-
公开(公告)号：CN107614483A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201680029316.0
申请日：2016-03-25
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: C07C229/60 , C07C205/57 , C07C227/06 , C08G73/10 , H05K1/03 , C07B61/00
Abstract: 本发明的课题在于提供一种新型的二胺，所述二胺能够提供不仅柔软性及透明性优异、而且还具有延迟低这样的特征的薄膜。解决手段是特征在于由式(1-1)表示的二胺、由该二胺得到的聚酰胺酸及聚酰亚胺、以及包含该聚酰亚胺和二氧化硅粒子的薄膜形成用组合物及由其形成的薄膜。(式(1-1)中，R1～R5各自独立地表示卤素原子、烷基或烷氧基，R6及R7各自独立地表示氢原子、卤素原子、烷基或烷氧基，a、b、d及e各自独立地表示0～4的整数，而且，c表示0～2的整数。)
-
公开(公告)号：CN103221888A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201180055104.7
申请日：2011-11-11
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G59/62 , C08G65/40 , H01L21/027
Abstract: 本发明的目的是得到虽然包含苯环等芳香族环，但干蚀刻速度的选择比大、而且对降低在EUV(波长13.5nm)光刻中成为大问题的LER有用的用于形成抗蚀剂下层膜的组合物。另外，本发明的目的是得到使抗蚀剂下层膜上的抗蚀剂图案形成所期望的形状的、用于形成抗蚀剂下层膜的组合物。作为本发明的解决问题的方法是，一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其特征在于，包含聚合物和溶剂，上述聚合物是将二苯砜或其衍生物介由醚键导入该聚合物的主链而得的。
-
公开(公告)号：CN102414619A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201080017617.4
申请日：2010-04-15
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/31116 , C08G59/08 , C08L63/00 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , H01L21/3081 , Y10S430/106
Abstract: 本发明的课题是提供在使用了EUV光刻的器件制作工序中使用并降低由EUV造成的不良影响、对获得良好的抗蚀剂图案有效的EUV光刻用抗蚀剂下层膜组合物，以及使用该EUV光刻用抗蚀剂下层膜组合物的抗蚀剂图案形成法。作为解决本发明课题的方法是提供包含含有卤原子的酚醛清漆树脂的半导体器件制造中使用的EUV光刻工艺用抗蚀剂下层膜形成用组合物。酚醛清漆树脂包含由环氧基、羟基或它们的组合构成的交联形成基团。卤原子是溴或碘原子。酚醛清漆树脂是酚醛清漆树脂或环氧化酚醛清漆树脂与卤代苯甲酸的反应生成物。酚醛清漆树脂是缩水甘油基氧基酚醛清漆树脂与二碘水杨酸的反应生成物。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108473764B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201780005922.3
申请日：2017-01-05
Applicant: 日产化学工业株式会社
Abstract: 本发明的目的是提供，可获得具有耐热性优异，延迟也低这样的特征的树脂薄膜，特别是适合作为柔性器件的基板的树脂薄膜，且可获得能够应用激光剥离法的、吸收特定波长的光线的树脂薄膜的柔性器件基板形成用组合物。作为解决手段，是包含聚酰亚胺、粒径为3nm～200nm的二氧化钛粒子、由通过氮吸附法测定的比表面积值算出的平均粒径为100nm以下的二氧化硅粒子、和有机溶剂的柔性器件基板形成用组合物，以及由该柔性器件基板形成用组合物形成的树脂薄膜。
-
公开(公告)号：CN108137924B
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN201680056917.0
申请日：2016-09-30
Applicant: 日产化学工业株式会社
Abstract: 本发明的目的是提供可获得不仅耐热性和耐溶剂性优异，而且也具有延迟低这样的特征的树脂薄膜、特别是适合作为柔性器件的基板的树脂薄膜的树脂薄膜形成用组合物。作为解决手段是包含聚酰亚胺、由利用氮吸附法测得的比表面积值算出的平均粒径为100nm以下的二氧化硅粒子、交联剂和有机溶剂的树脂薄膜形成用组合物以及由该树脂薄膜形成用组合物形成的树脂薄膜。
-
公开(公告)号：CN104246614B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201380021388.7
申请日：2013-02-22
Applicant: 日产化学工业株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供抗蚀剂形状良好的极紫外抗蚀剂下层膜形成用组合物。于是，提供了一种极紫外光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有聚硅氧烷A和水解性硅烷化合物b，所述聚硅氧烷A含有水解性硅烷a的水解缩合物，所述水解性硅烷化合物b具有磺酰胺结构、羧酰胺结构、脲结构、或异氰脲酸结构。还提供了一种极紫外光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有聚硅氧烷B，所述聚硅氧烷B含有水解性硅烷a与水解性硅烷化合物b的水解缩合物，所述水解性硅烷化合物b具有磺酰胺结构、羧酰胺结构、脲结构、或异氰脲酸结构。聚硅氧烷(A)是四烷氧基硅烷和烷基三烷氧基硅烷和芳基三烷氧基硅烷的共水解缩合物。
-
公开(公告)号：CN103168274B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201180050223.3
申请日：2011-09-15
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08F212/06 , C08G8/10 , H01L21/027
CPC classification number: C09D5/00 , C08F12/24 , C08G8/08 , C08G8/24 , C08L61/06 , C09D161/06 , G03F7/091 , G03F7/11 , C08F212/32 , C08F212/14 , C08F220/06
Abstract: 本发明的课题是提供不与EUV抗蚀剂混合、在EUV曝光时遮挡不优选的曝光光例如UV光和/或DUV光并仅选择性地透射EUV光、而且曝光后能用显影液显影的在EUV光刻工艺中使用的EUV抗蚀剂上层膜形成用组合物。作为本发明的解决问题的方法是，包含主链或侧链含有萘环的树脂和溶剂的在EUV光刻工序中使用的EUV抗蚀剂上层膜形成用组合物，其中，树脂中作为亲水性基团包含：羟基、羧基、磺基、或包含这些基团中的至少一个基团的一价有机基团。
-
公开(公告)号：CN103168274A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201180050223.3
申请日：2011-09-15
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08F212/06 , C08G8/10 , H01L21/027
CPC classification number: C09D5/00 , C08F12/24 , C08G8/08 , C08G8/24 , C08L61/06 , C09D161/06 , G03F7/091 , G03F7/11 , C08F212/32 , C08F212/14 , C08F220/06
Abstract: 本发明的课题是提供不与EUV抗蚀剂混合、在EUV曝光时遮挡不优选的曝光光例如UV光和/或DUV光并仅选择性地透射EUV光、而且曝光后能用显影液显影的在EUV光刻工艺中使用的EUV抗蚀剂上层膜形成用组合物。作为本发明的解决问题的方法是，包含主链或侧链含有萘环的树脂和溶剂的在EUV光刻工序中使用的EUV抗蚀剂上层膜形成用组合物，其中，树脂中作为亲水性基团包含：羟基、羧基、磺基、或包含这些基团中的至少一个基团的一价有机基团。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
28
records
(took 0.033 seconds)
