-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110767516A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201911009209.3
申请日：2019-10-23
Applicant: 南京工程学院
Abstract: 本发明涉及一种变组分变掺杂反射式AlxGa1-xAs/GaAs光电阴极及其制备方法，该阴极自下而上n型GaAs衬底、p型GaAs过渡层、p型变Al组分AlxGa1-xAs缓冲层、p型指数掺杂GaAs发射层组成；其中，p型变Al组分AlxGa1-xAs缓冲层的Al组分从后界面处自下而上从0.9到0变化，采用均匀掺杂方式；p型指数掺杂GaAs发射层为4个以上单元的分层结构，掺杂浓度采用从后界面处单元分层10×1019cm-3到发射表面单元分层1.0×1018cm-3指数型减小的浓度分布。本发明可提高光电子在阴极体内的输运能力，达到提高GaAs光电阴极量子效率的目的。
-
公开(公告)号：CN111863569A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010697019.1
申请日：2020-07-20
Applicant: 南京工程学院
Abstract: 本发明公开了一种提高砷化镓光电阴极发射性能的激活方法，包括步骤1在超高真空系统中对具有原子级清洁表面的GaAs光电阴极进行高温加热；2超高真空系统温度降至室温后开启铯源量子效率逐渐增长直至到达首个铯峰；保持铯源开启当量子效率保持稳定或下降至首个铯峰的80%~85%时，打开氟源，同时铯源保持开启，量子效率再次开始上升，直到达到第二个峰值；关闭氟源，量子效率开始下降，当量子效率到达谷底时，关闭铯源，量子效率会转而上升到第3个峰值，然后保持比较好的稳定性；3再次将GaAs光电阴极放入超高真空系统中进行加热处理，并重复步骤2后，结束激活过程。本发明可以得到量子效率高、稳定性更好的GaAs光电阴极。
-
公开(公告)号：CN110706989A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201911042061.3
申请日：2019-10-30
Applicant: 南京工程学院
IPC: H01J9/12
Abstract: 本发明涉及提高GaAs光电阴极稳定性的Cs/NF3激活方法，即在超高真空激活系统中，采用Cs源和NF3源共同进行GaAs光电阴极激活。包括如下步骤：1、对GaAs光电阴极进行脱脂清洗；2、对GaAs光电阴极进行化学刻蚀；3、在超高真空系统中对GaAs光电阴极进行高温净化；4、对净化后的GaAs光电阴极在红光波段的单色光光照下进行Cs/NF3激活。通过上述方式，本发明可以得到光谱响应更高、稳定性更好的GaAs光电阴极。
-
公开(公告)号：CN111863569B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202010697019.1
申请日：2020-07-20
Applicant: 南京工程学院
Abstract: 本发明公开了一种提高砷化镓光电阴极发射性能的激活方法，包括步骤1在超高真空系统中对具有原子级清洁表面的GaAs光电阴极进行高温加热；2超高真空系统温度降至室温后开启铯源量子效率逐渐增长直至到达首个铯峰；保持铯源开启当量子效率保持稳定或下降至首个铯峰的80%~85%时，打开氟源，同时铯源保持开启，量子效率再次开始上升，直到达到第二个峰值；关闭氟源，量子效率开始下降，当量子效率到达谷底时，关闭铯源，量子效率会转而上升到第3个峰值，然后保持比较好的稳定性；3再次将GaAs光电阴极放入超高真空系统中进行加热处理，并重复步骤2后，结束激活过程。本发明可以得到量子效率高、稳定性更好的GaAs光电阴极。
-
公开(公告)号：CN110797240A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201911109780.2
申请日：2019-11-14
Applicant: 南京工程学院
Abstract: 本发明公开了一种多层复杂结构GaAs光电阴极，该阴极自下而上由高质量n型GaAs衬底、p型掺杂Ga1-xAlxAs缓冲层、p型指数掺杂的GaAs发射层组成；其中，p型Ga1-xAlxAs缓冲层为分布式布拉格反射结构，由至少8对GaAs/AlAs层组成；p型指数掺杂GaAs发射层为4个及以上单元分层结构，掺杂浓度按指数掺杂分布，从后界面处单元分层的1.0×1019cm-3下降到发射表面处单元分层的1.0×1018cm-3。本发明通过采用指数掺杂的发射层和布拉格反射结构的缓冲层，可提高GaAs光电阴极的发射效率。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.024 seconds)
