;以光刻胶层为掩模版,采用蒸发镀膜的方式,形成图案化的导电反射层;以光刻胶层为掩模版,采用溅射镀膜的方式,在导电反射层上形成包覆导电反射层的图案化的导电保护层。本申请能够在仅使用一道光罩的情况下,制备形成对导电反射层包覆性良好的导电保护层,既降低了生产制造成本,还提升了车规级发光二极管芯片的可靠性。
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公开(公告)号:CN118522749B
公开(公告)日:2024-11-15
申请号:CN202410986310.9
申请日:2024-07-23
Applicant: 华引芯(张家港)半导体有限公司 , 华引芯(武汉)科技有限公司
Abstract: 本申请提供一种Micro LED显示模组及其制备方法,Micro LED显示模组包括依次层叠设置的驱动基板、第一钝化层、第一电极层和一体式结构的发光单元组,所述驱动基板包括多个第一类型触点;所述第一钝化层包括多个第一通孔,每个所述第一通孔暴露一个所述第一类型触点;所述第一电极层包括多个第一电极块;所述一体式结构的发光单元组包括芯片电极层,所述芯片电极层包括多个第一类型电极;其中,每个所述第一电极块分别与一个所述第一类型触点、一个所述第一类型电极电性连接,且所述第一电极块的面积大于所述第一类型触点的面积。本申请提供的Micro LED显示模组具有对键合设备的对位精度度要求低,生产良率高的有益效果。
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公开(公告)号:CN118213453B
公开(公告)日:2024-08-13
申请号:CN202410636095.X
申请日:2024-05-22
Applicant: 华引芯(武汉)科技有限公司 , 华引芯(张家港)半导体有限公司
IPC: H01L33/50
Abstract: 本申请提供一种荧光膜、荧光膜的制备方法、发光元件,所述荧光膜包括第一光学膜和第二光学膜,所述第一光学膜包括第一基材和掺杂于所述第一基材内的第一掺杂物;所述第二光学膜设置于所述第一光学膜的表面上,所述第二光学膜包括第二基材和掺杂于所述第二基材内的第二掺杂物;其中,所述第一基材和所述第二基材均为甲基硅胶,所述第一掺杂物为荧光粉,所述第二掺杂物为玻璃粉,本申请提供的荧光膜具有较好的长期耐温性能,从而能够提高应用所述荧光膜的发光元件的可靠性,延长寿命;且所述荧光膜中的第二光学膜的硬度较高,能够较好地支撑第一光学膜,满足自动化贴膜机对荧光膜的硬度性能要求,从而提高荧光膜的贴合精度和贴合稳定性,提高良率。
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公开(公告)号:CN118213453A
公开(公告)日:2024-06-18
申请号:CN202410636095.X
申请日:2024-05-22
Applicant: 华引芯(武汉)科技有限公司 , 华引芯(张家港)半导体有限公司
IPC: H01L33/50
Abstract: 本申请提供一种荧光膜、荧光膜的制备方法、发光元件,所述荧光膜包括第一光学膜和第二光学膜,所述第一光学膜包括第一基材和掺杂于所述第一基材内的第一掺杂物;所述第二光学膜设置于所述第一光学膜的表面上,所述第二光学膜包括第二基材和掺杂于所述第二基材内的第二掺杂物;其中,所述第一基材和所述第二基材均为甲基硅胶,所述第一掺杂物为荧光粉,所述第二掺杂物为玻璃粉,本申请提供的荧光膜具有较好的长期耐温性能,从而能够提高应用所述荧光膜的发光元件的可靠性,延长寿命;且所述荧光膜中的第二光学膜的硬度较高,能够较好地支撑第一光学膜,满足自动化贴膜机对荧光膜的硬度性能要求,从而提高荧光膜的贴合精度和贴合稳定性,提高良率。
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公开(公告)号:CN118213363A
公开(公告)日:2024-06-18
申请号:CN202410638378.8
申请日:2024-05-22
Applicant: 华引芯(武汉)科技有限公司 , 华引芯(张家港)半导体有限公司
Abstract: 本公开涉及显示技术领域,特别是涉及一种发光器件、灯板和显示装置。发光器件包括:封装载板,包括封装载板本体、第一焊盘和第二焊盘,第一焊盘设置在封装载板本体的第一表面上,第二焊盘设置在封装载板本体的第二表面上,第一表面与第二表面分别位于封装载板本体相对的两侧;驱动芯片,位于封装载板上,并与第二焊盘电连接;至少一个光源芯片,位于所述驱动芯片上,且与驱动芯片堆叠设置,光源芯片与驱动芯片电连接,驱动芯片用于驱动光源芯片发光。第一出光结构,包围光源芯片;第二出光结构,包围驱动芯片,第二出光结构连接第一出光结构且覆盖封装载板,第一出光结构和第二出光结构用于出射光源芯片发出的光。
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公开(公告)号:CN117937233A
公开(公告)日:2024-04-26
申请号:CN202311784462.2
申请日:2023-12-22
Applicant: 华引芯(武汉)科技有限公司
IPC: H01S5/026 , H01S5/02315 , H01S5/02326 , H01S5/02345
Abstract: 本发明提供了一种红外激光器件及传感模组,包括第一封装模块、第二封装模块和第三封装模块。第一封装模块包括第一电路板和与第一电路板电连接的边发射激光芯片。第二封装模块包括第二电路板和与第二电路板电连接的探测器芯片和激光驱动芯片。第三封装模块包括第三电路板,第三电路板上分别设有第一安装区和第二安装区,第一封装模块和第二封装模块分别与第三电路板电连接,且第一电路板与第三电路板垂直设置,以使边发射激光芯片发射的激光方向与第三电路板垂直。本发明提供的技术方案能够实现边发射激光芯片垂直出光的技术效果,扩大了应用场景。此外,还提高了器件的集成度和减小了体积。
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