公开(公告)号：CN118825204A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410813497.2

申请日：2024-06-21

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈松岩 ,  张志勇 ,  李成 ,  黄巍 ,  苏鹏飞 ,  兰超飞

IPC: H01M4/1395 ,  H01M4/134 ,  H01M4/04 ,  H01M4/38 ,  H01M4/40 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0562 ,  H01M10/0585

Abstract: 一种无外压长循环全固态电池和硅负极及其制备方法，利用Li21Si5合金低杨氏模量的特性，在较高的堆积压力下诱导Li21Si5合金产生应力烧结现象，得到致密、一体化的合金负极。同时利用Li21Si5合金高电子/离子导电特性，构建了负极上层的电子/离子双导体层(Li21Si5)和下层的混合三维导电层(Si‑Li21Si5)。该结构为全固态电池负极提供了均匀的电场，将Si的循环膨胀应力匀化分散在负极的底部，以稳定固态电解质和负极的界面，减少副反应，从而实现全固态电池在无外压下的超高首效和稳定的长循环性能。

公开(公告)号：CN114464691B

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202210119652.1

申请日：2022-02-08

Applicant: 厦门大学

Inventor： 李成 ,  张璐 ,  洪海洋 ,  林光杨 ,  陈松岩 ,  黄巍

IPC: H01L31/0312 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18 ,  H01L31/20 ,  C23C14/16 ,  C23C14/18 ,  C23C14/58 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种GeSn纳米晶材料及其制备方法与应用，所述GeSn纳米晶材料为GeSn纳米晶嵌于非晶GeSn中，Sn组分的摩尔含量为7.5％～41.6％；所述GeSn纳米晶材料的制备方法，包括以下步骤：1)对衬底进行清洗；2)在清洗后的衬底上，用物理沉积的方法生长局部存在较高Sn组分的非晶GeSn薄膜，以在GeSn薄膜中引入Sn和Ge的浓度梯度；3)对步骤2)的样品进行退火得到非晶GeSn中的高Sn组分GeSn纳米晶。本发明与传统CMOS工艺相兼容，制备得到的GeSn纳米晶的Sn组分高于Sn在Ge中的平衡固溶度并且可通过退火温度调控。

公开(公告)号：CN117199330A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202311193838.2

申请日：2023-09-15

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈松岩 ,  张志勇 ,  李成 ,  黄巍 ,  苏鹏飞 ,  兰超飞 ,  李亚辉

IPC: H01M4/38 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/0562

Abstract: 一种用于高首效长循环全固态电池的硅负极制备方法，包括以下步骤：1)Li21Si5合金粉末与硅粉在氩气气氛下混合均匀，然后在模具中利用冷压技术将Li21Si5‑Si粉末压制成片，得到Li21Si5‑Si负极片；其中，Li21Si5合金粉末在Li21Si5‑Si粉末中的质量占比为10％～75％。本发明利用Li21Si5合金富锂、高离子/电子电导率和低杨氏模量的特性，与硅颗粒混合冷压后提升硅颗粒的导电性，缓解其循环膨胀应力。同时采用硫化物和氯化物组合的双层固态电解质模型，以稳定正负极界面，减少副反应，从而实现固态电池～97％的超高首效和稳定的长循环性能。

公开(公告)号：CN116779482A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310741286.8

申请日：2023-06-21

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈松岩 ,  纪若昀 ,  姚荔强 ,  焦金龙 ,  李成 ,  黄巍

IPC: H01L21/67 ,  H01L23/00

Abstract: 一种提高Si基Ge薄膜热稳定性的键合方法，首先采用超高真空CVD在Si衬底上低温外延单晶Ge缓冲层，其次通过原位高温退火释放Ge、Si之间的失配应力，之后与H+注入后的Ge片室温贴合并低温退火实现Ge薄膜的智能剥离，最后通过高温退火修复薄膜晶体质量，实现具有高质量及超高热稳定性的Si基Ge薄膜制备。

公开(公告)号：CN108731993B

公开(公告)日：2020-05-29

申请号：CN201810347004.5

申请日：2018-04-18

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈松岩 ,  柯少颖 ,  吴金庸 ,  李成 ,  黄巍

IPC: G01N1/28 ,  G01N1/32 ,  G01N1/34

Abstract: 弱键合强度脆性键合样品截面透射电子显微镜制备方法，涉及透射电子显微镜。采用AB胶将两Si衬片粘附于键合样品背面作为分担研磨作用力的衬片，并采用AB胶将Si衬片粘附于键合截面的两端，对键合截面的两端进行固定使得研磨过程中剪切力和压力无法将键合界面撕裂，从而获得可用于离子减薄的截面样品。利用截面边缘束缚法将弱键合强度的截面采用Si衬片固定住，不仅可以避免在研磨过程中键合界面发生断裂，而且采用金刚石粉和砂纸联合对样品进行减薄抛光，能有效且快速的将样品截面减薄至小于30μm，这是一种简易、快速、低成本且成功率高的TEM截面制样新方法。

公开(公告)号：CN106868580B

公开(公告)日：2018-12-14

申请号：CN201710118094.6

申请日：2017-03-01

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈松岩 ,  张子启 ,  韩响 ,  林绍铭 ,  李成 ,  黄巍

IPC: C25F3/12 ,  C30B33/10 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种基于电化学腐蚀的硅纳米带的制备方法，涉及硅纳米带。把P型掺杂的硅片切成方形，在硅片背面溅射铜电极；将硅片置于电化学腐蚀槽中；配制电解液；分别把硅片的背电极接电源阳极，电解液接电源阴极进行电化学腐蚀和硅纳米带剥离；将得到的硅片冲洗，烘干，即得硅纳米带。创造性地制备出结构新颖、分布均匀有序的硅纳米带二维材料，所采用的电化学腐蚀方法是一种简易、低成本的新方法。

公开(公告)号：CN105118804A

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201510631195.4

申请日：2015-09-29

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈松岩 ,  赖淑妹 ,  毛丹枫 ,  李成 ,  黄巍

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76251

Abstract: 超薄硅薄膜钝化制备绝缘体上锗的方法，涉及一种GeOI的制备方法。1)将Ge片清洗，在Ge片上生长超薄硅钝化层，即得Si/Ge晶片；2)将Si片清洗，采用干氧氧化，在Si片上生长SiO2层，即得SiO2/Si晶片；3)将步骤1)得到的Si/Ge晶片和步骤2)得到的SiO2/Si晶片清洗后，进行氧等离子体处理，超薄硅钝化层被氧化、活化，得到SiO2/Ge，同时得到活化的SiO2/Si晶片；4)将步骤3)处理后的SiO2/Ge和SiO2/Si晶片用氨水浸泡，吹干后贴合，再升温加压处理，得键合片；5)将步骤4)得到的键合片进行湿法腐蚀，将Ge层减薄后抛光，得到表面平整的绝缘体上锗。