公开(公告)号：CN110767516A

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201911009209.3

申请日：2019-10-23

Applicant: 南京工程学院

Inventor： 冯琤 ,  刘健 ,  张益军 ,  宋宇飞 ,  赵静 ,  杨会军 ,  刘扬 ,  蒋姝

IPC: H01J9/12 ,  H01J29/04 ,  H01J31/50

Abstract: 本发明涉及一种变组分变掺杂反射式AlxGa1-xAs/GaAs光电阴极及其制备方法，该阴极自下而上n型GaAs衬底、p型GaAs过渡层、p型变Al组分AlxGa1-xAs缓冲层、p型指数掺杂GaAs发射层组成；其中，p型变Al组分AlxGa1-xAs缓冲层的Al组分从后界面处自下而上从0.9到0变化，采用均匀掺杂方式；p型指数掺杂GaAs发射层为4个以上单元的分层结构，掺杂浓度采用从后界面处单元分层10×1019cm-3到发射表面单元分层1.0×1018cm-3指数型减小的浓度分布。本发明可提高光电子在阴极体内的输运能力，达到提高GaAs光电阴极量子效率的目的。