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公开(公告)号：CN104620676B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201380047275.4
申请日：2013-09-11
Applicant: 新日铁住金株式会社
CPC classification number: B21D7/162 , B21D7/165 , C21D1/42 , C21D9/00 , C21D9/0075 , C21D9/08 , F27D11/06 , F27D11/12 , H05B6/101 , H05B6/104 , H05B6/36 , H05B6/365 , Y02P10/253
Abstract: 本发明提供一种使用电磁波的渗透深度比被加工件的板厚大的频率并能够对具有向外凸缘的被加工件的整周进行淬火的高频感应加热装置。高频感应加热装置(10)具有高频感应加热线圈(11)，该高频感应加热线圈(11)在将具有封闭的横截面并且具有向外凸缘(12a)的纵长且空心的钢制的被加工件(12)作为原材料来制造弯曲构件的3DQ中用于加热被加工件(12)。高频感应加热线圈(11)具有：磁芯(13)，其以与向外凸缘12a的两个表面(12a－1)、(12a－2)分离开并且隔着该两个表面相对的方式配置；以及感应加热线圈(14)，其配置为与磁芯(13)相连接并且包围被加工件(12)的外周中的除向外凸缘(12a)以外的一般部(13b)。
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公开(公告)号：CN103282559B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201180062930.4
申请日：2011-12-26
CPC classification number: C30B15/20 , C30B15/14 , C30B15/30 , C30B15/305 , C30B17/00 , C30B29/36 , Y10T117/1068
Abstract: 本发明提供一种易于向SiC晶种附近供给碳的SiC单晶体的制造装置。在将感应加热装置使电磁波向坩埚侧壁浸透的浸透深度设为D1（mm），将感应加热装置使电磁波向SiC溶液浸透的浸透深度设为D2（mm），将坩埚侧壁的厚度设为T（mm），将坩埚的内半径设为R（mm）时，控制装置控制感应加热装置，以使得在感应加热装置中流动的交流电流的频率f满足式（1）。（D1－T）×D2／R＞1（1）在此，D1由式（2）定义，D2由式（3）定义。D1＝503292×（1／（f×σc×μc））1/2（2）D2＝503292×（1／（f×σs×μs））1/2（3）在此，σc是侧壁的导电率（S／m），σs是SiC溶液的导电率（S／m）。μc是侧壁的相对磁导率（无量纲量），μs是SiC溶液的相对磁导率（无量纲量）。
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公开(公告)号：CN104136145A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201380010806.2
申请日：2013-08-27
Applicant: 新日铁住金株式会社
IPC: B22D11/115 , B22D11/04
CPC classification number: B22D11/115 , B22D11/041 , B22D11/122
Abstract: 本发明的主要目的是提供一种能够均匀地向各铸型赋予电磁力的电磁搅拌装置。本发明在设置于将铸型(4)包夹的一对电磁线圈(C1、C2)的芯部(11)处的2个齿部(12)的外侧缠绕内侧绕线(13)，在缠绕有内侧绕线(13)的外侧缠绕有外侧绕线(14)，利用3相交流电源，使相位差相差120度的电流A、B、C在这些绕线中流动，在线圈(C1、C2)之间的距离L为500mm以上的情况下，电流的方向按照从铸造方向的一端侧向另一端侧流动的顺序，在线圈(C1)中是－B、+C、－C、+A、－A、+B，在线圈(C2)中是－B、+A、－A、+C、－C、+B，在距离L不足500mm的情况下，在线圈(C1)中是－B、+C、－C、+A、－A、+B，在线圈(C2)中是+B、－A、+A、－C、+C、－B，将满足铸型数量n、各铸型的外形尺寸φ以及电磁线圈宽度W为n×φ＜W的数量的铸型配置在线圈(C1、C2)之间而形成电磁搅拌装置(5)。
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公开(公告)号：CN102791395B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201180012759.6
申请日：2011-01-06
Applicant: 新日铁住金株式会社
CPC classification number: C21D9/08 , B21D7/12 , B21D7/16 , C21D1/42 , C21D9/60 , C21D11/00 , Y02P10/253
Abstract: 通过使用专利文献1的制造装置在钢管的周向上均匀地、且在钢管的轴向上较窄的范围内稳定地形成高温部，由此，制造具有优异的尺寸精度的弯曲构件。一边进给钢管（1）一边在第1位置（A）处支承该钢管（1），在第2位置（B）处利用感应加热线圈（14）对钢管（1）进行感应加热，并且，在第3位置（C）处冷却钢管（1），由此，形成向钢管（1）的轴向移动的高温部（1a），并且，通过在区域（D）中向三维方向改变钢管（1）的把持机构（15）的位置，对高温部（1a）施加弯曲力矩，从而制造弯曲构件。在钢管（1）的壁厚为2.0mm以下的情况下，使钢管（1）的进给速度V为5mm/sec～150mm/sec，向匝数为一的感应加热线圈（14）供给5kHz～100kHz的交流电流。并且，在钢管（1）的壁厚大于2.0mm小于等于3.0mm的情况下，使用匝数为二的感应加热线圈（14），且调整向感应加热线圈（14）供给的交流电流的电流频率f（kHz）及钢管（1）的进给速度V（mm/sec），而使它们满足f＜3000/V及f≥0.08V的关系，其中5kHz≤f≤100kHz，5mm/sec≤V≤150mm/sec。
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公开(公告)号：CN104471118A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201380037691.6
申请日：2013-05-08
CPC classification number: C30B19/10 , C30B9/06 , C30B17/00 , C30B19/04 , C30B19/062 , C30B19/068 , C30B29/36 , Y10T117/1008 , Y10T428/21 , Y10T428/24488 , C30B15/32
Abstract: 提供抑制了夹杂物的产生的高质量SiC单晶锭、以及这样的SiC单晶锭的制造方法。本发明涉及SiC单晶锭，其是包含晶种基板及以所述晶种基板为基点采用溶液法成长的SiC成长结晶的SiC单晶锭，其中，所述成长结晶具有凹形状的结晶成长面并且不含有夹杂物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103597129A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201280027616.7
申请日：2012-06-11
CPC classification number: C30B15/10 , C30B17/00 , C30B19/02 , C30B19/08 , C30B29/36 , C30B35/00 , Y10T117/1032
Abstract: 一种SiC单晶体的制造装置既抑制SiC溶液的周边区域的温度不均匀，同时又冷却SiC种结晶的附近区域。该SiC单晶体的制造装置包括籽晶轴（30）以及坩埚（14）。籽晶轴（30）具有供SiC种结晶（36）安装的下端面（34）。坩埚（14）用于容纳SiC溶液（16）。坩埚（14）包括主体（140）、中盖（42）和上盖（44）。主体（140）包括第1筒部（38）和配置于第1筒部（38）的下端部的底部（40）。中盖（42）配置于主体（140）内的SiC溶液（16）的液面的上方、且是第1筒部（38）内。中盖（42）具有使籽晶轴（30）穿过的第1通孔（48）。上盖（44）配置于中盖（42）的上方。上盖（44）具有使籽晶轴（30）穿过的第2通孔（52）。
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公开(公告)号：CN106029256B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201580008825.0
申请日：2015-01-30
Applicant: 新日铁住金株式会社
Inventor： 冈田信宏
IPC: B22D11/115
CPC classification number: B22D11/115
Abstract: 本发明的主要目的在于提供一种进一步抑制针孔性缺陷的钢的连续铸造方法。本发明为一种钢的连续铸造方法，其特征在于，在将使与铸模(11)的长边平行的方向上的洛伦兹力密度分量在作为电磁搅拌装置(13)的结构要素的铁芯芯部(13a)存在的范围内平均化而得到的值设为Lx(N/m3)，将使与铸模(11)的短边平行的方向上的洛伦兹力密度分量在铁芯芯部(13a)存在的范围内平均化而得到的值设为Ly(N/m3)的情况下，利用F＝Lx‑α·Ly计算得到有效洛伦兹力密度F(N/m3)，求得有效洛伦兹力密度F(N/m3)与电磁搅拌装置(13)的电流频率(Hz)之间的关系，使用从有效洛伦兹力密度F的最大值Fmax到0.9Fmax的范围的电磁搅拌电流的频率进行钢的连续铸造。
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公开(公告)号：CN104662211B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201380046191.9
申请日：2013-08-30
CPC classification number: C30B19/10 , C30B19/04 , C30B19/062 , C30B19/067 , C30B19/068 , C30B19/12 , C30B29/36
Abstract: 制造装置(10)用于利用溶液生长法制造单晶。制造装置(10)包括晶种轴(28)、坩埚(14)、以及驱动源(26)。晶种轴具有安装有晶种(32)的下端面(28S)。坩埚(14)容纳成为单晶的原料的溶液(15)。驱动源(26)使坩埚(14)旋转，并且使坩埚(14)的转速变化。坩埚(14)的内周面含有横切形状为非圆形的流动控制面(382)。该单晶的制造装置能够强烈地搅拌坩埚所容纳的溶液。
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公开(公告)号：CN104471117B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201380035985.5
申请日：2013-07-10
CPC classification number: C30B15/32 , C30B9/06 , C30B15/30 , C30B19/068 , C30B29/36 , Y10T117/1024 , Y10T117/1032
Abstract: SiC单晶体的制造装置(10)用于溶液生长法。SiC单晶体的制造装置(10)包括晶种轴(28)和坩埚(14)。晶种轴(28)具有供SiC晶种(32)安装的下端面(28S)。坩埚(14)用于收纳Si－C溶液(15)。晶种轴(28)包括筒部(28A)、底部(28B)和低导热性构件(28C)。底部(28B)配置于筒部(28A)的下端，且具有下端面(28S)。低导热性构件(28C)配置于底部(28B)的上表面，且具有比底部(28B)的热传导率低的热传导率。利用该制造装置，能够使SiC晶种的结晶生长面内的温度不易出现偏差。
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公开(公告)号：CN104136145B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201380010806.2
申请日：2013-08-27
Applicant: 新日铁住金株式会社
IPC: B22D11/115 , B22D11/04
CPC classification number: B22D11/115 , B22D11/041 , B22D11/122
Abstract: 本发明的主要目的是提供一种能够均匀地向各铸型赋予电磁力的电磁搅拌装置。本发明在设置于将铸型(4)包夹的一对电磁线圈(C1、C2)的芯部(11)处的2个齿部(12)的外侧缠绕内侧绕线(13)，在缠绕有内侧绕线(13)的外侧缠绕有外侧绕线(14)，利用3相交流电源，使相位差相差120度的电流A、B、C在这些绕线中流动，在线圈(C1、C2)之间的距离L为500mm以上的情况下，电流的方向按照从铸造方向的一端侧向另一端侧流动的顺序，在线圈(C1)中是-B、+C、-C、+A、-A、+B，在线圈(C2)中是-B、+A、-A、+C、-C、+B，在距离L不足500mm的情况下，在线圈(C1)中是-B、+C、-C、+A、-A、+B，在线圈(C2)中是+B、-A、+A、-C、+C、-B，将满足铸型数量n、各铸型的外形尺寸φ以及电磁线圈宽度W为n×φ＜W的数量的铸型配置在线圈(C1、C2)之间而形成电磁搅拌装置(5)。
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