一种毫米波全频段正交模耦合器及连接波导长度计算方法

    公开(公告)号:CN117525801A

    公开(公告)日:2024-02-06

    申请号:CN202311527783.4

    申请日:2023-11-16

    Abstract: 本发明公开了一种毫米波全频段正交模耦合器及连接波导长度计算方法,该耦合器包括公共端口、与公共端口连接的十字转门结构;在十字转门结构的四个分支中,将相对的两个分支分为一组,呈现双重对称配置;每组中的两个分支之间依次连接阶梯型90°弯波导、连接波导、阶梯型功分器;其中一个阶梯型功分器为水平极化端口,另一个为垂直极化端口;设于十字转门结构内部的二阶圆柱形匹配块。基于此本发明还提出了连接波导长度计算方法,能够解决现有技术中OMT加工装配成本高、难度大、精度要求高的问题,实现全频段、高隔离度、易加工的优点。

    一种对线性调频脉冲压缩雷达的自适应干扰方法

    公开(公告)号:CN112666529B

    公开(公告)日:2022-05-03

    申请号:CN202011401204.8

    申请日:2020-12-04

    Abstract: 本发明公开了一种对线性调频脉冲压缩雷达的自适应干扰方法,该方法根据脉冲压缩雷达的工作模式自适应产生干扰信号。当雷达工作在搜索模式,采用同步密集假目标干扰样式,从时域和频域上对雷达信号样本进行干扰复合调制。时域上,对接收到的雷达信号样本进行延迟重复叠加,以产生时域上密集的假目标信号;频域上,利用线性调频信号多普勒频率和延迟时间之间的负相关关系,对雷达信号样本进行数字移频调制,产生时域上超前和滞后于真实目标的同步密集假目标干扰脉冲群。当雷达工作在跟踪模式,采用相干移频转发干扰样式,根据雷达信号参数产生步进频移控制量,实现前向/后向距离拖引干扰,适用于重频固定、重频参差和重频抖动等多种情况。

    一种对单脉冲雷达旁瓣相消器的干扰机及其干扰方法

    公开(公告)号:CN113075628B

    公开(公告)日:2023-08-08

    申请号:CN202110326620.4

    申请日:2021-03-26

    Abstract: 本发明公开了一种对单脉冲雷达旁瓣相消器的干扰机及其干扰方法,该干扰机的干扰方法针对单脉冲雷达旁瓣相消器的固有缺陷,对单脉冲雷达旁瓣相消器实施多点源分布式同步假目标闪烁干扰、单点源同步多假目标干扰。多点源分布式同步假目标闪烁干扰在单脉冲雷达旁瓣布设2~3个干扰源,干扰源之间同步闪烁工作,单个干扰源的干扰信号在时域上和能量域上对雷达信号进行复合调制,使ASLC产生的干扰零陷不稳定;单点源同步多假目标干扰在时域上产生多个假目标,同时在能量域上周期性地改变干扰脉冲信号幅度,使ASLC无法对干扰产生的多假目标作出响应。和传统单脉冲雷达干扰技术相比,该干扰方法干扰源数量少、效率高,能有效破坏单脉冲雷达的旁瓣相消能力。

    一种干扰宽带雷达的DRFM高速采样实现系统和方法

    公开(公告)号:CN113884991A

    公开(公告)日:2022-01-04

    申请号:CN202111134155.0

    申请日:2021-09-27

    Abstract: 本发明公开了一种干扰宽带雷达的DRFM高速采样实现系统和方法,所述系统开关滤波器组,用于接收宽带雷达信号,将宽带雷达信号分成M路子带,开关滤波器组输出接M路低速A/D转换器;M路低速A/D转换器,用于在频域上覆盖宽带雷达信号频谱;串并结构对A/D转换器的输出进行N次移位处理后,将数据发送给外部存储器;干扰控制器用于控制外部存储器进行干扰调制,调制后数据由外部存储器发送给移位寄存器,移位寄存器输出接D/A转换器,得到M路子带模拟信号,M路子带模拟信号经合路器输出宽带中频干扰信号。本发明在低速采样率条件下实现了较高分辨率,对宽带雷达具有较好的干扰效能。

    一种基于检波器的77GHz功率监测电路

    公开(公告)号:CN112881790A

    公开(公告)日:2021-06-01

    申请号:CN202110032298.4

    申请日:2021-01-11

    Abstract: 本发明公开了一种基于检波器的77GHz功率监测电路,包括W波段标准波导、波导微带鳍线过渡结构、50Ω微带线、平行耦合器、MMIC衰减器芯片、50Ω薄膜电阻、检波器电路和运放电路;由于平行耦合器的P1和P2端口可以分别用作输入和输出或者输出和输入,提供正常工作时的信号传输通道;另外一小部分信号会同时传输至平行耦合器的P3端口,送给检波器电路实现功率监测。本发明的电路既可以级联在接收机输入端构成接收机实时保护电路,也可以级联在发射机输出端构成发射机功率实时监测电路,且不影响收发前端正常工作,不会导致接收机和发射机的性能恶化。

    一种变组分变掺杂反射式AlxGa1-xAs/GaAs光电阴极及其制备方法

    公开(公告)号:CN110767516A

    公开(公告)日:2020-02-07

    申请号:CN201911009209.3

    申请日:2019-10-23

    Abstract: 本发明涉及一种变组分变掺杂反射式AlxGa1-xAs/GaAs光电阴极及其制备方法,该阴极自下而上n型GaAs衬底、p型GaAs过渡层、p型变Al组分AlxGa1-xAs缓冲层、p型指数掺杂GaAs发射层组成;其中,p型变Al组分AlxGa1-xAs缓冲层的Al组分从后界面处自下而上从0.9到0变化,采用均匀掺杂方式;p型指数掺杂GaAs发射层为4个以上单元的分层结构,掺杂浓度采用从后界面处单元分层10×1019cm-3到发射表面单元分层1.0×1018cm-3指数型减小的浓度分布。本发明可提高光电子在阴极体内的输运能力,达到提高GaAs光电阴极量子效率的目的。

    提高GaAs光电阴极稳定性的Cs/NF3激活方法

    公开(公告)号:CN110706989A

    公开(公告)日:2020-01-17

    申请号:CN201911042061.3

    申请日:2019-10-30

    Abstract: 本发明涉及提高GaAs光电阴极稳定性的Cs/NF3激活方法,即在超高真空激活系统中,采用Cs源和NF3源共同进行GaAs光电阴极激活。包括如下步骤:1、对GaAs光电阴极进行脱脂清洗;2、对GaAs光电阴极进行化学刻蚀;3、在超高真空系统中对GaAs光电阴极进行高温净化;4、对净化后的GaAs光电阴极在红光波段的单色光光照下进行Cs/NF3激活。通过上述方式,本发明可以得到光谱响应更高、稳定性更好的GaAs光电阴极。

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