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公开(公告)号：CN107403572A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201710704194.7
申请日：2017-08-17
Applicant: 南通大学
CPC classification number: G09B23/08 , H01L27/0203
Abstract: 本发明提供了一种用于传感器信号处理的全定制ASIC（为专门应用而设计的集成电路），所述ASIC专门用于消除周期性往复运动的周期测量中的系统误差；所述ASIC具有5个引脚，第一引脚为电源正极引脚，第二引脚为控制信号引脚，用于连接至CPU或仪器控制电路，第三引脚为信号输入端，用于连接光电门电路的输出端，第四引脚为信号输出端，用于连接计时器和计数器，第五引脚为电源地线引脚；所述ASIC取消了现有技术中的运算放大器、电压比较器、A/D转换器，整个电路全部由CMOS电路构成开关电路，因此本发明的电路结构更简单，抗干扰能力更强，电路功耗更低。
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公开(公告)号：CN105256287B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201510767278.6
申请日：2015-11-11
IPC: C23C16/40
Abstract: 一种前驱体空间分隔式的自限制性表面吸附反应制备BiAlO3薄膜材料的方法，BiAlO3薄膜材料生长在衬底材料上，所述的BiAlO3薄膜材料的空间群为R3c，晶格常数为a=7.611Å，c=7.942Å；采用前驱体空间分隔式的自限制性表面吸附反应得到，所述表面吸附反应特指朗缪尔吸附机制的不可逆的化学吸附反应。通过采用本发明的制备BiAlO3薄膜材料的方法，可以实现BiAlO3薄膜生长厚度的精确可控，且BiAlO3薄膜表面平整度大大优于现有技术。由于各种气体的通入是连续不断、且流速恒定，薄膜的厚度仅取决于衬底转过的次数，工艺变得极为简单、可靠。
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公开(公告)号：CN105676154A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610006172.9
申请日：2016-01-05
Abstract: 一种专门适用于PPMS的铁磁性材料的磁熵变测量方法。本发明既不是对现有热力学理论的改进，也不是对现有磁熵变的计算机计算方法作出的算法改进，而是专门针对利用PPMS系统进行磁性材料的测量得到磁矩—磁场—温度测试数据并进行技术处理而得到测量磁性材料的磁熵变-温度特性的技术方案，通过技术处理后的测试数据可利用常规的计算方法来得到磁性材料的磁熵变-温度特性，不仅解决了现有技术中PPMS测量得到的数据难以评估磁性材料的磁熵变—温度特性的难题，且其效率大大提升，极大地降低了科研人员的人力成本。
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公开(公告)号：CN105296961A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510766399.9
申请日：2015-11-11
Abstract: 前驱体空间分隔式制备镓酸铋薄膜的方法。一种前驱体空间分隔式的自限制性表面吸附反应制备BiGaO3薄膜材料的方法，BiGaO3薄膜材料生长在衬底材料上，BiGaO3薄膜材料的空间群为Pcca，晶格常数为a=5.626？，b=5.081？，c=10.339？，BiGaO3薄膜材料在所选择的衬底上生长得到的择优取向为（112），采用前驱体空间分隔式的自限制性表面吸附反应得到，所述表面吸附反应特指朗缪尔吸附机制的不可逆的化学吸附反应。通过采用本发明的制备BiGaO3薄膜材料的方法，可以实现BiGaO3薄膜生长厚度的精确可控，且BiGaO3薄膜表面平整度大大优于现有技术。由于各种气体的通入是连续不断、且流速恒定，薄膜的厚度仅取决于衬底转过的次数，工艺变得极为简单、可靠。
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公开(公告)号：CN105256287A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201510767278.6
申请日：2015-11-11
IPC: C23C16/40
Abstract: 一种前驱体空间分隔式的自限制性表面吸附反应制备BiAlO3薄膜材料的方法，BiAlO3薄膜材料生长在衬底材料上，所述的BiAlO3薄膜材料的空间群为R3c，晶格常数为a=7.611？，c=7.942？；采用前驱体空间分隔式的自限制性表面吸附反应得到，所述表面吸附反应特指朗缪尔吸附机制的不可逆的化学吸附反应。通过采用本发明的制备BiAlO3薄膜材料的方法，可以实现BiAlO3薄膜生长厚度的精确可控，且BiAlO3薄膜表面平整度大大优于现有技术。由于各种气体的通入是连续不断、且流速恒定，薄膜的厚度仅取决于衬底转过的次数，工艺变得极为简单、可靠。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104862664A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510257345.X
申请日：2015-05-19
Applicant: 南通大学
IPC: C23C16/40 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种专门用于原子层化学气相沉积技术的图形化的氧化铝超薄薄膜的制备方法，所使用的原料包括三甲基铝、惰性气体、臭氧和片状衬底，所述图形化的氧化铝超薄薄膜的制备方法，利用磁力夹持法将衬底固定于特制的样品托盘上，在衬底上表面覆盖有具有所需图形的金属掩膜版，采用原子层化学气相沉积技术制备得到图形化的氧化铝超薄薄膜。该方法可使氧化铝超薄薄膜免受杂质离子污染，图形边缘清晰，无侧向侵入现象，薄膜不易受损伤，工艺简单。
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公开(公告)号：CN102693411B
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201110074222.4
申请日：2011-03-25
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明揭示了一种基于射频指纹的无线发射机的识别方法，包括：接收无线发射机发射的无线信号，无线信号是无线发射机在功率渐升的同时发射的前导序列；检测无线信号的参考时刻；根据检测到的参考时刻对无线信号进行前导信号的截取；把截取后的前导信号变换为射频指纹；对变换后的射频指纹进行特征提取，进行无线发射机的识别。本发明的基于射频指纹的无线发射机的识别方法利用功率斜升期间发送的前导信号变换得到的ramp-up？RFF(Radio？Frequency？Fingerprints，简称RFF)，具有RFF可分性优并且所需采样率低的优势，ramp-up？RFF可用于基于前导的无线设备的多RFF识别，从而实现无线网络物理层安全增强等目的。
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公开(公告)号：CN103801285A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201410045544.X
申请日：2014-02-08
Applicant: 南通大学
IPC: B01J23/22 , B01J35/02 , A62D3/17 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , A62D101/26 , A62D101/28
Abstract: 本发明涉及一种具有可见光响应能力核壳结构光催化材料及制备方法。所述材料以ZnO的棒状单晶体为核，包覆V2O5多晶壳层。其制备方法包括：采用热蒸发方法，以ZnO粉末和石墨粉为原料通过热蒸发法合成单晶棒状ZnO纳米材料；再通过化学气相沉积法，以乙酰丙酮氧钒（VO(acac)2）为原料，氮气保护下，在以棒状ZnO纳米材料表面沉积V2O5的前驱体；最后将包覆后的材料通过热氧化的形成V2O5@ZnO核壳结构光催化材料。本发明的核壳光催化材料形貌可控，重复性强，材料结构稳定，光催化效果好，本发明方法工艺简单，适合大规模工业生产，具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN103151390A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201310083020.5
申请日：2013-03-15
Applicant: 南通大学
IPC: H01L29/788 , H01L29/06 , H01L29/36
Abstract: 本发明涉及一种隧穿场效应晶体管，在绝缘层上形成凸出于该绝缘层的轻掺杂或不掺杂的衬底脊，源极区和漏极区在间隔一定距离的所述脊上形成，使源极区和漏极区之间存有一间隔区，在对应于源极区和间隔区的一侧面上形成绝缘介质层，在该绝缘介质层的外侧面形成栅电极，在源极区未被绝缘介质层覆盖且与所述栅电极平行的侧面形成欧姆接触的源电极，在漏极区上形成欧姆接触个漏电极。优点是，克服了掺杂原子扩散导致的pn结耗尽展宽造成电子隧穿几率下降的问题；并且电子隧穿发生在整个源区，电子隧穿面积大，因而能够获得大的开态电流；通过平行设置的栅电极-源电极结构简便地实现电子的垂直隧穿。
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公开(公告)号：CN119322096A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202411359896.2
申请日：2024-09-27
Applicant: 南通大学
IPC: G01N27/12 , C23C16/455 , H05K7/20
Abstract: 一种基于原子层沉积技术的抗液相水干扰的湿度传感器，包括湿度敏感单元，其特征在于：还包括封闭式的外壳，所述外壳具有内表面和外表面，且外壳为微孔通道材质，所述微孔通道贯通外壳的内表面和外表面，使得气体可在外壳的内外穿过；还包括防护罩、封闭式的外壳、电机、风扇、底板，防护罩与外壳形状相同，且防护罩尺寸大于外壳，使得防护罩能够笼罩住外壳；所述电机、风扇、湿度敏感单元、外壳均被笼罩设置在防护罩内，构成一个整体，整体安装在底板上、且与底板之间留有空隙，用于环境空气能够进入湿度传感器的外壳之内部。
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