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公开(公告)号：CN104246614B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201380021388.7
申请日：2013-02-22
Applicant: 日产化学工业株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供抗蚀剂形状良好的极紫外抗蚀剂下层膜形成用组合物。于是，提供了一种极紫外光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有聚硅氧烷A和水解性硅烷化合物b，所述聚硅氧烷A含有水解性硅烷a的水解缩合物，所述水解性硅烷化合物b具有磺酰胺结构、羧酰胺结构、脲结构、或异氰脲酸结构。还提供了一种极紫外光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有聚硅氧烷B，所述聚硅氧烷B含有水解性硅烷a与水解性硅烷化合物b的水解缩合物，所述水解性硅烷化合物b具有磺酰胺结构、羧酰胺结构、脲结构、或异氰脲酸结构。聚硅氧烷(A)是四烷氧基硅烷和烷基三烷氧基硅烷和芳基三烷氧基硅烷的共水解缩合物。
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公开(公告)号：CN106575090A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580043291.5
申请日：2015-08-11
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/40 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供对于被加工基板上所形成的高低差基板，可以良好地填埋于其图案间，并且形成平坦的膜的图案反转用树脂组合物。作为解决本发明课题的方法涉及用于下述工序的被覆用聚硅氧烷组合物，所述工序为：在半导体基板上2形成有机下层膜3的工序(1)，在有机下层膜3上涂布硅硬掩模形成用组合物进行烧成而形成硅硬掩模4的工序(2)，在上述硅硬掩模上涂布抗蚀剂组合物而形成抗蚀剂膜5的工序(3)，将该抗蚀剂膜5进行曝光，曝光后将抗蚀剂膜显影而获得抗蚀剂图案的工序(4)，硅硬掩模4的蚀刻工序(5)，有机下层膜3的蚀刻工序(6)，在经图案化的有机下层膜3上涂布本发明的被覆用聚硅氧烷组合物，通过回蚀使该有机下层膜的上表面露出的工序(7a、7b)，对有机下层膜3进行蚀刻而将图案反转的工序(8)。
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公开(公告)号：CN103827752B
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201280045182.3
申请日：2012-10-02
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供一种EUV抗蚀剂的曝光灵敏度提高，用EUV光曝光时释气发生少的光刻用抗蚀剂下层膜和用于形成该下层膜的形成抗蚀剂下层膜的组合物。作为解决本发明课题的方法涉及一种形成EUV光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，其包含作为硅烷的水解性硅烷、其水解物、其水解缩合物、或它们的混合物，该水解性硅烷包含四甲氧基硅烷与烷基三甲氧基硅烷与芳基三烷氧基硅烷的组合，该芳基三烷氧基硅烷由下述式(1)表示：(式(1)中，R1表示由苯环或萘环构成的芳香族环、或者包含异氰脲酸结构的环，R2为芳香族环的氢原子的取代基，为卤原子或碳原子数1～10的烷氧基，X为碳原子数1～10的烷氧基、碳原子数2～10的酰氧基或卤基。)(R2)n2‑R1‑(CH2)n1‑si(X)3 (1)。
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公开(公告)号：CN108055851A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201680049334.5
申请日：2016-08-26
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: C08G77/38 , C09D7/65 , C09D183/04 , G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC classification number: C08G77/38 , C09D7/40 , C09D183/04 , G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/40 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供高低差基板的平坦化用组合物。作为解决手段是一种在抗蚀剂图案上涂布的组合物，其包含：由水解性硅烷的水解缩合物构成的聚硅氧烷所具有的硅烷醇基的一部分被封端的改性聚硅氧烷、和溶剂，该改性聚硅氧烷中的硅烷醇基相对于全部Si原子的比例为40摩尔％以下。通过上述聚硅氧烷所具有的硅烷醇基与醇的反应来调整该比例。一种半导体装置的制造方法，其包含下述工序：在基板上形成抗蚀剂膜的工序(1)；将抗蚀剂膜进行曝光接着进行显影而形成抗蚀剂图案的工序(2)；在显影中或显影后的抗蚀剂图案上涂布上述组合物的工序(3)；通过蚀刻来除去抗蚀剂图案而使图案反转的工序(4)。在工序(3)之后，包含将涂膜表面进行回蚀而露出抗蚀剂图案的表面的工序(3-1)。
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公开(公告)号：CN107966879A
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201711347297.9
申请日：2013-02-22
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/09 , H01L21/308 , G03F7/075 , C09D183/08 , C09D183/04 , C08K5/548 , C08K5/5455
CPC classification number: H01L21/3081 , C08G77/26 , C08G77/388 , C09D183/04 , C09D183/08 , G03F7/0751 , G03F7/0752 , G03F7/091 , G03F7/094 , H01L21/3086 , C08K5/548 , C08K5/5455
Abstract: 本发明的目的在于提供抗蚀剂形状良好的极紫外抗蚀剂下层膜形成用组合物。于是，提供了一种极紫外光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有聚硅氧烷A和水解性硅烷化合物b，所述聚硅氧烷A含有水解性硅烷a的水解缩合物，所述水解性硅烷化合物b具有磺酰胺结构、羧酰胺结构、脲结构、或异氰脲酸结构。还提供了一种极紫外光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有聚硅氧烷B，所述聚硅氧烷B含有水解性硅烷a与水解性硅烷化合物b的水解缩合物，所述水解性硅烷化合物b具有磺酰胺结构、羧酰胺结构、脲结构、或异氰脲酸结构。聚硅氧烷(A)是四烷氧基硅烷和烷基三烷氧基硅烷和芳基三烷氧基硅烷的共水解缩合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103827752A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201280045182.3
申请日：2012-10-02
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/311 , B05D3/0272 , C08G77/24 , C08G77/26 , C08G77/80 , C09D183/04 , C09D183/08 , G03F7/0752 , G03F7/11 , G03F7/2004 , G03F7/38 , G03F7/40 , H01L21/02107 , H01L21/02112 , H01L21/02123 , H01L21/02137 , H01L21/3081
Abstract: 本发明的课题是提供一种EUV抗蚀剂的曝光灵敏度提高，用EUV光曝光时释气发生少的光刻用抗蚀剂下层膜和用于形成该下层膜的形成抗蚀剂下层膜的组合物。作为解决本发明课题的方法涉及一种形成EUV光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，其包含作为硅烷的水解性硅烷、其水解物、其水解缩合物、或它们的混合物，该水解性硅烷包含四甲氧基硅烷与烷基三甲氧基硅烷与芳基三烷氧基硅烷的组合，该芳基三烷氧基硅烷由下述式(1)表示：(式(1)中，R1表示由苯环或萘环构成的芳香族环、或者包含异氰脲酸结构的环，R2为芳香族环的氢原子的取代基，为卤原子或碳原子数1～10的烷氧基，X为碳原子数1～10的烷氧基、碳原子数2～10的酰氧基或卤基。)。(R2)n2-R1-(CH2)n1-si(X)3？？？(1)
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公开(公告)号：CN107533302B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN201680028092.1
申请日：2016-05-20
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/40 , C08G77/26 , G03F7/11 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供用于涂布于抗蚀剂图案，利用蚀刻速度差来进行图案的反转的组合物。作为解决本发明课题的方法为一种涂布于抗蚀剂图案的组合物，其包含下述(A)成分和(B)成分，(A)成分：选自金属氧化物(a1)、多酸(a2)、多酸盐(a3)、水解性硅烷(a4)、上述水解性硅烷的水解物(a5)和上述水解性硅烷的水解缩合物(a6)中的至少1种化合物；(B)成分：水性溶剂，上述水解性硅烷(a4)为包含具有氨基的有机基团的水解性硅烷(i)、包含具有离子性官能团的有机基团的水解性硅烷(ii)、包含具有羟基的有机基团的水解性硅烷(iii)或包含具有能够转化为羟基的官能团的有机基团的水解性硅烷(iv)。
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公开(公告)号：CN108055851B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201680049334.5
申请日：2016-08-26
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: C08G77/38 , C09D7/65 , C09D183/04 , G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/40 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供高低差基板的平坦化用组合物。作为解决手段是一种在抗蚀剂图案上涂布的组合物，其包含：由水解性硅烷的水解缩合物构成的聚硅氧烷所具有的硅烷醇基的一部分被封端的改性聚硅氧烷、和溶剂，该改性聚硅氧烷中的硅烷醇基相对于全部Si原子的比例为40摩尔％以下。通过上述聚硅氧烷所具有的硅烷醇基与醇的反应来调整该比例。一种半导体装置的制造方法，其包含下述工序：在基板上形成抗蚀剂膜的工序(1)；将抗蚀剂膜进行曝光接着进行显影而形成抗蚀剂图案的工序(2)；在显影中或显影后的抗蚀剂图案上涂布上述组合物的工序(3)；通过蚀刻来除去抗蚀剂图案而使图案反转的工序(4)。在工序(3)之后，包含将涂膜表面进行回蚀而露出抗蚀剂图案的表面的工序(3‑1)。
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公开(公告)号：CN103443711B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201280014532.X
申请日：2012-02-24
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/40 , C08G77/20 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/3081 , C08G77/20 , C08K5/09 , C09D183/06 , G03F7/0752 , G03F7/405 , H01L21/0337 , Y02P20/582
Abstract: 本发明的目的在于，提供能够用通常在抗蚀剂图案的剥离中使用的有机溶剂进行重新加工的、含有硅原子的图案颠反膜形成用组合物。因而提供了一种含有聚硅氧烷、添加剂和有机溶剂的图案颠反膜形成用组合物，其特征在于，所述聚硅氧烷具有下述式(1)所表示的结构单元和式(2)所表示的结构单元，(式(1)中、R1表示碳原子数1～8的烷基。)(式(2)中、R2表示丙烯酰氧基或甲基丙烯酰氧基，n表示2～4整数。)，并且所述添加剂为具有羧基和/或羟基共至少2个的有机酸，并且提供了使用该组合物而成的图案颠反膜、和颠反图案的形成方法。
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公开(公告)号：CN103443711A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201280014532.X
申请日：2012-02-24
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/40 , C08G77/20 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/3081 , C08G77/20 , C08K5/09 , C09D183/06 , G03F7/0752 , G03F7/405 , H01L21/0337 , Y02P20/582
Abstract: 本发明的目的在于，提供能够用通常在抗蚀剂图案的剥离中使用的有机溶剂进行重新加工的、含有硅原子的图案颠反膜形成用组合物。因而提供了一种含有聚硅氧烷、添加剂和有机溶剂的图案颠反膜形成用组合物，其特征在于，所述聚硅氧烷具有下述式(1)所表示的结构单元和式(2)所表示的结构单元，(式(1)中、R1表示碳原子数1～8的烷基。)(式(2)中、R2表示丙烯酰氧基或甲基丙烯酰氧基，n表示2～4整数。)，并且所述添加剂为具有羧基和/或羟基共至少2个的有机酸，并且提供了使用该组合物而成的图案颠反膜、和颠反图案的形成方法。
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