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公开(公告)号：CN109416967A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201680086940.4
申请日：2016-06-21
Applicant: 日产自动车株式会社
Abstract: 能够兼得电感的提高和电流密度的提高这两者。一种电感器(1A)，将基板(2)用作母材，并具备磁芯部(3)及线圈部(4)、形成于线圈部(4)的导体(40)间的绝缘部(5)、将磁芯部(3)及线圈部(4)与外部连接的端子部(6、7)。根据在线圈部(4)流动的电流生成的磁场的主要方向为基板(2)的平面方向。在线圈部(4)的至少一部分，将线圈部(4)的长方形状截面积(S1)的宽度(w)和厚度(t)双方设定为比绝缘部(5)的宽度(d)大。
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公开(公告)号：CN111937123B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN201880091847.1
申请日：2018-03-26
Applicant: 日产自动车株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置具有：在主面形成有槽(100)的基板(10)、具有在槽(100)的底部配置的部分的第一导电型的漂移区域(20)、与漂移区域(20)连接而在槽(100)的一方的侧面配置的第二导电型的阱区(30)、与漂移区域(20)分离而在槽(100)的侧面配置在阱区(30)的表面的第一导电型的第一半导体区域(40)、在槽(100)的内部间隔着漂移区域(20)而与阱区(30)对置配置的第一导电型的第二半导体区域(50)、以及在跨越阱区(30)及第一半导体区域(40)各自的上表面而形成有开口部且在槽(100)的深度方向上延伸的栅极沟槽的内部配置并与阱区(30)对置的栅电极(60)。
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公开(公告)号：CN116368624B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202080106857.5
申请日：2020-11-09
IPC: H01L29/78
Abstract: 本发明的半导体装置具有：基板；第1导电型源极区域，其形成于基板的主面上；第2导电型阱区域，其与第1导电型源极区域电连接；第1导电型漂移区域，其与第2导电型阱区域接触；第1导电型漏极区域，其与第1导电型漂移区域接触；第1电极，其与第1导电型源极区域电连接；第2电极，其与第1导电型漏极区域电连接；第3电极，其形成为经由绝缘膜而与第1导电型源极区域、第2导电型阱区域以及第1导电型漂移区域接触；以及寄生电容降低区域，其形成为与第1导电型源极区域接触并且经由绝缘膜而与第3电极接触，电阻值高于第1导电型源极区域。
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公开(公告)号：CN112005379B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN201880092525.9
申请日：2018-04-19
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 具备：第一导电型的漂移区域(21)，其具有接触部(211)以及沿着基板的主面延伸的延伸部(212)；第二导电型的列区域(22)，其沿着与延伸部(212)的延伸方向垂直的方向与延伸部(212)交替配置，一端部与接触部(211)连接；第二导电型的阱区域(23)，其分别与列区域(22)的另一端部以及延伸部(212)的前端连接；电场缓和电极(30)，其经由绝缘膜(60)配置在除了形成于延伸部(212)和列区域(22)之间的界面上的电压保持pn结部以外的剩余的pn结部的至少一部分的上方。
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公开(公告)号：CN116635984A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202080107575.7
申请日：2020-12-01
IPC: H01L21/336
Abstract: 一种半导体装置，具备：漂移区域，其配置在衬底的主面上，杂质浓度比衬底高；第一阱区域，其与漂移区域连接；以及第二阱区域，其与第一阱区域邻接配置，并与漂移区域相对。第二阱区域的杂质浓度比第一阱区域高。在与衬底的主面平行的方向上，经由第一阱区域与漂移区域相对的源极区域与漂移区域之间的距离比第二阱区域与漂移区域之间的距离长。从第二阱区延伸的耗尽层到达漂移区。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116368624A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202080106857.5
申请日：2020-11-09
IPC: H01L29/78
Abstract: 本发明的半导体装置具有：基板；第1导电型源极区域，其形成于基板的主面上；第2导电型阱区域，其与第1导电型源极区域电连接；第1导电型漂移区域，其与第2导电型阱区域接触；第1导电型漏极区域，其与第1导电型漂移区域接触；第1电极，其与第1导电型源极区域电连接；第2电极，其与第1导电型漏极区域电连接；第3电极，其形成为经由绝缘膜而与第1导电型源极区域、第2导电型阱区域以及第1导电型漂移区域接触；以及寄生电容降低区域，其形成为与第1导电型源极区域接触并且经由绝缘膜而与第3电极接触，电阻值高于第1导电型源极区域。
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公开(公告)号：CN112005349A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201880092483.9
申请日：2018-04-19
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 具备：基板(1)；配置在基板(1)的主面上的第一导电型的漂移区域(4)；从漂移区域(4)的第二主面向第二主面的垂直方向延伸设置、且具有到达基板(1)内的底部的第二导电型的第一阱区域(21)；与底部接触、且配置在比底部更下方的基板(1)内的第二导电型的第二阱区域(22)；以及，从第二主面中的形成有第一阱区域(21)的区域向垂直方向延伸设置、且到达第二阱区域(22)的第一导电型的源极区域(3)。在与第二主面平行且从源极电极(15)朝向漏极电极(16)的方向上，第二阱区域(22)与栅极绝缘膜(6)相接触的距离比第一阱区域(21)与栅极绝缘膜(6)相接触的距离短。
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公开(公告)号：CN110291620A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201780086361.4
申请日：2017-02-14
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，具有：形成于衬底(1)的第一主面的第一导电型的第一漂移区域(4)、形成于衬底(1)的第一主面且形成至衬底(1)的比第一漂移区域(4)更深的位置的第一导电型的第二漂移区域(41)。还具备：与第二漂移区域相接的第二导电型的阱区域、从阱区域的表面向垂直方向延伸设置的第一导电型的源极区域、与阱区域分开且从第一漂移区域的表面向垂直方向延伸设置的第一导电型的漏极区域。通过沟道之后的电子的流路变宽，因此能够降低电阻。
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公开(公告)号：CN104718627A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201380054059.2
申请日：2013-10-17
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L29/47 , H01L29/868 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/063 , H01L21/26513 , H01L21/30604 , H01L21/308 , H01L29/06 , H01L29/0615 , H01L29/0619 , H01L29/1608 , H01L29/165 , H01L29/417 , H01L29/47 , H01L29/6606 , H01L29/66136 , H01L29/861 , H01L29/872
Abstract: 一种半导体装置(100)，具备：半导体基体(1)；第一导电型的漂移区域(2)，其在上部的一部分具有槽，配置在半导体基体(100)的第一主面上；第二导电型的电场缓和区域(4)，其仅配置在槽底部中除了中央部以外的角部的周围；阳极电极(9)，其埋入槽中；阴极电极(10)，其配置在半导体基体(100)的与第一主面相对的第二主面上。
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公开(公告)号：CN112005379A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201880092525.9
申请日：2018-04-19
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 具备：第一导电型的漂移区域(21)，其具有接触部(211)以及沿着基板的主面延伸的延伸部(212)；第二导电型的列区域(22)，其沿着与延伸部(212)的延伸方向垂直的方向与延伸部(212)交替配置，一端部与接触部(211)连接；第二导电型的阱区域(23)，其分别与列区域(22)的另一端部以及延伸部(212)的前端连接；电场缓和电极(30)，其经由绝缘膜(60)配置在除了形成于延伸部(212)和列区域(22)之间的界面上的电压保持pn结部以外的剩余的pn结部的至少一部分的上方。
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