公开(公告)号：CN104471118B

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201380037691.6

申请日：2013-05-08

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  新日铁住金株式会社

Inventor： 加渡干尚 ,  大黑宽典 ,  坂元秀光 ,  楠一彦 ,  冈田信宏

IPC: C30B29/36 ,  C30B19/10

CPC classification number: C30B19/10 ,  C30B9/06 ,  C30B17/00 ,  C30B19/04 ,  C30B19/062 ,  C30B19/068 ,  C30B29/36 ,  Y10T117/1008 ,  Y10T428/21 ,  Y10T428/24488

Abstract: 提供抑制了夹杂物的产生的高质量SiC单晶锭、以及这样的SiC单晶锭的制造方法。本发明涉及SiC单晶锭，其是包含晶种基板及以所述晶种基板为基点采用溶液法成长的SiC成长结晶的SiC单晶锭，其中，所述成长结晶具有凹形状的结晶成长面并且不含有夹杂物。

公开(公告)号：CN106413934A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201580027091.0

申请日：2015-05-27

Applicant: 新日铁住金株式会社

Inventor： 冈田信宏 ,  洼田纮明 ,  富泽淳

IPC: B21D7/16

CPC classification number: B21D9/04 ,  B21D7/12 ,  B21D7/16

Abstract: 本发明的弯曲部件的制造方法具有：把持工序，通过卡盘把持具有开口端的长条钢材的长度方向一端部；进给工序，将上述把持工序后的上述钢材以上述一端部为前头沿着上述长度方向进给；加热工序，对上述钢材的上述长度方向的一部分进行高频感应加热而形成加热部；弯曲工序，通过使上述卡盘沿三维方向移动而对上述加热部赋予弯曲力矩；以及冷却工序，朝上述弯曲工序后的上述加热部喷射冷却介质而进行冷却。在上述加热工序的开始时，使在上述一端部形成上述加热部时施加的加热量大于在沿着上述钢材的进给方向观察的情况下在与上述一端部的上游侧邻接的上游侧邻接部位形成上述加热部时施加的加热量，并且通过上述冷却介质冷却上述卡盘。

公开(公告)号：CN106029256A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201580008825.0

申请日：2015-01-30

Applicant: 新日铁住金株式会社

Inventor： 冈田信宏

IPC: B22D11/115

CPC classification number: B22D11/115

Abstract: 本发明的主要目的在于提供一种进一步抑制针孔性缺陷的钢的连续铸造方法。本发明为一种钢的连续铸造方法，其特征在于，在将使与铸模(11)的长边平行的方向上的洛伦兹力密度成分在作为电磁搅拌装置(13)的结构要素的铁芯芯部(13a)存在的范围内平均化而得到的值设为Lx(N/m3)，将使与铸模(11)的短边平行的方向上的洛伦兹力密度成分在铁芯芯部(13a)存在的范围内平均化而得到的值设为Ly(N/m3)的情况下，求得利用F＝Lx‑α·Ly计算得到的有效洛伦兹力密度F(N/m3)与电磁搅拌装置(13)的电流频率(Hz)之间的关系，使用从有效洛伦兹力密度F的最大值Fmax到0.9Fmax的范围的电磁搅拌电流的频率进行钢的连续铸造。

公开(公告)号：CN103597129B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201280027616.7

申请日：2012-06-11

Applicant: 新日铁住金株式会社 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 龟井一人 ,  楠一彦 ,  矢代将齐 ,  冈田信宏 ,  大黑宽典 ,  加渡干尚 ,  坂元秀光

IPC: C30B29/36 ,  C30B19/06

CPC classification number: C30B15/10 ,  C30B17/00 ,  C30B19/02 ,  C30B19/08 ,  C30B29/36 ,  C30B35/00 ,  Y10T117/1032

Abstract: 一种SiC单晶体的制造装置既抑制SiC溶液的周边区域的温度不均匀，同时又冷却SiC种结晶的附近区域。该SiC单晶体的制造装置包括籽晶轴（30）以及坩埚（14）。籽晶轴（30）具有供SiC种结晶（36）安装的下端面（34）。坩埚（14）用于容纳SiC溶液（16）。坩埚（14）包括主体（140）、中盖（42）和上盖（44）。主体（140）包括第1筒部（38）和配置于第1筒部（38）的下端部的底部（40）。中盖（42）配置于主体（140）内的SiC溶液（16）的液面的上方、且是第1筒部（38）内。中盖（42）具有使籽晶轴（30）穿过的第1通孔（48）。上盖（44）配置于中盖（42）的上方。上盖（44）具有使籽晶轴（30）穿过的第2通孔（52）。

公开(公告)号：CN103210127B

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201180054125.7

申请日：2011-11-04

Applicant: 新日铁住金株式会社 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 楠一彦 ,  龟井一人 ,  矢代将齐 ,  森口晃治 ,  冈田信宏 ,  旦野克典 ,  大黑宽典

IPC: C30B29/36 ,  C30B19/00

CPC classification number: C30B15/20 ,  C30B15/10 ,  C30B15/30 ,  C30B15/36 ,  C30B17/00 ,  C30B19/02 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明提供一种n型SiC单晶的制造方法，其能够抑制所制造的多个n型SiC单晶锭间的氮浓度的偏差。本实施方式的n型SiC单晶的制造方法包括：准备具备腔室(1)的制造装置(100)的工序，所述腔室(1)具有配置坩埚(7)的区域；将配置坩埚(7)的区域加热，并且将腔室(1)内的气体真空排气的工序；在真空排气后，将含有稀有气体和氮气的混合气体填充到腔室(1)内的工序；利用加热使配置于区域的坩埚(7)中容纳的原料熔融，生成含有硅和碳的SiC熔液(8)的工序；以及，在混合气体气氛下，将SiC晶种浸渍于SiC熔液，在SiC晶种上培养n型SiC单晶的工序。

公开(公告)号：CN104662211A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201380046191.9

申请日：2013-08-30

Applicant: 新日铁住金株式会社 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 龟井一人 ,  楠一彦 ,  矢代将齐 ,  冈田信宏 ,  森口晃治 ,  大黑宽典 ,  加渡干尚 ,  坂元秀光

IPC: C30B17/00 ,  C30B29/36

CPC classification number: C30B19/10 ,  C30B19/04 ,  C30B19/062 ,  C30B19/067 ,  C30B19/068 ,  C30B19/12 ,  C30B29/36

Abstract: 制造装置(10)用于利用溶液生长法制造单晶。制造装置(10)包括晶种轴(28)、坩埚(14)、以及驱动源(26)。晶种轴具有安装有晶种(32)的下端面(28S)。坩埚(14)容纳成为单晶的原料的溶液(15)。驱动源(26)使坩埚(14)旋转，并且使坩埚(14)的转速变化。坩埚(14)的内周面含有横切形状为非圆形的流动控制面(382)。该单晶的制造装置能够强烈地搅拌坩埚所容纳的溶液。

公开(公告)号：CN103620094A

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN201280027428.4

申请日：2012-06-15

Applicant: 新日铁住金株式会社 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 楠一彦 ,  龟井一人 ,  矢代将齐 ,  冈田信宏 ,  大黑宽典 ,  加渡干尚 ,  坂元秀光

IPC: C30B29/36 ,  C30B19/06

CPC classification number: C30B35/00 ,  C30B9/10 ,  C30B11/003 ,  C30B15/32 ,  C30B17/00 ,  C30B19/068 ,  C30B19/08 ,  C30B29/36 ,  Y10T117/1068 ,  Y10T117/1092

Abstract: 本发明的目的在于提供能够对安装于籽晶轴的晶种高效地进行冷却的SiC单晶体的制造装置。该制造装置具备：坩埚（14），其用于容纳Si－C溶液（16）；以及籽晶轴（30），具有供SiC晶种（36）安装的下端面（34）。籽晶轴包括：内管（48），其在坩埚的高度方向上延伸，在自身内侧形成第1流路（60）；外管（50），其容纳内管，在该外管（50）与内管之间形成第2流路（SP1）；以及底部，其覆盖外管的下端开口且具有下端面。第1流路以及第2流路中的一者是供冷却气体向下方流动的导入流路，另一者是供冷却气体向上方流动的排出流路。从籽晶轴的轴向观察，SiC晶种的60%以上的区域与形成导入流路的管的内侧的区域重叠。