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公开(公告)号:CN104931812A
公开(公告)日:2015-09-23
申请号:CN201510245720.9
申请日:2015-05-15
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种测量电光晶体电光系数的方法及装置,包括:使一束可见波段的激光依次通过起偏镜、毛玻璃、待测电光晶体、检偏镜,然后用白屏接收出射光点和由毛玻璃造成的散射光形成的干涉图样;其中起偏镜与检偏镜的偏振方向垂直,待测电光晶体上施加一个可调节的直流电压;首先通过理论分析选择合适的激光入射角(θ0,φ0),(θ0,φ0)为入射激光传播方向与待测电光晶体各电感应主轴的夹角;测量时,先将待测电光晶体上施加的直流电压调节为OV,微调待测电光晶体与入射激光的夹角,使出射光点落在干涉图样中与入射角(θ0,φ0)对应的暗区上,然后逐渐增大直流电压,此过程中出射光点位置不变,而干涉图样将发生变化,当出射光点再次落在干涉图样的下一个紧邻暗区时,记下此时的直流电压数值U;再由理论计算可求得相应电光系数。
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公开(公告)号:CN102689927B
公开(公告)日:2013-12-11
申请号:CN201210203084.X
申请日:2012-06-19
Applicant: 南开大学
IPC: C30B29/30
Abstract: 一种近化学计量比铌酸锂晶体的制备方法,包括:将碳酸锂质量含量为23%~45%的碳酸锂和五氧化二铌混合物经升温、熔化、降温结晶、粉碎,得到富锂多晶粉末A,将A装入耐高温的坩埚下部;把待扩散的缺锂铌酸锂晶体放置在A上,晶体周围裸露的A用铂金片覆盖;再用碳酸锂质量含量为10%~18%的碳酸锂和五氧化二铌混合物经升温、熔化、降温结晶、粉碎,得到贫锂多晶粉末B,将B装入坩埚上部;然后将坩埚在高温炉中加热进行扩散处理,扩散温度为1000~1150℃,扩散时间根据扩散温度和晶体的厚度确定,扩散温度越高、晶体厚度越小需要的扩散时间越短,反之时间越长。经过扩散处理后,可以获得高质量的近化学计量比铌酸锂晶体。
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公开(公告)号:CN102689928A
公开(公告)日:2012-09-26
申请号:CN201210203315.7
申请日:2012-06-19
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种近化学计量比钽酸锂晶体的制备方法,包括:将碳酸锂质量含量为15.8%~20.1%的碳酸锂和五氧化二钽混合物经升温、熔化、降温结晶、粉碎,得到富锂多晶粉末A,将A装入耐高温的坩埚下部;把待扩散的缺锂钽酸锂晶体放置在A上,晶体周围裸露的A用铂金片覆盖;再用碳酸锂质量含量为10.0%~13.5%的碳酸锂和五氧化二钽混合物经升温、熔化、降温结晶、粉碎,得到贫锂多晶粉末B,将B装入坩埚上部;然后将坩埚在高温炉中进行扩散处理,扩散温度为1300~1500℃,扩散时间根据扩散温度和晶体的厚度确定,扩散温度越高、晶体厚度越小扩散时间越短,反之越长。经过扩散处理后,可以获得高质量的近化学计量比钽酸锂晶体。
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公开(公告)号:CN101550598A
公开(公告)日:2009-10-07
申请号:CN200910068819.0
申请日:2009-05-13
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种掺锡铌酸锂晶体,在铌酸锂晶体中掺入有锡离子Sn4+,所述锡离子Sn4+的掺入量为0.1~6.0mol%(摩尔百分比),且铌酸锂晶体中含有比例为(0.93~1.41)∶1的锂离子Li1+与铌离子Nb3+。本发明公开的掺锡铌酸锂晶体具有掺杂阈值低,抗光折变能力较强,且易于生长等优点。本发明的掺锡铌酸锂晶体的抗光折变能力比同成份铌酸锂晶体提高了4个量级,比同成分掺镁铌酸锂晶体提高了1个量级,因此其作为一种掺杂阈值低、抗光折变能力强、且易于生长的光学材料,可以完全取代高掺镁铌酸锂晶体的应用,具有巨大的市场前景和重大的生产实践意义。
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公开(公告)号:CN100510204C
公开(公告)日:2009-07-08
申请号:CN200710058844.1
申请日:2007-08-16
Applicant: 南开大学
IPC: C30B29/30
Abstract: 一种铌酸锂pn结及其制备方法。铌酸锂pn结是将两种不同载流子类型的铌酸锂晶体结合在一起,其结晶化学式可表示为:p:LiNbO3/n:LiNbO3,其中,p是镁、铟、锌、铪、锆等抗光折变掺杂元素中的一种或几种的组合,n是铁、铜、锰、铈等光折变掺杂元素中的一种或几种的组合。制备方法是,用提拉法生长p:LiNbO3晶体,切成p:LiNbO3晶片,作为液相外延的衬底;配制n:LiNbO3粉料,先升温熔融,再降至熔点;将第一步中的衬底焙烧,放入熔体中外延生长,将外延晶片抽离熔体,降至室温;外延晶片单面抛光,可得铌酸锂pn结。本发明铌酸锂pn结具备有正向导通、反向截至的整流特性。它将铌酸锂优良的电光性能与pn结有机地结合起来,可作为集成光电子学的平台,具有突破性的意义及巨大的市场前景。
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公开(公告)号:CN101275275A
公开(公告)日:2008-10-01
申请号:CN200710151176.7
申请日:2007-12-21
Applicant: 南开大学
IPC: C30B29/30
Abstract: 一种制备化学计量比铌酸锂或钽酸锂晶片的方法。该方法可以制备化学计量比铌酸锂或钽酸锂晶片。其具体过程是,将铌酸锂或钽酸锂晶片和含锂化合物放置在密闭容器中,将密闭容器内部抽真空,使真空度小于0.5帕,并将容器内部保持一定的高温,用高纯氩气调节内部气氛中各种组分的分压,以防止晶片表面出现龟裂。经过长60小时~120小时的处理,获得化学计量比铌酸锂或钽酸锂晶片。本发明与传统VTE方法(申请专利号:01144332.4)比较,用含锂化合物代替多晶料,第一可以反复使用,大大降低成本;第二可以提高气氛中的锂含量,从而提高扩散速度,减少扩散时间;第三可以通过氩气来调节气氛中的锂含量,从而可以使用不同蒸气压的含锂化合物。
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公开(公告)号:CN101169569A
公开(公告)日:2008-04-30
申请号:CN200710150590.6
申请日:2007-11-30
Applicant: 南开大学
IPC: G02F1/355
Abstract: 一种双掺铌酸锂晶体,本发明属非线性光学晶体领域。其化学式可表示为:LiNbO3∶Fe,Zr,其中Fe2O3的掺杂范围是:0.01~0.05wt%,ZrO2的掺杂范围是0.4~6.0mol%。本发明将抗光折变掺杂离子Zr4+和光折变离子Fe3+共同掺入铌酸锂晶体中,具有掺杂阈值低,易于生长出高品质晶体的特点,且晶体具有优异的光折变性能,其光折变响应时间比掺铁铌酸锂晶体缩短两个量级,比镁铁双掺铌酸锂晶体减少近1个量级,比铪铁双掺铌酸锂晶体缩短了五倍;光折变灵敏度比铪铁双掺铌酸锂晶体提高了2~3倍。本发明之锆铁铌酸锂晶体,具有优于其它双掺(如镁铁、铟铁、锌铁、铪铁等)铌酸锂晶体光折变性能的特点,因此在三维体全息存储的应用上具有巨大的市场前景。
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公开(公告)号:CN1330798C
公开(公告)日:2007-08-08
申请号:CN200410019454.X
申请日:2004-05-31
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及一种近化学比铌酸锂晶体的生长,特别是用熔体注入法生长的系统及其工艺。由于铌酸锂晶体不是同成分共熔,结晶出来的固体成分与熔体成分不一致,难以得到成分均匀的晶体。本发明提供一种采用熔体注入法,系统包括晶体生长炉、供料炉、回路调节器、中频电源、工控计算机和配套软件等7大部分:在晶体生长中,判断晶体生长量和供料炉注入熔融原料量之间的平衡,使注入生长坩埚的熔融原料量与晶体的生长量保持平衡,从而使晶体生长坩埚中原料的成分保持恒定;本发明的有益效果:具有加料连续性好、晶体成分波动小,光学均匀性好以及自动化程度高等优点,设备比较简单,有利于产业化生产,也可以用来进行其它类似非同成分共熔晶体的生长。
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公开(公告)号:CN1176486C
公开(公告)日:2004-11-17
申请号:CN03121583.1
申请日:2003-04-02
Applicant: 南开大学
IPC: H01L21/304 , B24B1/00 , B24B7/22
Abstract: 本发明涉及一种晶体材料抛光技术,尤其是平行度小于1秒的晶体几何中心偏离机器转轴中心的抛光方法,属于晶体材料加工技术领域。在晶体研磨、抛光过程中,如果同时对平行度、平面度和光洁度都有比较高的要求,加工时就很困难。本发明的技术方案:先将晶体的两个对面磨平,进行抛光,将晶体抛光成高光圈,用激光干涉仪检查,利用晶体两对面干涉条纹的圆心与晶体几何中心的偏离,测量出厚度差修正它,采用降光圈条件,降圈抛光,使晶体四周无厚度差。再将晶体调到与夹具同心的位置,继续降圈抛光,等厚干涉条纹将逐渐扩大,圈数减少,最后消失,此时晶体平行度极好。本发明的有益效果:比用测角仪方便,精度高。比用干涉仪观察省时、省力。
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公开(公告)号:CN108767650B
公开(公告)日:2020-07-24
申请号:CN201810616911.5
申请日:2018-06-15
Applicant: 南开大学
IPC: H01S3/115
Abstract: 本发明公开一种功能复合电光Q开关,属于晶体材料在光电技术领域中的应用。本发明是由一块KDP类晶体或者LiNbO3晶体按照一定的设计切型制成的一种功能复合电光Q开关器件。它利用了电光晶体的自然双折射效应和电光效应,可以同时起到1/4波片和传统电光Q开关的作用,能够独立地进行加压式电光调Q。本发明的优点在于:加压式调Q时无需再使用1/4波片或者检偏镜,装调简单方便,有利于提高激光器的紧凑性和稳定性,并且降低了成本。
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