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公开(公告)号：CN117525801A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311527783.4
申请日：2023-11-16
Applicant: 南京工程学院
Abstract: 本发明公开了一种毫米波全频段正交模耦合器及连接波导长度计算方法，该耦合器包括公共端口、与公共端口连接的十字转门结构；在十字转门结构的四个分支中，将相对的两个分支分为一组，呈现双重对称配置；每组中的两个分支之间依次连接阶梯型90°弯波导、连接波导、阶梯型功分器；其中一个阶梯型功分器为水平极化端口，另一个为垂直极化端口；设于十字转门结构内部的二阶圆柱形匹配块。基于此本发明还提出了连接波导长度计算方法，能够解决现有技术中OMT加工装配成本高、难度大、精度要求高的问题，实现全频段、高隔离度、易加工的优点。
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公开(公告)号：CN110767965A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201911057817.1
申请日：2019-11-01
Applicant: 南京工程学院
Abstract: 一种具有快速滚降特性的太赫兹全波段波导带通滤波器，涉及太赫兹波导带通滤波器的技术领域。本发明包括依次串联的输入端标准波导M1、H面感性膜片结构滤波器单元M2、第一连接波导M3、第一对称型限波谐振腔M4、第二连接波导M5、第二对称型限波谐振腔M6、输出端标准波导M7，其中输入端标准波导M1、第一连接波导M3、第二连接波导M5、输出端标准波导M7均为WR06标准波导。本发明实现了在过渡段滚降速率大,结构简单易加工,具有带内低插损的目的。
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公开(公告)号：CN113381143B
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202110617591.7
申请日：2021-06-03
Applicant: 南京工程学院
Abstract: 本发明公开了通信系统技术领域的一种微带低通滤波器及传输零点确定、频率设置方法，旨在解决现有技术中微带低通滤波器的电路尺寸较大，不利于系统小型化的技术问题。包括：输入输出端口，包括输入端口和输出端口，二者均直接连接高阻抗开路枝节和加载六边形谐振器的平行耦合线，所述折叠高阻抗开路枝节和加载六边形谐振器的平行耦合线的数量均为两个。本发明中的微带低通滤波器电路结构紧凑，解决了现有技术中微带低通滤波器的电路尺寸较大，不利于系统小型化的技术问题；提高了阻带宽度和阻带抑制度，具体的，该微带低通滤波器具有覆盖至40GHz的超宽阻带，且相对阻带带宽达到了182％，阻带抑制度优于25dB，其中70％的阻带频段抑制度达到了30dB。
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公开(公告)号：CN113381143A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110617591.7
申请日：2021-06-03
Applicant: 南京工程学院
Abstract: 本发明公开了通信系统技术领域的一种微带低通滤波器及传输零点确定、频率设置方法，旨在解决现有技术中微带低通滤波器的电路尺寸较大，不利于系统小型化的技术问题。包括：输入输出端口，包括输入端口和输出端口，二者均直接连接高阻抗开路枝节和加载六边形谐振器的平行耦合线，所述折叠高阻抗开路枝节和加载六边形谐振器的平行耦合线的数量均为两个。本发明中的微带低通滤波器电路结构紧凑，解决了现有技术中微带低通滤波器的电路尺寸较大，不利于系统小型化的技术问题；提高了阻带宽度和阻带抑制度，具体的，该微带低通滤波器具有覆盖至40GHz的超宽阻带，且相对阻带带宽达到了182％，阻带抑制度优于25dB，其中70％的阻带频段抑制度达到了30dB。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111863569A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010697019.1
申请日：2020-07-20
Applicant: 南京工程学院
Abstract: 本发明公开了一种提高砷化镓光电阴极发射性能的激活方法，包括步骤1在超高真空系统中对具有原子级清洁表面的GaAs光电阴极进行高温加热；2超高真空系统温度降至室温后开启铯源量子效率逐渐增长直至到达首个铯峰；保持铯源开启当量子效率保持稳定或下降至首个铯峰的80%~85%时，打开氟源，同时铯源保持开启，量子效率再次开始上升，直到达到第二个峰值；关闭氟源，量子效率开始下降，当量子效率到达谷底时，关闭铯源，量子效率会转而上升到第3个峰值，然后保持比较好的稳定性；3再次将GaAs光电阴极放入超高真空系统中进行加热处理，并重复步骤2后，结束激活过程。本发明可以得到量子效率高、稳定性更好的GaAs光电阴极。
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公开(公告)号：CN111639465A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010497302.X
申请日：2020-06-04
Applicant: 南京工程学院
Abstract: 一种基于深度学习的AlGaAs光电阴极结构设计方法，涉及光电子探测材料、深度学习的技术领域。本发明包括如下步骤：构建多层结构的AlGaAs光电阴极结构；结合构建的AlGaAs光电阴极结构，建立一个训练数据集；将训练数据集输入到训练神经网络；对训练后的神经网络进行测试，得到AlGaAs光电阴极结构设计。本发明利用深度学习理论，自动训练出符合要求的AlGaAs光电阴极结构，极大地减小设计的时间成本和实验成本，获得高效、有效的结果。能快速实现AlGaAs光电阴极按需结构设计，如夜天空下微光像增强器、海洋光电子探测器件、真空电子源、太阳能电池等不同光谱响应要求的领域。
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公开(公告)号：CN118943721A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411192950.9
申请日：2024-08-28
Applicant: 南京工程学院
Abstract: 本发明提供了一种宽带全向贴片天线及其设计方法，其中所述宽带全向贴片天线包括依次堆叠的顶层贴片、顶层介质基板、底层贴片、底层介质基板，其中顶层贴片为圆形结构，底层贴片为双同心圆环结构。上述双层结构的贴片天线能够显著提高天线带宽。针对上述宽带全向贴片天线，本发明基于特征模分析方法，结合模式带宽范围内不同频点的模式电流特性、辐射方向图，对贴片和堆叠结构进行针对性优化，仿真结果准确有效。设计出的天线具有低剖面特性，馈电接口易装配，便捷可靠，适用于批量生产。
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公开(公告)号：CN110706989A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201911042061.3
申请日：2019-10-30
Applicant: 南京工程学院
IPC: H01J9/12
Abstract: 本发明涉及提高GaAs光电阴极稳定性的Cs/NF3激活方法，即在超高真空激活系统中，采用Cs源和NF3源共同进行GaAs光电阴极激活。包括如下步骤：1、对GaAs光电阴极进行脱脂清洗；2、对GaAs光电阴极进行化学刻蚀；3、在超高真空系统中对GaAs光电阴极进行高温净化；4、对净化后的GaAs光电阴极在红光波段的单色光光照下进行Cs/NF3激活。通过上述方式，本发明可以得到光谱响应更高、稳定性更好的GaAs光电阴极。
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