半导体激光器件和光拾取头器件

    公开(公告)号:CN1508914A

    公开(公告)日:2004-06-30

    申请号:CN200310123393.7

    申请日:2003-12-19

    Inventor: 松原和德

    Abstract: 本发明提供了一种全息摄像类型半导体激光器件的结构,该光学元件的结构即使由于温度的升高或潮气吸收而使得它的外壳膨胀也不会发生变化。在半导体激光器件中,绝缘树脂所制成的主体框架可包括半导体激光元件、镜子、用于读取信号的光检测元件、镜子安装基座和检测器安装基座。另外,全息元件安装在主体框架的侧壁上部。镜子安装基座和检测器安装基座是由树脂所制成的,其中各个基座是与主体框架的基板集成制成的且与主体框架的侧壁相分离。

Patent Agency Ranking