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公开(公告)号：CN118486771B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202410782332.3
申请日：2024-06-18
Applicant: 华引芯(武汉)科技有限公司
IPC: H10H20/819 , H10H20/821 , H10H29/01 , H10H29/14
Abstract: 本申请提供一种微型发光二极管显示模组及其制备方法，微型发光二极管显示模组包括驱动基板和多个发光结构，多个发光结构设置于驱动基板的一侧，并与驱动基板电性连接，每个发光结构包括在背离驱动基板的方向上依次层叠设置的P型半导体层、量子阱发光层、N型半导体层；其中，每个发光结构中的P型半导体层、量子阱发光层、N型半导体层的截面长度依次减小，多个发光结构中的多个N型半导体层相互间隔设置。本申请提供的微型发光二极管显示模组中，发光结构的发光亮度较高，能够改善相关技术中存在的LED芯片的亮度较低的问题，且多个发光结构中的多个N型半导体层相互间隔设置，能够改善相邻的多个LED芯片光串扰的问题。
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公开(公告)号：CN119767905A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202510256708.1
申请日：2025-03-05
Applicant: 华引芯(张家港)半导体有限公司 , 华引芯(武汉)科技有限公司
IPC: H10H20/857 , H10H20/851 , H10H20/841 , H10H20/01
Abstract: 本申请提供一种LED器件及其制备方法、车灯，LED器件包括载板、倒装LED芯片、导光过渡层、波长转换层和反射层，倒装LED芯片设置在载板的承载面上，倒装LED芯片的出光面位于其背光面远离载板的一侧，导光过渡层设置在出光面上，导光过渡层具有光入射面、光出射面及连接光入射面和光出射面的导光侧壁，光出射面位于光入射面远离倒装LED芯片的一侧，光入射面的面积等于出光面的面积，且大于光出射面的面积；波长转换层设置在光出射面上，波长转换层的边缘与光出射面的边缘相齐平；反射层环绕设置于波长转换层的外围，并覆盖芯片侧壁和导光侧壁。本申请能够在避免使用技术壁垒较多的垂直LED芯片的情况下，使LED器件实现更高的亮度和更高的可靠性。
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公开(公告)号：CN119698148A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202510218257.2
申请日：2025-02-26
Applicant: 华引芯(张家港)半导体有限公司 , 华引芯(武汉)科技有限公司
IPC: H10H20/841 , H10H20/819 , H10H20/01
Abstract: 本申请提供一种倒装LED芯片及其制备方法，制备方法包括：在图形化的外延层上形成图形化的剥离层；在图形化的剥离层上形成图形化的界面改善层，其中，图形化的界面改善层包括多个界面改善块，在界面改善层远离剥离层的方向上，界面改善块的截面宽度逐渐增大；在图形化的外延层和图形化的界面改善层上形成反射层，其中，图形化的界面改善层上的反射层与图形化的外延层上的反射层间隔设置，反射层为布拉格反射器；对图形化的剥离层进行腐蚀处理，以使图形化的界面改善层连同图形化的界面改善层上的反射层，从图形化的外延层上剥离。本申请提供的倒装LED芯片的制备方法成本低廉，反射层的反射效果好，倒装LED芯片的发光性能和稳定性佳。
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公开(公告)号：CN119069607B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411536649.5
申请日：2024-10-31
Applicant: 华引芯(张家港)半导体有限公司 , 华引芯(武汉)科技有限公司
IPC: H10H20/851 , G02F1/13357 , H10H20/858
Abstract: 本申请提供一种高色域Mini LED发光元件及其制备方法、显示装置，高色域Mini LED发光元件包括LED芯片和色转换膜，色转换膜设置在LED芯片的出光侧，色转换膜包括散热基板和设置在散热基板背离LED芯片的一侧的色转换层；其中，色转换层包括阵列设置的多个色转换单元，以及设置在任意相邻的两个色转换单元之间的狭缝，且在狭缝的延伸方向上，狭缝贯穿色转换层。本申请提供的高色域Mini LED发光元件中，色转换层能够提升高色域Mini LED发光元件的显色能力，提升其色域，且设置在散热基板上的贯穿色转换层的狭缝，能够改善色转换层的散热能力，进而提升高色域Mini LED发光元件的可靠性。
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公开(公告)号：CN114551494B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202210187978.8
申请日：2022-02-28
Applicant: 华引芯(武汉)科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种微型光电子器件及其制备方法，该制备方法包括在发光晶圆上形成第一接合电介质层,在第一接合电介质层与发光晶圆的第一电极对应处开设第一开孔，在第一电极上形成第一接合金属块，第一开孔围设于第一接合金属块；在驱动晶圆上形成第二接合电介质层,在第二接合电介质层与驱动晶圆的第二电极对应处开设第二开孔，在第二电极上形成第二接合金属块，第二开孔围设于第二接合金属块；将第二接合金属块和第一接合金属块直接接合以及将第二接合介电质层和第一接合介电质层直接接合使得发光单元对应接合到驱动电路上；以及，移除第一生长基体以暴露发光单元。通过以上方式，混合键合降低键合温度，还增强键合强度，并降低了工艺难度和成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115000116B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202210613870.0
申请日：2022-06-01
Applicant: 华引芯(武汉)科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种发光器件及制备方法，包括：在第一衬底中央开设扩散引流结构；扩散引流结构包括若干通孔和凹槽，若干通孔间隔排列形成通孔阵列，若干凹槽从通孔阵列向第一衬底的周缘辐射；在第一衬底错开扩散引流结构处形成若干间隔的发光单元；在第二衬底形成与发光单元对应的若干驱动电路；将发光单元和驱动电路通过连接层连接形成键合体；在键合体的外周缘点胶，使最外围的发光元件被胶体包围；在胶体围设的内外形成压差，利用压差将胶体通过扩散引流结构填充进发光元件的底部；固化后剥离第一衬底。通过以上方式，可获得底部填胶均匀、填充全面且无空洞的发光器件，且该制备工艺简单稳定性好且填充高效，能广泛应用于产业化。
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公开(公告)号：CN118610340A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202411100719.2
申请日：2024-08-12
Applicant: 华引芯(张家港)半导体有限公司 , 华引芯(武汉)科技有限公司
Abstract: 本申请提供一种LED芯片及其制备方法，LED芯片包括外延层、电流扩展层、增透层、第一功能层和金属反射层，电流扩展层设置在外延层的一侧；增透层设置在电流扩展层背离外延层的一侧；第一功能层设置在增透层背离电流扩展层的一侧，并具有第一开口；金属反射层设置在电流扩展层背离外延层的一侧，并位于第一开口内；其中，在增透层背离电流扩展层的方向上，第一开口的直径逐渐增大，且增透层对第一溶液的耐腐蚀性大于第一功能层对第一溶液的耐腐蚀性，本申请提供的LED芯片及其制备方法，能够在改善银反射层的边缘翘金、脱落问题的同时，兼顾增透层各区域的厚度均一性，进而提高LED芯片的亮度均匀性，提高产品良率，降低生产制造成本。
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公开(公告)号：CN118486771A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410782332.3
申请日：2024-06-18
Applicant: 华引芯(武汉)科技有限公司
Abstract: 本申请提供一种微型发光二极管显示模组及其制备方法，微型发光二极管显示模组包括驱动基板和多个发光结构，多个发光结构设置于驱动基板的一侧，并与驱动基板电性连接，每个发光结构包括在背离驱动基板的方向上依次层叠设置的P型半导体层、量子阱发光层、N型半导体层；其中，每个发光结构中的P型半导体层、量子阱发光层、N型半导体层的截面长度依次减小，多个发光结构中的多个N型半导体层相互间隔设置。本申请提供的微型发光二极管显示模组中，发光结构的发光亮度较高，能够改善相关技术中存在的LED芯片的亮度较低的问题，且多个发光结构中的多个N型半导体层相互间隔设置，能够改善相邻的多个LED芯片光串扰的问题。
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公开(公告)号：CN118218196B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410637820.5
申请日：2024-05-22
Applicant: 华引芯(武汉)科技有限公司 , 华引芯(张家港)半导体有限公司
Abstract: 本发明公开一种Mini‑LED背光模组封装胶涂覆装置及方法，包括底座、点胶结构、离型纸系统、滚压结构，点胶结构包括点胶筒，点胶筒活动地设于工作台上方，点胶筒在沿水平方向移动的过程中向工作台上的芯片支架点胶；离型纸系统包括离型纸，离型纸活动地设于工作台上方，并位于胶体之上；滚压结构包括表面具有微结构的滚轴，滚轴活动地设于离型纸上方，在点胶筒向芯片支架点胶后，滚轴通过滚压离型纸以将滚轴表面的微结构或者离型纸表面的花纹压印至胶体表面，使封装胶体内部具有多种结构，进而增大LED的出光面。本发明在扩大LED出光面的同时，可有效增强模组发光均匀度，在同膜材架构下可减少LED光源数量，进而降低背光模组成本。
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公开(公告)号：CN118231556A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410637879.4
申请日：2024-05-22
Applicant: 华引芯(武汉)科技有限公司 , 华引芯(张家港)半导体有限公司
IPC: H01L33/64
Abstract: 本发明提供了一种多面散热的深紫外器件及其制备方法，包括基板、至少两个导热围坝、导热底板、LED芯片；至少两个导热围坝围设于基板四周，以限定出用于安装LED芯片的安装槽，导热围坝用以将安装槽内的热量传散出去，至少两个导热围坝之间设有绝缘体，以将导热围坝分隔成器件的正负电极；导热底板设置于基板底部，导热底板具有连通安装槽的导热部，导热部用以将安装槽内的热量传导至导热底板上。LED芯片固定安装于安装槽内，并通过透镜进行封盖。在本发明提供的技术方案中，将现有器件只能垂直向下单向散热，优化为通过底面的导热底板和导热围坝的四个侧面进行立体式多面散热，大幅增加了器件的散热面积和过载能力，提高了器件的可靠性。
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